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[发明专利]一种桂利嗪氮氧化物杂质及其制备方法和应用-CN202211613655.7在审
发明人：刘荷英;刘贞;陈希;郑洋滨;林凯鹏;程奇珍;钟振华;刘宁;夏红英;裴昆;郑双双 -专利权人：江西省药品检验检测研究院
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C07D295/24 文献下载
摘要：本发明属于药物杂质测定技术领域，具体涉及一种桂利嗪氮氧化物杂质及其制备方法和应用，该桂利嗪氮氧化物杂质为1‑二苯甲基‑4‑氧‑(3‑苯基‑2‑丙烯基)哌嗪。本发明首次成功确证了桂利嗪中的氮氧化物杂质的结构，并利用简便、经济的方法制备得到了该杂质纯品，得到的桂利嗪氮氧化物杂质用HPLC检测纯度高，可用作桂利嗪杂质1‑二苯甲基‑4‑氧‑(3‑苯基‑2‑丙烯基)
一种桂利嗪氮氧化物杂质及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化石墨烯的纯化方法-CN201811492605.1有效
发明人：李星;刘长虹;蔡雨婷;漆长席;蒋虎南 -专利权人：四川聚创石墨烯科技有限公司;大英聚能科技发展有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C01B32/198 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化石墨烯的纯化方法。所述纯化方法可包括以下步骤：将纯化对象、络合剂与酸性溶液混合，形成混合液，其中，所述纯化对象包括官能团上结合有杂质离子的氧化石墨烯或者氧化插层法制得的氧化石墨烯浆料；对所述混合液进行超声震荡，以使纯化对象所结合的杂质离子脱除并与络合剂稳定结合；过滤，分别得到纯化后的氧化石墨烯和包含有与络合剂稳定结合的杂质离子的溶液。本发明的有益效果包括：能有效分离氧化石墨烯和杂质离子，避免杂质离子与氧化石墨烯的反复结合；纯化效率高、成本低。
一种氧化石墨纯化方法

[发明专利]二氧化碳的纯化-CN201410573730.0有效
发明人： P.希金博萨姆;G.H.古维利奧格卢;J.E.帕拉马拉;V.怀特 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C01B32/50 文献下载
摘要：一种用于从包含显著量的“轻质”杂质例如非可冷凝的气体的粗品二氧化碳分离“重质”杂质例如硫化氢的方法中，包括至少一个热泵循环，使用来自“重质”杂质分离的流体作为工作流体，从在“重质”杂质分离中产生的二氧化碳‑富集的气体中除去“轻质”杂质。通过与也在“重质”杂质分离中产生的中间液体间接热交换，将二氧化碳‑富集的气体或由其产生的压缩的二氧化碳‑富集的气体至少部分冷凝。与其中从二氧化碳产物气体除去“轻质”杂质的常规方法相比，总能耗和比能耗降低。
二氧化碳纯化

[发明专利]氟化氢的提纯方法-CN91101222.2无效
发明人：弗朗西斯科·J·弗莱雷;约恩·L·豪厄尔;凯·L·莫茨;克雷格·T·巴克;威廉·C·齐根海因;艾琳·G·爱德华斯 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 1991-03-02 - 公布日： 1991-09-18 - 主分类号： C01B7/19 文献下载
摘要：一种使杂质电解氧化以制备可氧化杂质含量低的高纯无水氟化氢(HF)的方法，具体地说是，无水氟化氢中的三价砷杂质被氧化为不挥发的五价砷化合物。将所得到的混合物蒸馏以回收杂质砷含量低的高纯无水氟化氢。
氟化氢提纯方法

[发明专利]一种降低高压互连影响的横向高压器件-CN202010358929.7有效
发明人：周锌;师锐鑫;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高压互连影响的横向高压器件，包括第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质外延层、第一型掺杂杂质漂移区、绝缘埋层、第二型掺杂杂质衬底、源电极、栅电极、漏电极、栅氧化层、硅局部氧化隔离氧化层，器件高压互连区的漂移区设置为线性变掺杂，降低高压互连线对器件表面电场的影响，提高器件击穿电压。
一种降低高压互连影响横向器件

[发明专利]一种硫辛酸氧化杂质的制备方法-CN201710202485.6有效
发明人：李宗涛;张涛;刘文坤;郑亮;张莉;翟民;康乐;杨学谦;任继波 -专利权人：山东齐都药业有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C07D339/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学制备硫辛酸氧化杂质的方法，属于医药合成技术领域。所述的硫辛酸氧化杂质其结构式如下：所述的硫辛酸氧化杂质化合物的制备方法包括以下步骤：首先用硫辛酸在有机溶剂中与醇类在缩合剂的作用下成酯；然后将硫辛酸的醇酯化合物溶于有机溶剂中，在氧化剂的作用下生成四个硫辛酸醇酯的氧化产物，根据化合物的Rf值的差异进行柱层析纯化，得到四个中间体化合物；最后将四个中间体化合物分别在碱性水溶液中水解得到四个硫辛酸氧化杂质化合物I、II、III、IV。本发明提供的硫辛酸氧化杂质化合物的合成制备方法能获得单个氧化杂质，且简单易行，易于实施。
一种辛酸氧化杂质制备方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法-CN201380055289.0在审
发明人：日吉透;斋藤雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：提供了一种碳化硅衬底(10)，包括第一杂质区(17)、阱区(13)、以及通过阱区(13)与第一杂质区(17)分离的第二杂质区(14)。二氧化硅层(15)被形成为与第一杂质区(17)和阱区(14)接触。栅电极(27)被形成在二氧化硅层(15)上。含硅材料(22)被形成在第一杂质区(17)上。含硅材料(22)被氧化。二氧化硅层(15)包括第一杂质区(17)上的第一二氧化硅区(15a)和阱区(13)上的第二二氧化硅区(15b)。第一二氧化硅区(15a)的厚度大于第二二氧化硅区(15b)的厚度(T2)。
碳化硅半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅栅表面杂质去除方法-CN201811087190.X在审
发明人：付红 -专利权人：付红
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明及多晶硅栅制作技术领域，特别涉及一种多晶硅栅表面杂质去除方法，包括浓3PO3湿法刻蚀过程和SCl湿法清洗表面杂质的过程本发明清洗液中含有H2O2，属于一种强氧化剂，能氧化硅片表面及杂质颗粒，而杂质粒颗的氧化层提供消散机制，分裂并溶解杂质颗粒，破坏杂质颗粒和硅片表面之间的附着力，使杂质颗粒变成可溶于SCl清洗液而脱离表面，同时在这一过程中H2O2氧化效应也在硅片表面形成一个保护层，阻止杂质颗粒重新黏附在硅片表面。
一种多晶表面杂质去除方法

[发明专利]一种多晶硅栅的表面刻蚀方法-CN201811092544.X在审
发明人：付红 -专利权人：付红
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明及多晶硅栅制作技术领域，特别涉及一种多晶硅栅表面杂质去除方法，包括浓3PO3湿法刻蚀过程和SCl湿法清洗表面杂质的过程本发明清洗液中含有H2O2，属于一种强氧化剂，能氧化硅片表面及杂质颗粒，而杂质粒颗的氧化层提供消散机制，分裂并溶解杂质颗粒，破坏杂质颗粒和硅片表面之间的附着力，使杂质颗粒变成可溶于SCl清洗液而脱离表面，同时在这一过程中H2O2氧化效应也在硅片表面形成一个保护层，阻止杂质颗粒重新黏附在硅片表面。
一种多晶表面刻蚀方法

[发明专利]降低硅片金属杂质的方法-CN202110690063.4在审
发明人：周星星;郑刚;张召 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种降低硅片金属杂质的方法。所述方法在进行器件制造工艺之前进行，所述降低硅片金属杂质的方法包括以下步骤：提供硅片本体；通过热退火工艺使得所述硅片本体的表层被氧化形成氧化层，所述氧化层和剩余硅片本体形成分界层，所述硅片本体中的金属杂质向所述分界层富集；去除包括所述分界层在内的所述氧化层，降低剩余硅片本体中包含的金属杂质，能够在硅片进行金属元素测试之前，降低硅片金属杂质。
降低硅片金属杂质方法

[发明专利]净化液体介质的方法-CN03826241.X有效
发明人： V·M·别列祖特斯基 -专利权人： IQ先进技术有限公司
申请日： 2003-08-07 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： C10G25/00 文献下载
摘要：净化液体介质的方法，包括用吸附剂吸附所述液体介质中所含的杂质、分离和除去被吸附的杂质和吸附剂的再生，其中使用浸渍了催化剂颗粒的吸附剂、通过混合液体介质与氧化剂来氧化所述杂质，吸附杂质的氧化物用颗粒催化剂浸渍的吸附来吸附，然后通过用极性溶剂洗涤浸渍催化剂颗粒的吸附剂来分离和除去所述杂质的氧化物，以及通过直接加热和/或热气体吹洗来再生所述吸附剂。
净化液体介质方法

[发明专利]一种色谱纯丙酮的纯化方法-CN201911037738.4有效
发明人：刘岩;宋金链 -专利权人：天津康科德医药化工有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C07C45/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种色谱纯丙酮的纯化方法，方法步骤包括：(1)利用改性的沸石分子筛吸附过滤除去丙酮原料中的二异丙苯等不饱和烃类杂质；(2)利用改性的石墨烯材料材料吸附除去丙酮原料中的苯酚等酸性杂质；(3)通过IBX氧化剂，将丙酮中的异丙醇及其他醇类杂质氧化成酮类；(4)通过壳聚糖水凝胶复合吸附剂吸附脱除丙酮中的痕量金属离子杂质；之后进行干燥、精馏、过滤，充氮灌装。本发明利用壳聚糖水凝胶作为痕量金属吸附剂，采用IBX氧化剂，通过加入适量的过氧化氢作为氧化剂，利用氧化剂优先将丙烯醛氧化的特性，将其氧化成丙烯酸，再通过精馏过程即可脱除丙烯醛杂质，得到纯度≥99.9％的色谱丙酮产品
一种色谱丙酮纯化方法

[发明专利]一种电池级氢氧化锂的制备提纯装置-CN202210423955.2在审
发明人：南东东;曾小毛;张明;吴进方;王家前;苏捷;袁清文;樊磊;张国强;吴从林 -专利权人：江西金辉锂业有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C01D15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池级氢氧化锂的制备提纯装置，属于电池级氢氧化锂制备提纯领域，本方案可以实现在电池级氢氧化锂制备提纯过程中，通过从进料管加注电池级氢氧化锂，随后向料液管出加注去离子水，快速的过滤除去电池级氢氧化锂中的不溶物，并且在提纯机构的作用下使去离子水能够充分的与电池级氢氧化锂相互交融，使得杂质过滤除去的更加彻底，而后电池级氢氧化锂与提纯机构之间摩擦，产生一定的温度，致使过滤杂质后的电池级氢氧化锂和杂质一起掉落至筛分机构内部，对杂质和过滤后的电池级氢氧化锂进行筛分处理，大大避免了因电池级氢氧化锂制备后仍具有微量或少量的杂质，以致于夹带到产品中从而引发产品杂质含量超标的问题。
一种电池氢氧化锂制备提纯装置

[发明专利]一种测定离子液体纯度的方法-CN201010120849.4无效
发明人：张香平;姚宏玮;刘帆;李源;李小华;张锁江 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2010-03-09 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：一种定性、定量分析离子液体杂质的方法，该方法是利用电化学工作站，对离子液体进行扫描，根据各种杂质的氧化还原电位，判断待测离子液体中杂质组成，利用杂质的氧化或还原电流与杂质的浓度的关联式，确定杂质离子液体中杂质含量测定的灵敏度可达1×10-4g(杂质)/g(离子液体)。
一种测定离子液体纯度方法

[发明专利]一种氯化工过程副产氯化钠盐中有机物杂质脱除装置-CN201910240111.2有效
发明人：姜海超;刘小熙;胡永琪;刘莉;申银山;张向京;赵风云;刘玉敏;程丽华 -专利权人：河北科技大学;河北诚信集团有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01D3/14 文献下载
摘要：本发明属于化工设备技术领域，涉及一种氯化工过程副产氯化钠盐中有机物杂质脱除装置，它包括依次相连的高温氧化反应器、溶解釜A、溶解釜B、液相深度氧化塔、液固过滤器、固渣槽、精细过滤器，首先通过多层流化床式高温氧化反应器对副产氯化钠盐中绝大部分有机物杂质进行高温氧化，然后在液相深度氧化塔内对残余的微量有机物杂质进行深度氧化，再通过纳滤膜分离器进一步除去其中的大分子有机物杂质质，以满足离子膜烧碱工业装置对氯化钠原料中有机物杂质的要求，本发明提供的装置具有操作弹性大，有机物杂质处理效率高等特点。
一种氯化过程钠盐有机物杂质脱除装置