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[发明专利]一种具有触摸及供热功能的液晶显示器及其制造工艺-CN201310634290.0无效
发明人：王兆财;袁超艺;李超;韩喆;徐长远 -专利权人：深圳晶华显示器材有限公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有触摸及供热功能的液晶显示器及其制造工艺，包括第一玻璃片；镀于第一玻璃片两侧的第一层氧化铟锡导电薄膜和第四层氧化铟锡导电薄膜，第四层氧化铟锡导电薄膜外接第二控制模块；第二玻璃片，与第一玻璃片相对设置；分别镀于第二玻璃片两侧的第二层氧化铟锡导电薄膜和第三层氧化铟锡导电薄膜，第三层氧化铟锡导电薄膜外接第一控制模块；一液晶层，设置于第一层氧化铟锡导电薄膜和第二层氧化铟锡导电薄膜之间；第一偏光片，设置于第四层氧化铟锡导电薄膜上；第二偏光片，设置于第三层氧化铟锡导电薄膜上。
一种具有触摸供热功能液晶显示器及其制造工艺

[发明专利]一种电容式触摸屏及触摸终端-CN201110401699.9有效
发明人：杨斌 -专利权人：天马微电子股份有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G06F3/03 文献下载
摘要：其中的电容式触摸屏包括氧化铟锡导电玻璃层、氧化铟锡导电薄膜层和贴合层；氧化铟锡导电玻璃层的内表面与氧化铟锡导电薄膜层的内表面通过贴合层固定。本发明实施例提供的电容式触摸屏采用了氧化铟锡导电玻璃层与氧化铟锡导电薄膜层相结合的结构，使得产品在生产过程中无需投入真空贴合设备，可有效的降低成本。另外，由于氧化铟锡导电薄膜层本身较氧化铟锡导电玻璃层轻薄，为产品的超薄化提供了可能。
一种电容触摸屏触摸终端

[发明专利]透明导电性薄膜-CN201280006323.0有效
发明人：梨木智刚;野口知功;拝师基希;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-10-01 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：[课题]使用薄膜基材时，以以往的铟锡氧化物的3层膜的构成，铟锡氧化物不能结晶化、或结晶化非常耗费时间。[解决手段]本发明的透明导电性薄膜10具备：具有2个主面的薄膜基材11、和形成于薄膜基材11的一个主面的透明导电膜12。透明导电膜12为从薄膜基材11侧起依次层叠有第一铟锡氧化物层13、第二铟锡氧化物层14、第三铟锡氧化物层15的3层膜。第一铟锡氧化物层13的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层14的氧化锡含量少。第三铟锡氧化物层15的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层14的氧化锡含量少。
透明导电性薄膜

[发明专利]一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜-CN03141558.X无效
发明人：季振国;何振杰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-07-07 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开的p型导电的氧化锡薄膜为掺铟氧化锡薄膜，薄膜中铟/锡原子比为0.01～0.30，薄膜的晶体结构为金红石结构。本发明采用在氧化锡中掺铟，使得氧化锡薄膜成p型导电，由此可以获得氧化锡同质pn结，有利于制作基于氧化锡的宽禁带耐高温电子器件及光电器件。
一种导电氧化薄膜

[发明专利]透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜-CN201610984967.7有效
发明人：马志锋;江涛;巩燕龙;许结林;余俊佼 -专利权人：宜昌南玻显示器件有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜，该方法采用氧化铟的质量百分含量为87％～93％的氧化铟锡作为靶材，在氢气的体积百分含量为0.3％～1.5％的第一反应气体的氛围下，在衬底上磁控溅射沉积形成第一氧化铟锡薄膜然后以氧化铟的质量百分含量为93％～95％的氧化铟锡作为靶材，向腔体内通入氩气或氩氧混合气体组成的第二反应气体，在第一氧化铟锡薄膜上磁控溅射沉积形成第二氧化铟锡薄膜。进行电路蚀刻时，内层的微晶氧化铟锡层较易蚀刻，提升氧化铟锡的蚀刻速率，减少蚀刻不净不良。
蚀刻透明导电薄膜氧化铟锡薄膜氧化铟锡磁控溅射沉积反应气体氧化铟靶材制备氩氧混合气体氧化铟锡层氩气氢气衬底内层微晶电路体内

[发明专利]透明导电性薄膜-CN201310269101.4有效
发明人：梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭;梶原大辅 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
透明导电性薄膜

[发明专利]透明导电性薄膜-CN201210374585.4有效
发明人：梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭;梶原大辅 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
透明导电性薄膜

[发明专利]提升发光二极管芯片亮度的透明导电层制作方法-CN201610325663.X有效
发明人：李胤强;徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开提升发光二极管芯片亮度的透明导电层制作方法，包括：通过干法刻蚀发光二极管芯片外延层；在外延层上制作氧化铟锡薄膜导电层；在氧化铟锡薄膜导电层上蒸镀厚度为5‑10nm的镍层；对镍层进行退火处理，在氧化铟锡薄膜导电层表面上形成均匀分布的球状镍颗粒；利用球状镍颗粒为掩膜，刻蚀氧化铟锡薄膜导电层，在氧化铟锡薄膜导电层表面形成均匀的凹状矩形坑；去除球状镍颗粒；在氧化铟锡薄膜导电层上涂覆负性光刻胶，经过曝光、显影后露出电极区；采用电子束真空蒸镀法在电极区蒸镀金属电极
提升发光二极管芯片亮度透明导电制作方法

[发明专利]透明导电膜-CN201380069624.2在审
发明人：梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：提供一种结晶性优异、可实现较小的表面电阻值的透明导电膜。透明导电膜(1)具有形成在薄膜基体材料(2)的两个表面上的透明导体层(3、4)。透明导体层(3)是从薄膜基体材料(2)的表面(2a)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(5)、铟锡氧化物层(6)和铟锡氧化物层(7)而构成。透明导体层(4)是从薄膜基体材料(2)的表面(2b)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(8)、铟锡氧化物层(9)和铟锡氧化物层(10)而构成。铟锡氧化物层(6)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(5)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(7)的氧化锡含量都高。铟锡氧化物层(9)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(8)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(10)的氧化锡含量都高。
透明导电

[发明专利]一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法-CN201710292102.9在审
发明人：周培;邓广才;朱小英 -专利权人：成都川烯科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜，包括石墨烯薄膜，和铟锡氧化物半导体透明导电膜，碎裂为若干碎片的所述铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合于所述石墨烯薄膜的表面。本发明还公开了一种复合柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤在衬底上生长石墨烯薄膜；将生长好石墨烯薄膜的衬底的石墨烯面，贴在胶膜上；将衬底与石墨烯薄膜剥离开来；将石墨烯薄膜与铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合在一起，然后加压使铟锡氧化物半导体透明导电膜碎裂并附着在石墨烯薄膜的表面，完成复合柔性透明导电薄膜的制备。本发明将碎裂的铟锡氧化物半导体透明导电膜与石墨烯薄膜复合在一起，在保留石墨烯薄膜原有优点的基础上有效降低了方阻。
一种基于石墨复合柔性透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]触控感应层及触控显示装置的形成方法-CN201410323444.9有效
发明人：简廷宪;钟德镇;戴文君;潘新叶 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提出一种触控感应层的形成方法，用于形成图案化的氧化铟锡薄膜及导电薄膜，其包括在玻璃基板上形成图案化的第一光阻层；在图案化的第一光阻层上镀上导电薄膜；利用第一道剥离工序形成图案化的导电薄膜；在图案化的导电薄膜上覆盖第二光阻层，且形成图案化的第二光阻层；在图案化的第二光阻层上镀上氧化铟锡薄膜；及利用第二道剥离工序形成与图案化的导电薄膜对位的氧化铟锡薄膜。本发明的触控感应层的形成方法首先图案化光阻层，再利用剥离工序分别形成导电薄膜及氧化铟锡薄膜，形成的导电薄膜及氧化铟锡薄膜对位精准、制成简单，从而使得形成的触控感应层精准度高。
感应显示装置形成方法

[发明专利]图案化氧化铟锡薄膜的方法-CN200710086796.7无效
发明人：刘胜杰;吴子扬;潘昇良;李元榜;林耀辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明是有关于一种图案化氧化铟锡薄膜的方法，该图案化氧化铟锡薄膜的方法至少包括下列步骤：形成一覆盖层于该氧化铟锡薄膜上；以及将该氧化铟锡薄膜的复数个暴露区域暴露在一气相蚀刻剂下，其中该气相蚀刻剂至少包括水本发明包含形成覆盖层于此氧化铟锡薄膜上，以及将氧化铟锡薄膜的暴露区域暴露在水电浆下，利用水电浆来进行导电且透光的氧化铟锡薄膜的图案化。由于水电浆对氧化铟锡薄膜与上方的覆盖层和下方的介电层或基材之间具有优异的蚀刻选择比，因此经图案化后，可以获得相当优异的氧化铟锡薄膜边缘外型。再者，水电浆方法适用于包含氧化铟锡图案化的许多制程，这些制程包括但并不限于光学微机电系统的制程。
图案氧化薄膜方法

[发明专利]铟锡氧化物的透明导电层状镀层-CN02813884.8有效
发明人： H·梅马里安;H·帕特尔 -专利权人： CP菲林公司
申请日： 2002-04-18 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： B32B7/02 文献下载
摘要：包含铟锡氧化物薄膜的透明导电装置，该装置通过提供铟锡氧化物薄膜来改进，该铟锡氧化物薄膜包含渐次变化的单个铟锡氧化物层的层叠，其中层中的锡的原子百分比可以单独选择。薄膜的每个铟锡氧化物层包含1－99原子百分比的锡。每层是通过物理气相沉积过程或者通过溅射镀膜来制作的。优选的是包含多个铟锡氧化物层的薄膜被施加到透明柔性衬底上诸如聚合物板。
氧化物透明导电层状镀层

[发明专利]一种透明超材料的制备方法-CN201210316833.X在审
发明人：刘若鹏;季春霖;岳玉涛;黄新政 -专利权人：深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明超材料的制备方法，首先，在透明基板的一侧表面上沉积形成氧化铟锡导电薄膜；然后，蚀刻氧化铟锡导电薄膜以形成多个氧化铟锡微结构。根据本发明的透明超材料的制备方法，通过在透明基板的一侧表面上沉积形成氧化铟锡导电薄膜；再利用蚀刻得到多个氧化铟锡微结构，由于氧化铟锡具有电学传导与光学透明的双重特性，因此由此方法制备的超材料能够对可见光产生响应并且能够透光
一种透明材料制备方法

[实用新型]一种高效晶硅/非晶硅异质结电池结构-CN201721704101.2有效
发明人：黄金;李高非;王继磊;易治凯;王广为;白焱辉;鲍少娟;张娟 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：它包括正面金属电极和背面金属电极，正面金属电极和背面金属电极之间依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜、正面N型非晶硅薄膜和正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅基底背面本征非晶硅薄膜、背面P型非晶硅薄膜以及背面铟锡氧化物透明导电薄膜，上正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度小于下正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度，采用上述的结构后，实现了HJT电池的优化，提升了HJT电池的转换效率，不但使透过性和导电性均实现了最优化
透明导电薄膜铟锡氧化物本征非晶硅薄膜背面金属电极正面金属电极异质结电池非晶硅背面电池导电性本实用新型基底背面接触电阻依次设置转换效率电池片透光率透过性银金属最优化电极晶硅膜层种晶吸收优化

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