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[发明专利]氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置-CN201380050338.1有效
发明人：大田瑞穗;石川和洋;织田武广 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供一种导热率高的氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置。本发明的氮化硅质烧结体具有氮化硅的结晶、MgRE4Si3O13的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi2O5N的结晶，因此具有高导热率。另外，具备包含这样的氮化硅质烧结体的保护管的加热装置能够高效传导加热器的热。而且，具备包含这样的氮化硅质烧结体的吸附构件的吸附装置能够将被吸附体所具有的热高效地散热。
氮化烧结加热装置以及吸附

[发明专利]一种改善栅氧化层TDDB失效的方法-CN200910202978.5无效
发明人：张建伟;张松;王文全;洪文田;曾海 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-05-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善栅氧化层TDDB失效的方法，包括如下步骤：步骤1，提供一衬底；步骤2，在该衬底上形成一层牺牲氧化层；步骤3，在该牺牲氧化层上形成氮化硅层，该氮化硅层作为硬掩膜；步骤4，在该氮化硅层上形成对位标记；步骤5，用浅沟道隔离工艺对该对位标记进行蚀刻，在衬底中形成STI；步骤6，用介电质填充上述STI并在氮化硅层上形成介电质层；步骤7，对该介电质层进行化学机械研磨，研磨至该氮化硅层；步骤8，在该氮化硅层及STI的上部形成热氧化层；步骤9，用热磷酸去除该热氧化层及氮化硅层。
一种改善氧化 tddb 失效方法

[发明专利]一种层间耦合结构及其制备方法-CN202310076642.9在审
发明人：李彬;李志华;唐波;杨妍;张鹏;谢玲;刘若男;黄凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请提供一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：位于衬底上的第一波导；第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的第一层氮化硅结构；第二介质层覆盖第一层氮化硅结构；位于第二介质层远离衬底一侧的第二层氮化硅结构；第一波导、第一层氮化硅结构和第二层氮化硅结构任意两者之间在衬底上的正投影具有重合区域；第二层氮化硅结构靠近第一波导的一端具有斜面结构。利用第一层氮化硅结构来提高层间耦合结构中膜层的质量，降低波导损耗，但第一层氮化硅结构的厚度不宜过厚，否则会产生裂纹，从而影响器件的整体性能，故在第一层氮化硅结构上形成第二层氮化硅结构以从整体上保证层间耦合结构中膜层厚度
一种耦合结构及其制备方法

[发明专利]一种调节氮化硅陶瓷生物活性和抑菌性能的方法及其应用-CN201510941223.2有效
发明人：魏东磊;杨磊;杨惠林;李建祥 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节氮化硅陶瓷生物活性和抑菌性能的方法及其应用，将氮化硅陶瓷洗净自然干燥，配制氢氟酸、双氧水的混合水溶液作为酸性氧化电解质溶液，加入金属离子盐水溶液，得到金属离子辅助酸性氧化电解质溶液，将氮化硅陶瓷静置于金属离子辅助酸性氧化电解质溶液中，反应结束后洗净烘干。本发明采用无痕处理工艺，在不改变氮化硅陶瓷表面形貌的情况下调节氮化硅陶瓷的生物活性及抑菌性能，该方法具有简单易行、条件易于控制、成本低、节省能源等优点，改性后的氮化硅陶瓷可用做医用植入材料和替代物。
氮化硅陶瓷电解质溶液生物活性抑菌性能金属离子洗净双氧水医用植入材料混合水溶液金属离子盐表面形貌处理工艺氢氟酸替代物改性烘干可用无痕配制应用能源

[发明专利]缩小半导体组件的单元间距的方法-CN03153664.6有效
发明人：赖俊仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-08-19 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种缩小半导体组件的单元间距的方法，此方法先在一个基板上形成垫氧化层，并在这个垫氧化层上形成氮化硅层，接着在这个氮化硅层上形成修剪过的光阻层，再用此光阻层作为罩幕以蚀刻氮化硅层。之后移除此光阻层直到氮化硅层被完全暴露出来，并将垫氧化层上曝露出的部分移除直到暴露出一部分的基板。然后在基板上所暴露出的部分形成闸氧化层，接着在氮化硅层上沉积多晶质层，并蚀刻此多晶质层以形成复数个多晶质闸极，最后再移除氮化硅层。
缩小半导体组件单元间距方法

[发明专利]切削工具-CN202080088441.5有效
发明人：户田达也;古桥拓也;丰田亮二 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：切削工具(1)是由氮化硅质烧结体(2)形成的，所述氮化硅质烧结体(2)包含：基质相(3)、硬质相(4)、及存在有玻璃相(11)和晶相(12)的晶界相(10)。氮化硅质烧结体(2)含有以氧化物换算计为5.0wt％以上且15.0wt％以下的钇，且含有作为硬质相(4)的氮化钛5.0wt％以上且25.0wt％以下。X射线衍射峰中，在氮化硅质烧结体(2)的内部区域中，在2θ为25°至35°的范围内示出光晕图案。在氮化硅质烧结体(2)的表面区域中，最大峰强度B相对于最大峰强度A之比即B/A满足下述式(1)的关系，在氮化硅质烧结体(2)的内部区域中，最大峰强度B相对于最大峰强度A之比即B/A满足下述式(2)的关系
切削工具

[发明专利]由铝电解槽产生的废氮化硅结合碳化硅砖回收利用方法-CN201710355631.9有效
发明人：李剑峰;田守信;蓝振华;高广震;吴朝齐 -专利权人：上海彭浦特种耐火材料厂有限公司;上海柯瑞冶金炉料有限公司;阳谷信民耐火材料有限公司;山东柯信新材料有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C01B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种由铝电解槽产生的废氮化硅结合碳化硅砖的回收利用方法，其特征在于将铝电解槽产生的废氮化硅结合碳化硅砖进行收集，放在真空加热炉内，进行真空加热，这利用废氮化硅结合碳化硅砖内的电解质汽化反应和蒸发，导致处理后碳化硅砖内没有电解质Na3AlF6，而同样出现少量AlN。利用本发明提供的方法，铝电解槽产生的废氮化硅结合碳化硅砖的回收率为99%，同时挥发出来的电解质经过冷凝回收，可以再作为电解铝的电解质使用。
电解槽产生氮化结合碳化硅砖回收利用方法

[发明专利]一种碳化硅质固废的处理方法及特种涂料-CN201811301821.3在审
发明人：李贺松;侯文渊;时章明;冯源;徐倜波;朱晓伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B28/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅质固废的处理方法，包括：S1)将电解槽大修渣中的碳化硅质固废进行切割，收集腐蚀部分；S2)将所述腐蚀部分进行粉粹，得到颗粒；S3)将所述颗粒与水混合，过滤后，得到滤饼与滤液；所述滤饼为碳化硅与氮化硅混合物与现有技术相比，本发明首先切割收集碳化硅质固废被腐蚀的部分，然后通过水洗法分离碳氮化硅与氟化盐，利用氟化盐溶于水而碳氮化硅不溶于水的特性，快速分离氟化盐与碳氮化硅，且可利用碳化硅与氮化硅的高温耐腐蚀性，用于制备特种涂料，进而作为高温炉体内的修复材料，实现碳化硅质固废的高值利用。
碳化硅质氟化盐氮化硅碳氮化硅特种涂料碳化硅腐蚀滤饼切割高温耐腐蚀性电解槽大修不溶于水快速分离修复材料混合物分离碳高温炉水混合水洗法粉粹制备过滤蒸发体内

[发明专利]氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法-CN201710427638.7有效
发明人：中西敏雄;片山大介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：提供一种即使是通过低温下的CVD形成的氮化硅膜也能够使其改质成为所期望的特性的氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法。一种在基板上通过等离子体CVD形成的氮化硅膜的处理方法，对氮化硅膜照射微波氢等离子体，利用微波等离子体中的原子氢将氮化硅膜的表面部分的氢去除来使该部分改质。
氮化处理方法以及形成

[发明专利]氮化硅质基板、及使用其的电路基板以及电子装置-CN201180005905.2有效
发明人：石峰裕作;森山正幸;小松原健司 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明提供能够使将由金属形成的构件接合时的接合强度提高的氮化硅质基板、以及可通过使用这种氮化硅质基板而提高可靠性的电路基板和电子装置。所述氮化硅质基板(1)，在由氮化硅质烧结体形成的基板(1a)的主面一体化有含硅的多个粒状体(1b)，从粒状体(1b)的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)。在已涂布的焊料上配置电路构件、放热构件，然后通过在经加热而进行接合时使多个粒状体(1b)一体化于基板(1a)的主面，从粒状体(1b)的局部延伸出多个针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)，从而可得到较高的固定效果，因此能够使氮化硅质基板
氮化硅质基板使用路基以及电子装置

[发明专利]板状的氮化硅质烧结体及其制造方法-CN202080085992.6在审
发明人：藤永猛;猪野亚纪;本田道夫;藤永昌孝;柴田耕司;山田哲夫 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明提供得到兼具高的热导率和优异的机械特性(强度和断裂韧性)的板状的氮化硅质烧结体的方法。制备在氮化硅原料中添加有烧结助剂的起始组合物，通过片成形工艺由起始组合物制作生片，将生片在含氮气体压力为0.15MPa以上且3MPa以下的加压气氛下、在最高保持温度为1790℃以上且1910℃以下的温度范围内保持而进行烧结，由此制造碱土金属含量与稀土金属含量的比率及氧含量高度受控的板状的氮化硅质烧结体，其中，所述氮化硅原料中配混有β百分率为0％以上且10％以下并且具有特定的氧含量、比表面积及平均粒径的第一氮化硅粉末和β百分率为60％以上且100％以下并且具有特定的氧含量、比表面积、平均粒径及长径比的第二氮化硅粉末。还提供原料粉末配混物及氮化硅质烧结体。
氮化烧结及其制造方法

[发明专利]PIP电容的制作方法-CN201910781804.2有效
发明人：王卉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，衬底分为存储区和逻辑区，在衬底上依次形成耦合氧化物层、浮栅层、第一介质层、控制栅层和浮栅氮化硅；使用浮栅氮化硅的刻蚀版图刻蚀浮栅氮化硅；形成覆盖刻蚀后的浮栅氮化硅外侧的浮栅侧壁，以及形成覆盖浮栅侧壁的浮栅位移侧墙和隧穿氧化层；形成字线；形成保护氮化硅和保护氧化硅覆盖字线；去除逻辑区的保护氮化硅和保护氧化硅，部分刻蚀浮栅氮化硅；在所述逻辑区形成逻辑栅氧化硅覆盖刻蚀后的浮栅氮化硅和字线；形成逻辑栅多晶硅覆盖逻辑栅氧化硅。本发明通过加入浮栅氮化硅的刻蚀版图刻蚀浮栅氮化硅，可以获得平整的多晶硅表面。
pip 电容制作方法

[发明专利]高温耐火砖及制备方法-CN03112449.6无效
发明人：潘伟;黄朝晖;巴爱民 -专利权人：东营市宇佳工贸有限责任公司
申请日： 2003-06-26 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温炉体电解铝槽内使用的一种含ZrB₂(二硼化锆)材料的新型氮化硅结合碳化硅高温耐火砖及制备方法。其技术方案是：在电解铝槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖体中添加ZrB₂(二硼化锆)材料，可以大大提高氮化硅结合碳化硅耐火砖抗冰晶石电解质熔液侵蚀和渗透的能力，有效地减缓氮化硅结合碳化硅耐火砖遭受冰晶石电解质熔液侵蚀的速度，达到明显延长含ZrB₂(二硼化锆)材料的新型氮化硅结合碳化硅耐火砖使用寿命的目的。
高温耐火砖制备方法

[发明专利]一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法-CN201310389608.3有效
发明人：郭伟;荆涛 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法，该氮化硅多孔陶瓷通过将反应原料进行烧结制成，所述反应原料包含：76-87重量份碳硅质前驱体、5-8重量份氮化硅及8-16重量份添加剂，其中所述碳硅质前驱体通过对稻壳进行碳化制成本发明的氮化硅多孔陶瓷用价格低廉的农业废弃物稻壳为原料制成，产品制备工艺简单、烧结温度较低且生产成本较低。
一种氮化多孔陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种均质化大尺寸氮化硅陶瓷平板的制备方法-CN202110941588.0在审
发明人：董衡;李淑琴;韩耀;余娟丽;张剑;吕毅;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开一种均质化大尺寸氮化硅基陶瓷平板的制备方法，属于功能陶瓷制备技术领域，通过将硅溶胶、水溶性大分子有机物、烧结助剂与酸洗氮化硅陶瓷粉体混合均匀，其中酸洗氮化硅陶瓷粉体包含0.5～0.8μm的颗粒和1～2μm的颗粒，进行球磨后获得浆料；将所述浆料真空脱气注入模具后，使其悬浮在液氮中进行充分固化成型，然后脱模得到坯体，坯体经干燥、烧结，得到均质化氮化硅基陶瓷平板材料。
一种均质化大尺寸氮化陶瓷平板制备方法

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