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[发明专利]制备2-异丙烯基-5-甲基-4-己烯酸及衍生醇及其羧酸酯的方法-CN202110425718.5在审
发明人：山下美与志;金生刚 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C07C51/09 文献下载
摘要：本发明提供一种制备下式(4)的2‑异丙烯基‑5‑甲基‑4‑己烯酸的方法，所述方法包括以下步骤：使下式(1)的格氏试剂与1,1,1,3,3,3‑六甲基二硅氮烷进行去质子化反应以形成1,1,1,3,3,3‑六甲基二硅氮烷衍生物，其中R1表示具有1至8个碳原子的直链、支链或芳香族一价烃基基团，X表示氯原子、溴原子或碘原子；和使下式(3)的2‑甲基‑3‑丁烯‑2‑基3‑甲基‑2‑丁烯酸酯在1,1,1,3,3‑六甲基二硅氮烷衍生物的存在下进行重排反应以形成2‑异丙烯基‑5‑甲基‑4‑己烯酸(4)。
制备丙烯甲基己烯衍生及其羧酸方法

[发明专利]一种抗菌聚酯切片及其制备方法-CN202211462932.9在审
发明人：杨作磊;马磊;梅晶晶 -专利权人：江苏锦弘康电子科技有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C08L67/00 文献下载
摘要：将对氨基苯甲醇和二氯磷酸苯酯进行反应，氨基的氮氢键断裂，二氯磷酸苯酯的氯磷键断裂，生成氮磷键，合成中间体1。端含氢聚硅氧烷和丙烯酸发生加成反应，生成中间体2。将中间体1和中间体2进行缩聚反应，生成氮磷硅阻燃聚酯。最后将搭载Ag+的改性海泡石与阻燃聚酯共混，得到氮磷硅抗菌阻燃聚酯。氮、磷、硅、三者的协同作用可以提高聚酯的阻燃性能，改善了聚合物热降解，形成的保护碳层有效提高了阻燃效果。
一种抗菌聚酯切片及其制备方法

[发明专利]一种室温等离子体固化的聚硅氮烷涂层及其制备方法和应用-CN201810291418.0在审
发明人：艾娇艳;王元兵;武放舟 -专利权人：广东工业大学;广州弘海化工科技有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温等离子体固化的聚硅氮烷涂层及其制备方法和应用。所述聚硅氮烷涂层的原料包括聚硅氮烷、溶剂、填料、催化剂和添加剂；所述聚硅氮烷为无机聚硅氮烷、有机聚硅氮烷或改性的超支化聚硅氮烷中的一种以上。本发明的聚硅氮烷涂层具有良好的热稳定性和阻隔性，其与聚合物基体表面的粘结性好，能有效地保护基体免受环境水汽、氧气、酸、碱的腐蚀。本发明的聚硅氮烷涂层经室温等离子体固化后可提高聚合物基材的阻隔性能、阻燃性能、耐刮擦性、耐热性能、耐辐射和耐紫外光的性能。本发明的聚硅氮烷涂层经等离子体固化后转化成了二氧化硅涂层，施工工艺简便，容易实现连续化工艺，有利于转化为二氧化硅致密涂层。
聚硅氮烷等离子体固化制备方法和应用聚合物基体表面二氧化硅涂层无机聚硅氮烷有机聚硅氮烷聚合物基材二氧化硅耐刮擦性耐热性能耐紫外光热稳定性施工工艺致密涂层阻隔性能阻燃性能水汽超支化连续化耐辐射有效地粘结性阻隔性改性溶剂催化剂添加剂氧气转化腐蚀

[发明专利]硅硼碳氮陶瓷及其制备方法-CN201310592829.0有效
发明人：李亚利;劳浔;何思斯;苏冬 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅硼碳氮陶瓷及其制备方法，具体以基于双碳链或多碳链结构单元的胺为反应物进行胺解氯硅烷，进而硼氢化反应合成聚硼硅胺烷，以其为前驱体热解制备硅硼碳氮陶瓷。本发明通过将双碳链引入前驱体结构合成聚硼硅胺烷，使C-N形成键连，促进硅的碳氮化物的出现，有助于提高硅硼碳氮陶瓷的高温性能。用本发明制备硅硼碳氮陶瓷，具有结构和组成可设计性高等优点，适合于制备高纯度陶瓷。用本发明技术制备的硅硼碳氮陶瓷，组成可控，碳含量和硼含量可调，可制备具有优异高温性能的硅硼碳氮陶瓷，应用于航空航天、高温系统、机械、冶金、化工等领域。
硅硼碳氮陶瓷及其制备方法

[发明专利]单填充型的改性二氧化硅膜及其制备方法-CN201410181695.8在审
发明人：小堀重人 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备单填充型的改性二氧化硅膜的方法和单填充型的改性二氧化硅膜，所述改性二氧化硅膜具有比典型的二氧化硅膜更低的折射率和更高的强度。所述方法包括通过在用于聚硅氮烷的溶剂中溶解聚硅氮烷而制备聚硅氮烷溶液，通过混合具有不与所述聚硅氮烷溶液反应的非反应性官能团的氟颗粒而制备涂布液，通过涂布所述涂布液到基板上而形成涂层，从所述涂层中去除用于聚硅氮烷的溶剂，和将所述聚硅氮烷转变成二氧化硅。
填充改性二氧化硅及其制备方法

[发明专利]一种液态硅橡胶及其制备方法-CN202210423581.4在审
发明人：王海平 -专利权人：广东新硅源新材料科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：一种液态硅橡胶，包括以下重量份数原料：105‑140份乙烯基聚硅氧烷、0.15‑0.35份铂络合物、30‑40份白炭黑、1‑4份白炭黑改性剂、7‑12份聚二甲基硅氧烷、5‑8份六甲基二硅氮烷、16‑25份MQ硅树脂；白炭黑改性剂包括四甲基二硅氮烷、八甲基环四硅氮烷、乙烯基三甲氧基硅烷，四甲基二硅氮烷、八甲基环四硅氮烷、乙烯基三甲氧基硅烷以重量比为1：（0.5‑0.8）：（0.15‑0.25）的比例混合
一种液态硅橡胶及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910004430.X无效
发明人：佐藤胜广;中岛崇人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，通过将过氢化硅氮烷溶液涂布在硅基板上形成涂布膜，对涂布膜进行加热而使溶剂挥发，由此形成聚硅氮烷膜，通过对聚硅氮烷膜进行化学试剂处理来将聚硅氮烷膜转化为二氧化硅膜，所述过氢化硅氮烷溶液是将过氢化硅氮烷聚合物分散在含有碳的溶剂中而生成的。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种陶瓷基复合材料（CMC）的聚硅氮烷PSZ-50制备方法-CN201510234958.1有效
发明人：滕雅娣;郑冬松;黄鑫龙;盛永刚 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种用于制备陶瓷基复合材料（CMC）的聚硅氮烷PSZ-50制备方法，涉及一种高分子量聚硅氮烷PSZ-50的制备方法，该方法使用系统脱敏法防止对水和空气敏感的原料甲基氢二氯硅烷和甲基乙烯基二氯硅烷的水解以保证反应的顺利进行
一种陶瓷复合材料 cmc 聚硅氮烷 psz 50 制备方法

[发明专利]一种有机硅阳离子水性聚氨酯的制备方法-CN201410567788.4有效
发明人：李俊英;崔月芝;郝传明;张文郁;陶芙蓉;崔晓 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C08G18/75 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机硅阳离子水性聚氨酯的制备方法，包括六步反应：(1)二乙胺与烯丙基氯在碱性作用下反应生成二乙基烯丙基胺；(2)D₄在催化剂作用下开环，用HMM进行封端，生成双氢封端的聚硅氧烷；(3)双氢封端的聚硅氧烷与二乙基烯丙基胺的硅氢加成反应；(4)加成反应产物与氯丙醇的季胺化反应；(5)HMDI与PTMEG1000生成预聚体，用季胺化产物在水中进行扩链生成有机硅阳离子水性聚氨酯。本发明操作简便，反应条件温和，无碳化现象，产物易分离且可循环使用；先将双端带胺基的聚硅氧烷成盐，再进行扩链，减少一般阳离子加酸成盐再中和的步骤，降低了含氮扩链剂的使用，节省成本，防止阳离子聚氨酯泛黄的问题
一种有机硅阳离子水性聚氨酯制备方法

[发明专利]一种抗空间环境损伤的防护涂层及其制备方法和应用-CN201510240250.7在审
发明人：多树旺;刘庭芝;张豪;常豫川;赵莉曼;胡亮 -专利权人：江西科技师范大学;多树旺
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明提供一种抗空间环境损伤的防护涂层的制备方法，该方法采用有机氯硅烷和氨气反应制备聚硅氮烷，然后和异丙醇铝反应制备聚铝硅氮烷聚合物，将聚铝硅氮烷聚合物涂覆在空间材料表面，固化处理后得到抗原子氧侵蚀的涂层本发明提供的一种抗空间环境损伤的防护涂层制备方法提高防护涂层抗低地轨道空间原子氧环境的侵蚀性能，同时能够抑制有机硅涂层在陶瓷转化过程中产生裂纹的倾向。
一种空间环境损伤防护涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201810865337.7有效
发明人：陆旭兵;赖伟升;赵凯 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管及其制备方法，该六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、修饰层、有源层和源漏电极，所述修饰层为六甲基二硅氮烷薄膜。该制备方法包括S1：在衬底上沉积底电极；S2：制备绝缘层；S3：制备修饰层：在绝缘层表面旋涂六甲基二硅氮烷溶液成膜，进行退火处理后制得六甲基二硅氮烷薄膜作为修饰层；S4：制备有源层；S5：制备源漏电极。本发明采用六甲基二硅氮烷薄膜作为晶体管的修饰层，由于六甲基二硅氮烷薄膜致密性高，能够形成高质量的界面，有利于提高载流子传输效率，使最终的有机薄膜晶体管具有高开关比和高迁移率以及低工作电压。
一种甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]含全氢聚硅氮烷-聚丙烯酸钠涂层的聚酯片材的制备方法-CN201810094712.2在审
发明人：何建平 -专利权人：苏州维洛克电子科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种含全氢聚硅氮烷‑聚丙烯酸钠涂层的聚酯片材的制备方法，包括全氢聚硅氮烷‑聚丙烯酸钠涂层液的制备和全氢聚硅氮烷‑聚丙烯酸钠涂层固化形成致密二氧化硅层两个步骤。本发明在全氢聚硅氮烷中添加部分聚丙烯酸钠。聚丙烯酸钠具有很强的亲水和吸水能力，在全氢聚硅氮烷固化时，由于聚丙烯酸钠的存在全氢聚硅氮烷的周边湿度增加，促进了致密性二氧化硅层的形成，缩短了全氢聚硅氮烷的固化时间。
全氢聚硅氮烷聚丙烯酸钠制备聚酯片材固化致密二氧化硅二氧化硅层辐射固化高温固化湿度增加涂层固化吸水能力涂层液致密性亲水能耗

[发明专利]含全氢聚硅氮烷-尿素涂层的聚酯薄膜的制备方法-CN201810172003.1在审
发明人：何建平 -专利权人：苏州维洛克电子科技有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种含全氢聚硅氮烷‑尿素涂层的聚酯薄膜的制备方法，包括全氢聚硅氮烷‑尿素涂层液的制备和全氢聚硅氮烷‑尿素涂层固化形成致密二氧化硅层两个步骤。本发明在全氢聚硅氮烷中添加部分尿素。在全氢聚硅氮烷固化时，尿素增加了全氢聚硅氮烷周边微环境的湿度，促进了致密性二氧化硅层的形成，缩短了全氢聚硅氮烷的固化时间。
全氢聚硅氮烷尿素聚酯薄膜制备固化致密二氧化硅二氧化硅层保湿功效辐射固化高温固化涂层固化涂层液微环境致密性吸湿生产成本能耗

[实用新型]一种六甲基二硅氮烷的碱洗装置-CN201520924008.7有效
发明人：丁希望;李宏星;吴金荣;陈海军 -专利权人：浙江硕而博化工有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及化工碱洗设备领域，公开了一种六甲基二硅氮烷的碱洗装置，包括碱洗釜（1），所述碱洗釜内设有搅拌装置（2），碱洗釜上设有进料装置（3），碱洗釜底部设有液碱出料口（4），碱洗釜侧壁上设有六甲基二硅氮烷溢流口所述进料装置包括六甲基二硅氮烷进料管（31）、液碱进料管（32）、汇流管（33），所述六甲基二硅氮烷进料管和液碱进料管分别与汇流管的上端连通，所述汇流管的下端设有波纹丝网填料（34），所述碱出料口与液碱进料管通过循环管本实用新型的碱洗装置能够使六甲基二硅氮烷与碱水充分混合，有效去除六甲基二硅氮烷中的杂质。
一种甲基二硅氮烷装置

[发明专利]涂布液、改性二氧化硅膜及其制备方法-CN201410183259.4有效
发明人：小堀重人 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：公开了用于制备改性二氧化硅膜的方法、涂布液和改性二氧化硅膜。所述用于制备改性二氧化硅膜的方法包括制备聚硅氮烷溶液，制备反应性含氟聚合物溶液，通过混合所述聚硅氮烷溶液与所述反应性含氟聚合物溶液而制备涂布液，通过在基板上涂布所述涂布液而形成涂层，从所述涂层中去除所述用于聚硅氮烷的溶剂和所述含氟溶剂，以及在结合基团结合到所述聚硅氮烷的同时将所述聚硅氮烷转变成二氧化硅。
涂布液改性二氧化硅及其制备方法