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[发明专利]一种烷氧基封端聚硅氧烷聚合物及其制备方法-CN202111564475.X有效
发明人：常映军;汤凯铭;郝开强;陶小乐;何永富 -专利权人：杭州之江有机硅化工有限公司;杭州之江新材料有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C08G77/388 文献下载
摘要：本发明提供了一种烷氧基封端聚硅氧烷聚合物的制备方法，包括以下步骤：a)采用乙烯基硅氮烷、烷氧基氢硅烷，以有机溶剂作为反应缓冲剂，惰性气体作为保护气体，用金属催化剂，合成烷氧基封端的硅氮烷；所述烷氧基封端的硅氮烷的通式为Sup>为‑OC2H5或‑OCH3；a为1～3的整数；b)将步骤a)合成的烷氧基封端的硅氮烷和羟基封端的聚硅氧烷在惰性气体保护下进行氨解反应，得到烷氧基封端聚硅氧烷聚合物。该制备方法反应路线简洁，烷氧基硅氮封端剂采用铑、镍催化剂进行硅氢加成生产烷氧基封端剂高效稳定不中毒，产品稳定性好且封端率高，烷氧基硅氮封端剂和有机硅羟基聚合物反应速率快，封端率高，为烷氧基封端聚合物制备提供了一种全新的方法
一种烷氧基封端聚硅氧烷聚合物及其制备方法

[发明专利]包含乙二酰胺酯基的环状硅氮烷及其制备方法-CN200880021484.0有效
发明人：查尔斯·M·利尔;卡尔·E·本森;理查德·G·汉森 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：本发明描述了包含乙二酰胺酯基的环状硅氮烷以及制备这些化合物的方法。所述化合物可用于制备例如乙二酰胺酯基封端的硅氧烷，所述硅氧烷可为制备例如聚二有机硅氧烷聚乙二酰胺的各种聚合物材料的前体。
包含乙二酰胺酯基环状硅氮烷及其制备方法

[发明专利]一种合成的α，ω－二甲氧基聚二甲基硅氧烷的制备方法-CN200410018242.X无效
发明人：罗洪坚;章基凯;陈与同;陈俊钦;朱颖先;诸国建 -专利权人：上海高分子材料研究开发中心
申请日： 2004-05-11 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： C08G77/50 文献下载
摘要：本发明涉及化工技术领域，具体的说是一种合成的α，ω－二甲氧基聚二甲基硅氧烷的制备方法，其特征在于以聚二甲基硅氧烷环体Dn为主要原料，用它和二甲基二氯硅烷在溶剂中及酸性催化剂存在下反应转化成α，ω－二氯聚二甲基硅氧烷，反应式如(1)；然后，这种转化物不经分离，直接与甲醇反应，生成α，ω－二甲氧基聚二甲基硅氧烷；反应混和液经减压蒸馏浓缩，中和，再减压浓缩过滤，得到α，ω－二甲氧基聚二甲基硅氧烷产品，反应式如(2)。本发明同现有技术相比，减少了不必要的副反应，可控制生产不同粘度的低粘度的α，ω－二甲氧基聚二甲基硅氧烷，技术简单，经济可行。
一种合成二甲聚二甲基硅氧烷制备方法

[发明专利]制备四甲基二氢二硅氧烷的方法及装置-CN201210266486.4有效
发明人：谭军;薛常洪;欧阳玉霞;程旭阳;鄢清佳 -专利权人：嘉兴联合化学有限公司;嘉兴学院
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备四甲基二氢二硅氧烷的方法，包括：将二甲基氢氯硅烷原料加入到稀盐酸中进行水解反应，水解反应完成，后处理得到四甲基二氢二硅氧烷；所述的稀盐酸中氯化氢的质量百分比浓度为5-20％，所述的水解反应温度为本发明还公开了一种制备四甲基二氢二硅氧烷的装置。本发明的利用二甲基氢氯硅烷水解制备四甲基二氢二硅氧烷的方法，环境友好，二甲基氢氯硅烷水解反应中无需其他有机溶剂，产生的氯化氢可循环套用，粗品经精馏后获得的最终产品四甲基二氢二硅氧烷收率较高，产品质量好，
制备甲基二氢二硅氧烷方法装置

[发明专利]含铁聚硅氮烷的制备方法-CN200610011559.X有效
发明人：李军平;张志杰;郑知敏;徐彩虹;谢择民 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种含铁聚硅氮烷的制备方法。以Fe(NR₂)_n这类小分子化合物和硅氮烷或聚硅氮烷为原料，通过氨基交换反应而制备含Fe聚硅氮烷，此制备方法十分简单，易于操作。由此方法制备而得的这类含铁聚硅氮烷可作为含铁的Si₃N₄、SiC陶瓷前驱体，也可作为提高各种硅油、硅橡胶和硅树脂的耐高温氧化性能的添加剂。
含铁聚硅氮烷制备方法

[发明专利]一种γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷的生产方法-CN201110191578.6无效
发明人：陈俊钢 -专利权人：天津市圣滨化工有限公司
申请日： 2011-07-10 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷的生产方法，所述催化剂为氯铂酸∶二乙烯基四甲基二硅氧烷的重量份数比为2∶1，在闭式搪瓷釜中内充满保护气N2，加入催化剂，从高位罐中向搪瓷釜内加入原料三氯硅烷和氯丙烯混合料，其中三氯硅烷和氯丙烯摩尔比为1∶1。本发明涉及的γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷的生产方法，方法γ-氯丙基三氯硅烷的生产采用全新氯铂酸配位体二乙烯基四甲基二硅氧烷(也可称为：四甲基二乙烯基二硅氧烷)，该催化剂能在室温条件下催化加成反应发生
一种甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷生产方法

[发明专利]绝缘涂料、电绝缘层、复合非晶纳米晶带材及制备方法-CN202211136526.3在审
发明人：孙小英;王艳;施利毅;杭建忠 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本申请涉及绝缘涂料领域，尤其涉及绝缘涂料、电绝缘层、复合非晶纳米晶带材及制备方法；所述绝缘涂料包括聚硅氮烷树脂和有机硅类流平剂；其中，所述聚硅氮烷树脂的质量为所述绝缘涂料的质量的12％～85％，所述有机硅类流平剂的质量为所述绝缘涂料的质量的0.4％～0.7％；由于聚硅氮烷树脂能发生水解缩合反应，可以在非晶纳米晶带材的表面形成一层具有Si‑O‑Si结构的电绝缘层，因此使得聚硅氮烷树脂形成的电绝缘层具有良好的绝缘性和耐高温性能，但是聚硅氮烷树脂的流动性较差，通过聚硅氮烷树脂和有机硅类流平剂之间的相互配合，能够综合提高电绝缘层的绝缘性和耐高温性。
绝缘涂料复合纳米晶带材制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序-CN201780088300.1在审
发明人：角田彻;奥野正久;山本克彦;定田拓也;堀井贞义 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：具有以下工序：将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，并对基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序；以及，在第一工序之后，将基板加热至比第一温度高的第二温度，并对基板供给含有过氧化氢的第二处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第二工序。
硅氮烷键过氧化氢的处理气体基板加热对基板改性基板处理装置半导体装置表面形成制造

[发明专利]一种发光二极管的封装材料的制备方法-CN201510544987.8在审
发明人：邱晓霞 -专利权人：邱晓霞
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的封装材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤合成硅树脂，配制各种有机氯硅烷的二甲苯溶液，滴入水搅拌，佳碳酸氢钠水溶液中和后中氯化钠水洗，干燥后加入氢氧化钾；加入六甲基二硅氮烷处理，最后在140摄氏度即667Pa下馏出，过滤；将环氧值为310的双酚A型环氧树脂和己二醇二缩水甘油醚混合，加入聚有机硅氧烷、增粘剂、乙酰丙酮铝、含乙烯基、硅树脂、铂乙烯基硅氧烷配合物，混合均匀；在150
一种发光二极管封装材料制备方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN201910809060.0在审
发明人：李泓博;孙勤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供一半导体基底，所述半导体基底内形成有沟槽；涂覆聚硅氮烷对所述沟槽进行填充；对所述半导体基底在水汽环境中进行递进式升温处理，使得所述聚硅氮烷转化为二氧化硅本发明具有提高聚硅氮烷的转化率，减小浅沟槽隔离结构中产生孔洞缺陷的机率的优点。
半导体基底聚硅氮烷浅沟槽隔离结构二氧化硅孔洞缺陷水汽环境递进式减小涂覆填充制备转化

[发明专利]含氟苯基含氢硅氧烷单体及其制备方法-CN201210485680.1无效
发明人：邹方鑫;张爽;陈功 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开了含氟苯基含氢硅氧烷单体及其制备方法。采用二烷氧基氯硅烷，分别与3,5-双（三氟甲基）苯基格式试剂和对氟苯基格式试剂反应得到3,5-双（三氟甲基）苯基硅烷和对氟苯基二烷氧基硅烷（其中烷氧基R=-OMe、-OEt、-OPr-i等）；或采用三氯硅烷分别与3,5-双（三氟甲基）苯基格式试剂和对氟苯基格式试剂反应得到3,5-双（三氟甲基）苯基二氯硅烷和对氟苯基二氯硅烷。并以3,5-双（三氟甲基）苯基二乙氧基氧基硅烷和对氟苯基二乙氧基硅烷的合成为例，给出了具体的实验过程，对单体进行FT-IR和1H-NMR表征。最后得到耐高温，疏水防油和可与不饱和键发生硅氢加成反应的特性聚硅氧烷。
苯基含氢硅氧烷单体及其制备方法

[发明专利]涂料组合物及其制备方法、涂覆件及其制备方法、家用电器-CN201811175205.8有效
发明人：赵莉 -专利权人：广东美的厨房电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：所述涂料组合物的制备原料包括聚硅氮烷、聚硅氧烷、氟改性的防污剂及色料，所述聚硅氮烷和聚硅氧烷发生共聚反应生成聚硅氮烷‑聚硅氧烷共聚物，所述氟改性的防污剂及色料与所述聚硅氮烷‑聚硅氧烷共聚物相混合。
涂料组合及其制备方法涂覆件家用电器

[发明专利]一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法-CN201110004937.2有效
发明人：李斌;张长瑞;曹峰;王思青;李俊生;宋阳曦 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法。无碳聚硼硅氮烷是同时含有Si-N键和B-N键的聚合物，裂解后得到纯净的硅氮硼陶瓷。本发明所得的无碳聚硼硅氮烷粘度低，流动性好，适用于先驱体浸渍—裂解工艺；陶瓷产率高达83%，裂解产物为纯净的硅氮硼陶瓷，适用于制备高温透波材料；本发明中的无碳聚硼硅氮烷的合成方法，操作简单，反应缓和稳定
一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法

[发明专利]LED显示屏及其制备方法-CN201910186795.2有效
发明人：林义;赵平林;袁贤阳;黄映茂 -专利权人：深圳市洲明科技股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：一种LED显示屏及其制备方法，LED显示屏具有灯面，所述灯面上顺序设置有亲水树脂防护层及透明改性聚硅氮烷树脂层，且所述亲水树脂防护层位于所述灯面与所述透明改性聚硅氮烷树脂层之间；其中，所述透明改性聚硅氮烷树脂层的材质包括如下组分：聚硅氮烷树脂、硅烷偶联剂和气相疏水纳米氧化硅颗粒。上述LED显示屏，通过在亲水树脂防护层上设置透明改性聚硅氮烷树脂层，其能够起到较好的防指纹效果。由于采用了聚硅氮烷树脂，其能够提高气相疏水纳米氧化硅颗粒与亲水树脂防护层的结合力，进而使得透明改性聚硅氮烷树脂层的纳米涂层与亲水树脂层胶面结合力较强，能够实现较为稳定的防指纹效果，且疏水效果较好。
led 显示屏及其制备方法

[发明专利]一种大环二甲基硅氧烷化合物的制备方法-CN201710458974.8有效
发明人：韦举志;杨绍祖;王欢;李长斌 -专利权人：壮铭新材料科技江苏有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效的大环二甲基硅氧烷化合物的制备方法，包括以下步骤：（1）以含氢双封头和八甲基环四硅氧烷为原料，在氢氧化钠或者氢氧化钾水溶液中开环，再插入，可以得到二甲基氢硅封端的直连硅氧烷；（2）将二甲基氢硅封端的直连硅氧烷在三氯化铝催化作用下，跟乙酰氯氯化，得到而甲基氯硅烷封端的直连硅氧烷；（3）将直连硅氧烷在碱性条件下水解可以得到各种大环的二甲基硅环体。该制备方法步骤简单，经济和安全的工艺，由简单的原料出发，能够获得高纯度的各种大环二甲基硅基环体产品，从而避免了高难度的精馏，而且非常适应工业化生产。
一种大环二甲基硅氧烷化合物制备方法