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[发明专利]一种氮化铝基板及其制备方法与应用-CN202310447182.6在审
发明人：邱基华;陈烁烁 -专利权人：广东省先进陶瓷材料科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明属于氮化物陶瓷制备技术领域，具体公开一种氮化铝基板及其制备方法与应用。本发明通过在氮化铝生坯表面涂覆或喷涂隔粘粉的方式，在基础隔粘的前提下，能够在氮化铝生坯片排胶或低温烧结过程中制造还原性环境，降低氮化铝基板中的氧杂质及第二相的含量，提高其导热率及强度。本发明的氮化铝基板的热导率在205W/(m·k)以上，强度在400MPa以上。
一种氮化铝基板及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺-CN201310059439.7有效
发明人：江楠 -专利权人：潮州三环（集团）股份有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺，所述工艺包括如下步骤：1）将氮化铝坯卷冲剪成一定尺寸的生坯；2）在氮化铝生坯表面敷上一层隔粘粉；3）将氮化铝生坯按次序正反面交错叠放在一起，优选5~25片叠放；4）在叠放好的氮化铝生坯上面放置重物，放入真空干燥箱内进行压平陈化处理，处理24~96小时；5）将压平陈化处理后的坯放在承烧板并放入间歇炉内进行排胶，排胶时间为80~200小时，最高排胶温度为450~700℃；6）将排胶后的产品放入烧结炉内烧结，烧结温度为1700~1900℃；7）用除尘设备除去烧结后的氮化铝基板表面的隔粘粉。本工艺能够实现氮化铝基板一次平整烧结，烧成后产品翘曲≤0.05mm/25.4mm，能够保证产品的平整度，从而节约成本和提高成品率。
一种氮化陶瓷烧结工艺

[发明专利]一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法-CN201810381216.5在审
发明人：林德陇 -专利权人：浙江正天新材料科技有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，包括以下步骤：氮化铝陶瓷生坯制成陶瓷坯片；用模具冲切成需要烧结的生坯规格；冲切好的生坯堆叠进行压重陈腐；进行排胶；排胶好的素坯每片上敷隔离粉、烧结叠片；在素坯上压氮化硼压重板本发明的优点是：石墨炉烧结氮化铝基板既能够保证陶瓷基板的平整度、又能保证产品表面的粗糙度；同时节约电力资源、人力资源、原材料的成本。
烧结石墨炉生坯氮化铝陶瓷基板隔离粉冲切排胶素坯氮化铝基板氮化铝陶瓷产品表面电力资源人力资源陶瓷基板陶瓷坯片粗糙度氮化硼平整度压重板叠片堆叠放入压重坩埚陈腐模具去除保证节约

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法-CN201010245192.4有效
发明人：周龙飞;林信平 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法，所述制备方法包括下述步骤：步骤1、配料：称取氮化铝陶瓷基板的原料，并混合均匀，所述原料包含氮化铝粉体、烧结助剂、以及有机互溶剂；步骤2、混炼：将混合均匀的原料加入已经预热的混炼机中进行一次或多次混炼，制得混炼料；步骤3、热压成型：将所述混炼料经造粒得到粒料，然后放入模具中通过热压成型的方法成型生坯；步骤4、将热压成型的生坯进行排胶，去除生坯中的有机互溶剂，然后再将排胶后的坯件进行烧结。本发明所提供的方法适用于制作各种厚度的氮化铝陶瓷基板，并且工艺简单，有利于降低陶瓷基板的生产成本。
一种氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]芯片用高导热陶瓷散热器的制备方法-CN201811332328.8在审
发明人：管军凯;秦明礼;石磊;鲁慧峰;何庆;王月隆 -专利权人：厦门钜瓷科技有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明提供了芯片用高导热陶瓷散热器的制备方法，包括以下步骤：S1，将氮化铝粉末与烧结助剂在易挥发有机溶剂中进行球磨混合后与粘结剂进行混炼，然后冷却后取出喂料；S2，将喂料破碎后，利用注射成形成形，注射温度为150～200℃，得氮化铝生坯散热翅片；S3，根据选用粘结剂的不同，采用不同的方式对所述氮化铝生坯散热翅片进行脱脂，得到脱脂氮化铝坯体散热翅片；S4，在流动惰性气体氛围下，将脱脂氮化铝坯体散热翅片烧结冷却至室温，得到注射成形氮化铝陶瓷散热翅片；S5，直接将所述氮化铝陶瓷散热翅片的背面进行金属化，并将金属层刻蚀导电线路，最后将所述将芯片直接焊接封装在氮化铝陶瓷散热器背面。
散热翅片脱脂氮化铝生坯氮化铝陶瓷陶瓷散热器注射成形芯片氮化铝高导热粘结剂坯体喂料制备冷却背面氮化铝陶瓷散热器易挥发有机溶剂流动惰性气体氮化铝粉末导电线路球磨混合烧结助剂直接焊接烧结金属层金属化成形混炼刻蚀封装破碎取出注射

[发明专利]一种氮化铝生坯的排胶方法及氮化铝陶瓷基板的制备方法-CN201611153910.9有效
发明人：邱基华;童文欣 -专利权人：潮州三环(集团)股份有限公司;南充三环电子有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝生坯的排胶方法及氮化铝陶瓷基板的制备方法，一种氮化铝生坯的排胶方法，所述排胶方法包括以下步骤：(1)将氮化铝生坯在氮气气氛中升温至290～320℃，然后保温1～2h；(2)将所述步骤
一种氮化生坯方法陶瓷制备

[发明专利]一种超薄氮化铝陶瓷基片的生产工艺-CN202110324719.0有效
发明人：杨大胜;施纯锡;冯家伟 -专利权人：福建华清电子材料科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明涉及氮化铝陶瓷技术领域，提供一种超薄氮化铝陶瓷基片的生产工艺，包括以下步骤：(1)将氮化铝粉体、复合烧结助剂、UV单体、活性稀释剂、光引发剂、分散剂、硅烷偶联剂混合均匀，得到陶瓷浆料；(2)所述陶瓷浆料在流延机上流延后，通过紫外照射引发聚合反应，浆料原位固化成型，得到陶瓷生坯，再将陶瓷生坯用模具切成需要的形状和尺寸，得到陶瓷坯片；(3)将陶瓷坯片进行叠层后放入排胶炉内进行排胶；(4)排胶后的陶瓷坯片在氮气气氛保护下进行热压烧结，烧结后冷却至室温，再进行除粉抛光工艺，即得到超薄氮化铝陶瓷基片。制备的氮化铝陶瓷基片厚度超薄、导热性好、抗弯强度高。
一种超薄氮化陶瓷生产工艺

[实用新型]一种高温共烧氮化铝陶瓷板-CN201720963488.7有效
发明人：王巍;罗磊;杨从金 -专利权人：东莞市鸿日电子有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高温共烧氮化铝陶瓷板，包括依次层叠的陶瓷框、陶瓷基板、铜线路板，所述的铜线路板由多层氮化铝陶瓷生坯叠加组成，每层所述氮化铝陶瓷生坯表面印刷有电路层，所述的陶瓷框四角设有极性检测点，每层所述电路层电性连接极性检测点方便高密度集成使用时的检测，不需要对高温共烧氮化铝陶瓷板拆除，直接通过极性检测点从而精准快速检测到是否接触不良。
一种高温氮化陶瓷

[发明专利]发热体及其制备方法和应用-CN202110886403.0在审
发明人：杨雪蛟;付苒;谭毅成 -专利权人：合肥商德应用材料有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：发热体的制备方法包括将发热体生坯置于烧结装置中，将至少三个预烧后的支撑件置于发热体生坯周围以支撑位于发热体生坯上方的板材，将烧结装置置于惰性保护气氛中对发热体生坯烧结，发热体生坯为包含有电路层的氮化铝陶瓷生坯支撑件与发热体生坯的组成相同，且支撑件的预烧温度为(T‑100℃)～T，T为氮化铝与烧结助剂的烧结反应温度，支撑件的厚度大于发热体生坯的厚度0.2mm～1mm，板材在烧结过程中对发热体生坯加压。
发热及其制备方法应用

[发明专利]氮化铝烧结体、浆料、生坯及脱脂体-CN200680021803.9无效
发明人：梅川秀喜;东正信 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明提供破坏韧性值高，机械强度、热导率也良好的氮化铝烧结体及其原料。所制造的氮化铝烧结体是包含氮化铝晶粒和来源于烧结助剂的晶界相的氮化铝烧结体，在自上述烧结体表面100μm以内的区域的任意截面中，相对于上述晶界相的总面积，外接圆直径在1μm以下的晶界相的面积在50％以上，且氮化铝粒子的平均粒径在3.0μm～7.0μm的范围内。该氮化铝烧结体可以通过具有特定的粒度分布的氮化铝浆料、具有特定的水中密度的氮化铝生坯、具有特定的细孔径的氮化铝脱脂体制造。
氮化烧结浆料生坯脱脂

[发明专利]一种高硬度纳米氮化铝陶瓷及其制备方法-CN202310859741.4在审
发明人：李淑星;解荣军;谢安;张旻澍;钟旭航 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明属于纳米陶瓷技术领域，尤其涉及一种高硬度纳米氮化铝陶瓷及其制备方法，所述方法包括：以纳米氮化铝粉末为原料，采用焦耳热或放电等离子体烧结制备得到高硬度纳米氮化铝陶瓷。采用焦耳热烧结时，将所述纳米氮化铝粉末倒入模具中干压成型，或加烧结助剂后湿磨干燥后干压成型，再通过冷等静压处理，得到陶瓷片生坯；对所述陶瓷片生坯进行焦耳热烧结，烧结温度为1700‑1900℃，烧结时间为0‑60s，得到所述高硬度纳米氮化铝陶瓷。
一种硬度纳米氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种大功率微电子器件用高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法-CN201610839445.8在审
发明人：张浩;崔嵩;党军杰;郭军;刘俊永;史常东 -专利权人：合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明提供一种大功率微电子器件用高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：配料：称取高纯度氮化铝粉体，氧化钇烧结助剂，有机溶剂以及添加剂，并混合均匀；生坯制备：采用流延成型与等静压工艺相结合的方法获得生坯本发明采用单一氧化钇烧结助剂、规模化流延、脱脂过程使用氢气/氮气混合气氛能够有效的控制脱脂后生坯中的碳和氧元素含量、常压烧结，所得氮化铝陶瓷热导率180W/m.K～268W/m.K，工艺简单、产品性能好
一种大功率微电子器件导热氮化陶瓷制备方法

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法-CN201710559883.3在审
发明人：曹永革;麻朝阳;文子诚 -专利权人：中国人民大学
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法。一种氮化铝陶瓷流延浆料，它包括如下组分氮化铝粉体、烧结助剂、分散剂、溶剂、增塑剂、粘结剂和脱泡剂。氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤1)首次球磨；2)二次球磨；3)真空除泡；4)步骤3)脱泡后的所述混合浆料经流延平铺在膜带上加热，放置晾干，然后从膜带上剥离得到氮化铝流延薄片；5)叠层压片得到氮化铝生坯；6)排胶得到氮化铝坯体；7)烧结即得到氮化铝陶瓷。本发明以无苯、无酮、无毒的有机溶剂来流延成型氮化铝，通过添加烧结助剂，能在比较低的温度下烧结成氮化铝陶瓷基板。
一种氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种多孔赛隆复相陶瓷及其制备方法-CN201310740250.4有效
发明人：刘荣臻;段庆文;吴引江;南海娟;刘高建 -专利权人：西安宝德粉末冶金有限责任公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔赛隆复相陶瓷，按质量百分比其组成为：兰炭20%～45%、粉煤灰10%～30%、氧化铝5%～25%、氮化铝2%～8%、硅5%～25%、粘结剂3%～12%以及无机溶胶5%～20%，以上组分的质量百分比之和为制备方法为：分别称取兰炭粉末、粉煤灰粉末、氧化铝粉末、氮化铝粉末、硅粉末、粘结剂以及无机溶胶。经过湿法球磨工艺制得混合粉末，干燥后加入到粘结剂中，形成颗粒原料。将颗粒原料装入模具型腔内，模压成生坯。对生坯进行碳热还原氮化，用无机溶胶对生坯进行浸渍处理，得到预烧结体。再对预烧结体进行后处理烧结，即制得多孔赛隆复相陶瓷。
一种多孔赛隆复相陶瓷及其制备方法

[发明专利]氮化硅发热体以及其无压低温烧结制备方法-CN200510034046.6无效
发明人：郜长福;陈闻杰;刘晓霞 -专利权人：郜长福
申请日： 2005-04-05 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：一种氮化硅发热体以及其无压低温烧结制备方法，所述的氮化硅发热体包括发热源和发热本体，发热本体包括氮化硅70～95％，氧化钇0.1～10％，氮化铝0～5％，氮化硼0～5％，氧化铝0.1～10％，氧化硅0.1～10％，氧化铈0.1～10％，氧化镁0.1～10％；其制备方法为：按所述的配方重量比例称取原料，球磨2～48小时，烘干，干压成型素坯，并将发热丝置于素坯内，构成生坯；生坯放入炉中排胶，以每小时20～200℃/小时的升温速度将炉内温度升到250～650℃后，保持上述温度2～6小时；将生坯置于石墨坩埚内，埋入氮化硅中，炉内温度控制在1500～1800℃，在无压通氮气条件下，经30分钟至4小时烧结完成。
氮化发热及其压低烧结制备方法

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