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[发明专利]氧化物半导体装置及其制造方法-CN201980048435.4在审
发明人：汤田洋平;绵引达郎;宫岛晋介;滝口雄贵 -专利权人：三菱电机株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外延层与p型氧化物半导体层之间配设，氧化物层的材料为与氧化镓不同的材料并且为与p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。
氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种有源层结构、制造方法以及半导体器件-CN202310492020.4在审
发明人：陆磊;李潇;张盛东;王新炜 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。
一种有源结构制造方法以及半导体器件

[发明专利]二次电池-CN201780047913.0有效
发明人：工藤拓夫;出羽晴匡;高野光;斋藤友和;殿川孝司 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明的二次电池设置有：第一电极(11)；第二电极(17)；充电层(14)，布置在第一电极(11)和第二电极(17)之间并且含有绝缘材料与第一n型氧化物半导体材料的混合物；n型氧化物半导体层(13)，布置在充电层(14)与第一电极(11)之间并且含有第二n型氧化物半导体材料；p型氧化物半导体层(16)，布置在充电层(14)与第二电极(17)之间并且含有p型氧化物半导体材料；混合物层(15)，布置在充电层(14)与p型氧化物半导体层(16)之间并且含有氧化硅与第三n型氧化物半导体材料的混合物；和导电层(12)，布置在第一电极(11)与n型氧化物半导体层(13)之间并且含有金属材料。
二次电池

[发明专利]一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘及其制备方法-CN201210197011.4有效
发明人：梁怀均;袁英 -专利权人：安阳朗都电气有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘，它包括金属氧化物半导体芯片，金属氧化物半导体芯片的两侧为电极焊盘材料共晶体层，电极焊盘材料共晶体层的外侧为电极焊盘；其中，电极焊盘材料共晶体层由金属氧化物半导体芯片材料与电极焊盘材料共同构成本发明金属氧化物半导体芯片与电极焊盘之间的共晶体层中减少了杂质，使金属氧化物半导体芯片的性能更稳定；去除了金属氧化物半导体芯片电极焊盘中的杂质、空洞和间隙，使金属氧化物半导体芯片在脉冲电流冲击下不会发生爆炸损坏，提高了金属氧化物半导体芯片的通流能力；减少了电极焊盘的加速氧化，提高了金属氧化物半导体芯片电极焊盘的可焊性。
一种金属氧化物半导体芯片电极及其制备方法

[发明专利]氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法-CN201880040851.5有效
发明人：汤田洋平;绵引达郎;古川彰彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法，在抑制异种材料向肖特基界面扩散的同时，提高被施加反向电压时的耐压。氧化物半导体装置具备：n型的氧化镓外延层(2)；p型的氧化物半导体层(5)，是与氧化镓外延层的材料不同的材料的氧化物；电介体层(7)，以覆盖氧化物半导体层的侧面的至少一部分的方式形成；阳极电极(4)；以及阴极电极(3)，在氧化物半导体层的下表面与氧化镓基板(1)之间或者氧化物半导体层(5a)的下表面与氧化镓外延层(2)之间形成异质pn结。
氧化物半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置和电子设备-CN202111419151.7在审
发明人：许镇盛;文泰欢;裵鹤烈;南胜杰;金尚昱;李光熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。
半导体器件包括半导体装置电子设备

[发明专利]具有稀土氧化物的半导体结构-CN201210401766.1有效
发明人：王敬;梁仁荣;郭磊;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种具有稀土氧化物的半导体结构，包括：半导体衬底；和形成在半导体衬底上的交替堆叠的多层绝缘氧化物层和多层单晶半导体层，其中，与半导体衬底接触的绝缘氧化物层的材料为稀土氧化物或者二氧化硅，其余的绝缘氧化物层的材料为单晶稀土氧化物根据本发明实施例的半导体结构，通过绝缘氧化物层和单晶半导体层之间的晶格匹配，可以显著降低半导体结构的晶体缺陷，从而有利于在该半导体结构上进一步形成高性能、高密度的三维半导体器件，大幅度提高器件的集成密度
具有稀土氧化物半导体结构

[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法-CN201911168601.2有效
发明人：何佳新 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，在栅极绝缘层上依次连续沉积一层结晶态金属氧化物半导体薄膜和一层非晶态金属氧化物半导体薄膜；在非晶态金属氧化物半导体薄膜上沉积形成由铜电极材料制成的源漏极金属材料层；利用半色调光罩形成光阻层，所形成的光阻层包括源/漏极光阻图形区域和有源层光阻图形区域；同时蚀刻源漏极金属材料层和非晶态金属氧化物半导体薄膜以形成源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层；对结晶态金属氧化物半导体薄膜进行蚀刻以形成结晶态金属氧化物半导体层；对光阻层进一步图案化以去除有源层光阻图形区域的光阻材料；对源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层进行蚀刻以形成源极、漏极以及沟道。
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010149895.7有效
发明人：坂田淳一郎;岸田英幸;大原宏树;佐佐木俊成;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一种方式的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；栅电极和氧化物半导体层之间的绝缘层；包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，源区及漏区使用退化的氧化物半导体材料或氧氮化物材料
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的结构及其制备方法-CN202011207288.1有效
发明人：张纪稳;阳清 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件结构及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：提供一集成电路，所述集成电路包括N型金属氧化物半导体区域和P型金属氧化物半导体区域；在所述N型金属氧化物半导体区域和所述P型金属氧化物半导体区域上形成一第一应力缓冲层；去除部分所述第一应力缓冲层，暴露所述N型金属氧化物半导体区域或所述P型金属氧化物半导体区域；在剩余的所述第一应力缓冲层表面及暴露的所述N型金属氧化物半导体区域或所述P型金属氧化物半导体区域的表面形成呈压缩应力的应力材料层或呈拉伸应力的应力材料层，本发明可减少半导体工艺步骤，节约成本的目的。
一种半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201410066332.X有效
发明人：兰林锋;彭俊彪;王磊;肖鹏 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，设置有栅极、氧化物半导体层、位于栅极和氧化物半导体层之间的绝缘层、分别电性连接于氧化物半导体层两端的源极和漏极、覆设于源极、漏极及氧化物半导体层的裸露面的保护层，保护层的材料为含吸电子基团的有机绝缘材料。制备方法是采用旋涂、打印、印刷、滴涂或浸泡方法将含吸电子基团的有机绝缘材料制备作为保护层覆设于源极、漏极及氧化物半导体层的裸露面。本发明通过含吸电子基团的有机物保护层与氧化物半导体层接触来降低氧化物半导体层表面的本征电子浓度，同时形成内建电场，实现往正向调控阈值电压，同时制备简单，便于产业化。
一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、以及液晶显示面板-CN201811352055.3有效
发明人：何佳新 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，将露出的金属氧化物半导体材料层转化为第二绝缘层，缩短氧化物半导体沟道暴露在空气中的时间，避免沟道受到外来污染和损伤，使金属氧化物半导体材料层电性信赖性更佳；金属氧化物半导体材料层用氧气或一氧化二氮将部分金属氧化物半导体材料层变为绝缘体，代替对金属氧化物半导体材料层的蚀刻，避免了现有方法中二次蚀刻造成侧蚀底切问题，并且节省了制作金属氧化物有源层的光罩工序，降低生产成本。
薄膜晶体管阵列及其制作方法以及液晶显示面板

[发明专利]降低半导体器件的透明导电氧化物层中钠浓度的方法-CN201710280566.8在审
发明人：德米特里·波普拉夫斯基 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括形成具有原子浓度大于1×1019/cm3的钠的半导体材料叠层；在半导体材料叠层上沉积透明导电氧化物层，以便钠原子从半导体材料叠层扩散到透明导电氧化物层中；以及使透明导电氧化物层的物理暴露表面与流体接触来去除透明导电氧化物层中的钠
降低半导体器件透明导电氧化物层中钠浓度方法

[发明专利]晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法-CN202110721471.1在审
发明人：蒋国璋;孙宏彰;杨子庆;赖昇志;江昱维;谢佑刚;杨丰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括沟道层的晶体管及其制造方法，沟道层包括氧化物半导体材料。该晶体管包括沟道层，该沟道层包括具有第一氧浓度的第一氧化物半导体层、具有第二氧浓度的第二氧化物半导体层和具有第三氧浓度的第三氧化物半导体层。第二氧化物半导体层位于第一半导体氧化物层和第三氧化物半导体层之间。第二氧浓度低于第一氧浓度和第三氧浓度。本发明的实施例还涉及形成氧化物半导体晶体管的方法。
晶体管形成氧化物半导体方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法-CN201110009601.5无效
发明人：陈信学;林武雄;陈勃学 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括一基板、一栅极电极、一源极电极与一漏极电极、一栅极介电层、一图案化氧化物半导体层、以及一图案化含氢材料层。图案化氧化物半导体层至少部分覆盖源极电极的上表面与侧表面以及至少部分覆盖漏极电极的上表面与侧表面。图案化含氢材料层设置于图案化氧化物半导体层上，且被图案化含氢材料层所覆盖的图案化氧化物半导体层的电阻率小于未被图案化含氢材料层所覆盖的图案化氧化物半导体层的电阻率。本发明可达到降低氧化物半导体层与源极电极/漏极电极之间的接触阻抗以提升其电子迁移率的目的。
氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

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