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[发明专利]制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法-CN200610039392.8无效
发明人：刘贵锋;解新建;王玉琦 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法。装置为真空室(1)两端分别连通氮气管(2)、氯化氢气管(3)、氨气管(4)和排气管(8)，室内置有内置反应腔(14)的源区(5)和内置旋转支撑架(7)的生长区(6)，反应腔(14)中置有金属镓(13)；方法为将覆有氮化铝膜和氮化镓膜的衬底置于支撑架上，并使真空室处于氮气氛后将源区和生长区的温度升至500～550℃下2.5～3小时，再向真空室通入氨气和氮气，并将源区的温度升至850～900℃、生长区的温度升至1030～1070℃后，在继续通入氮气和氨气的同时，先由氯化氢气管加入氮气，再由其加入氯化氢气，并使支撑架旋转，而制得氮化镓单晶薄膜材料。它制得的氮化镓单晶薄膜材料的品质极高。
制备氮化镓单晶薄膜材料装置方法

[发明专利]一种GaN外延片及制造方法-CN201711365930.7在审
发明人：闫稳玉;吴伟东;张薇葭;王占伟;刘双昭;王旭东;赵利 -专利权人：山东聚芯光电科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN外延片及制造方法，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，所述的二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间；优点为提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。
一种 gan 外延制造方法

[发明专利]在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法-CN201810600932.8在审
发明人：刘通;黄荣;李坊森;黄增立;陆晓鸣;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法，其包括：在真空环境中将所述氮化镓衬底送入到刻蚀装置中；控制所述刻蚀装置对所述氮化镓衬底的氮极性面进行等离子体刻蚀处理；在真空环境中将所述氮化镓衬底从所述刻蚀装置转移到沉积装置中；控制所述沉积装置在所述氮化镓衬底的氮极性面上沉积金属薄膜，形成所述欧姆接触电极。该方法可以降低氮化镓衬底的氮极性面与金属电极之间的欧姆接触电阻，并且还提高了欧姆接触的热稳定性。
氮化镓衬底刻蚀装置欧姆接触电极沉积装置氮极性面真空环境氮极性等离子体刻蚀处理沉积金属薄膜欧姆接触电阻金属电极欧姆接触热稳定性制备送入

[实用新型]一种GaN外延片-CN201721770011.3有效
发明人：闫稳玉;吴伟东;张薇葭;王占伟;刘双昭;王旭东;赵利 -专利权人：山东聚芯光电科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种GaN外延片，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，所述的二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间；优点为：提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。
氮化镓缓冲层氮化镓外延层氮化镓铝层反应腔室内本实用新型二维电子气反应腔室生长薄膜层成核层缓冲层有效地挥发衬底回熔体内

[发明专利]一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜及其制备方法-CN201310109264.6无效
发明人：薛玉明;刘君;潘宏刚;宋殿友;朱亚东;刘浩;辛治军;冯少君;尹振超;张嘉伟;尹富红 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜，其化学分子式为GaN，该氮铟镓薄膜沉积在衬底上，薄膜厚度为0.6-1µm；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在MOCVD沉积系统的沉积室中，采用MOCVD工艺在衬底表面沉积一层氮化镓薄膜。本发明的优点是：该氮化镓GaN薄膜对应于太阳光谱具有几乎完美的匹配带隙，且其吸收系数高，载流子迁移率高、抗辐射能力强，其用作氮铟镓InxGa1-xN薄膜太阳电池的窗口层，为利用单一半导体材料来设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能
一种用于太阳电池窗口氮化薄膜及其制备方法

[发明专利]在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法-CN200510086899.4无效
发明人：刘喆;李晋闽;王军喜;王晓亮;王启元;刘宏新;王俊;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明一种在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择一大失配衬底；(2)在大失配衬底上生长氧化物缓冲层，氧化物缓冲层可以缓解衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配，阻隔金属镓与衬底反应
衬底生长裂纹氮化薄膜方法

[发明专利]一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法-CN202110263201.0在审
发明人：李浩杰;刘向阳;张燕;王玲;许金通;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法。该工艺方法包括以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液，对洁净的氮化镓及氮化镓三元合金进行第一次钝化；第一次钝化清洗后外延生长二氧化硅或氮化硅薄膜进行第二次钝化；器件成型后以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液进行第三次钝化使用本发明的钝化工艺有效降低氮化镓及氮化镓三元合金器件的表面漏电流和暗电流，提高器件性能。
一种氮化三元合金钝化工艺方法

[发明专利]一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法-CN201810794203.0有效
发明人：方志来;吴征远;蒋卓汛 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法。本方法是采用化学气相沉积设备（CVD），首先在富镓/少氧条件下热退火覆盖铂薄层的氮化镓薄膜形成包裹铂颗粒的氮化镓纳米籽晶；然后通过热氧化生长方法，由氮化镓纳米籽晶控制，在氮化镓薄膜上生长出（）单晶氧化镓纳米线；最后利用在富镓/少氧生长条件下氧化镓不同晶面生长各向异性的习性，在纳米线侧面实现了选择性侧向生长，从而获得大尺寸（010）单晶氧化镓纳米片。该制备方法工艺简单，普适性重复性好，无需真空环境，可以克服催化生长氧化镓纳米材料的晶相各异的缺点，且可以稳定的转移到各类衬底上，可用于各类新型氧化镓基器件的制备。
一种尺寸氧化纳米制备方法

[发明专利]一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法-CN201310256681.3有效
发明人：刘斌;张荣;庄喆;葛海雄;郭旭;谢自力;陈鹏;修向前;赵红;陈敦军;陆海;顾书林;韩平;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱（孔）阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜，将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔（柱）阵列结构，接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA，随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱（孔）阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构，得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构。
一种利用紫外压印制备有序氮化纳米阵列方法

[发明专利]8～12GHz小型化三路合成100W固态功放-CN202310028493.9在审
发明人：李辰晶;司国梁;吴迪;王赛赛 -专利权人：中国航天科工集团八五一一研究所
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种8～12GHz小型化三路合成100W固态功放，包括一分三功率分配单元、第一氮化镓功放芯片A1、第二氮化镓功放芯片A2、第三氮化镓功放芯片A3和三合一功率合成单元，第一氮化镓功放芯片A1、第二氮化镓功放芯片A2、第三氮化镓功放芯片A3并联，输入端均与一分三功率分配单元连接，输入端均与三合一功率合成单元连接；在微组装装配过程采用多温度梯度烧结工艺和多芯片微组装技术。0.254的薄膜基片烧结至1mm厚的MoCu垫片上表面，再将烧结好的薄膜基片和MoCu垫片烧结至盒体内。
12 ghz 小型化合成 100 固态功放

[发明专利]一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法-CN202210148854.9在审
发明人：解向荣;吴永胜;刘恒山;马野 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法，在衬底上依次生长氮化铝薄膜缓冲层、非掺杂氮化镓层和非掺杂铝镓氮层；在非掺杂铝镓氮层上生长第一重掺杂N型氮化镓层，对第一重掺杂N型氮化镓层进行粗化和边缘处理，能够增加出光角度并且释放第一重掺杂N型氮化镓层中的应力；在第一重掺杂N型氮化镓层上生长二氧化硅层，对二氧化硅层进行图形化刻蚀并露出第一重掺杂N型氮化镓层的表面，能够利用二氧化硅层不导电的特性让载流子在从N到P的方向上移动；在第一重掺杂N型氮化镓层和二氧化硅层上生长第二重掺杂N型氮化镓层。
一种氮化发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构-CN201920308756.0有效
发明人：方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构，包括：衬底，在衬底上生长的半极性氮化镓薄膜，在半极性氮化镓薄膜上生长的二维超薄铟氮/镓氮叠层结构。半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率
半极性叠层结构二维镓氮氮化镓薄膜铟镓氮衬底半导体材料高光电转换效率本实用新型发光二极管光电探测器光吸收效率红外光波段太阳能电池材料晶体材料体系发光性能效率低等激光器生长氮化镓高光效混溶隙相分离波段涨落掺入紫光发光避开

[实用新型]一种氮化镓发光二极管外延片-CN202220326794.0有效
发明人：解向荣;吴永胜;刘恒山;马野 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓发光二极管外延片，在衬底上依次生长氮化铝薄膜缓冲层、非掺杂氮化镓层和非掺杂铝镓氮层；在非掺杂铝镓氮层上生长第一重掺杂N型氮化镓层，对第一重掺杂N型氮化镓层进行粗化和边缘处理，能够增加出光角度并且释放第一重掺杂N型氮化镓层中的应力；在第一重掺杂N型氮化镓层上生长二氧化硅层，对二氧化硅层进行图形化刻蚀以及在所述第一重掺杂N型氮化镓层和所述二氧化硅层表面上生长的第二重掺杂N型氮化镓层，能够在图形化刻蚀时露出第一重掺杂N型氮化镓层的表面，利用二氧化硅层不导电的特性让载流子在从N到P的方向上移动，从而在降低氮化镓结构中位错密度的同时提升电流扩展能力。
一种氮化发光二极管外延

[发明专利]一种氮化硅微环集成硒化镓薄膜的光频率转换器-CN202110300767.6在审
发明人：甘雪涛;纪亚飞;顾林棚;黎志文;李家杰;吴静澜 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅微环集成硒化镓薄膜的光频率转换器，包括双直波导型氮化硅微环腔和硒化镓薄膜，其特征在于硒化镓薄膜覆盖于双直波导型氮化硅微环腔的上表面。泵浦光由上路直波导通过侧边耦合进入氮化硅微环腔；所述氮化硅微环腔对泵浦光场具有放大作用使微环表面形成很强的倏逝光场；所述倏逝光场与具有超高二阶非线性系数的硒化镓薄膜相互作用高效率地产生倍频光或和频光；产生的倍频光或和频光由氮化硅微环腔耦合至下路直波导而输出
一种氮化硅微环集成硒化镓薄膜频率转换器

[发明专利]铟镓氮薄膜的制备方法-CN202310897320.0在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;杨静 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓氮薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：步骤A：在衬底生长至少一层初始氮化镓层；步骤B：在初始氮化镓层上生长一层铟镓氮层；步骤C：基于目标策略对铟镓氮层进行处理，在处理后的铟镓氮层上再生长一层铟镓氮层；目标策略包括以下至少一项：升高温度至退火温度，对铟镓氮层进行保温退火处理；降低温度至铟镓氮层的生长温度；或者，在铟镓氮层通入目标气体，目标气体用于去除铟镓氮层中的富铟区；步骤D：重复执行步骤C，直至各所述铟镓氮层的总厚度达到预设阈值，或者各所述铟镓氮层的质量达到预设阈值，生成铟镓氮薄膜。通过上述方法，可有效降低铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小，改善厚层铟镓氮薄膜质量。
铟镓氮薄膜制备方法

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