专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]改良西门子法联产制备高纯硅烷的方法-CN201310060283.4有效
  • 黄国强;王国锋;王红星;陈锦溢 - 天津大学
  • 2013-02-26 - 2013-05-22 - C01B33/107
  • 本发明涉及一种改良西门子法联产制备高纯硅烷的方法。改良西门子法联产制备高纯硅烷的方法,将改良西门子法制备多晶硅提纯歧化工序生成的高纯三氯硅,一部分继续原来路线进入还原工序沉积得到多晶硅;一部分进入硅烷制备工序,得到高纯硅烷产品和副产四氯化硅。本发明的改良西门子法联产制备高纯硅烷的工艺具有如下优势:以高纯三氯硅为原料制备硅烷,显著提高硅烷纯度;优化产品结构,降低生产和投资风险;高纯硅烷可用于制备区熔级多晶硅,降低成本,提高质量;形成闭路循环
  • 改良西门子联产制备高纯硅烷方法
  • [发明专利]一种LED灯-CN201310730330.1无效
  • 童华东 - 东莞市广海大橡塑科技有限公司
  • 2013-12-26 - 2014-04-30 - C08L63/00
  • 所述LED灯,包括灯头、灯座、灯罩及发光二极管,所述发光二极管的封装材料包括如下组分:树脂、填充材、硅烷的衍生物及硅加成催化剂,硅烷的衍生物分子量在200以下,所述树脂所占重量比例在60%~80%,硅烷的衍生物比例在所述硅加成催化剂为氯铂酸。所述无机填充材为碳酸镁或碳酸钙。所述带有SiH基团的化合物为甲基硅烷、乙基硅烷、甲氧基硅烷、三丙基硅烷或苯基硅烷
  • 一种led
  • [发明专利]一种高效提纯尾气氯硅烷的方法-CN202211439452.0在审
  • 何敬敬;牛强;赵长森 - 内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
  • 2022-11-17 - 2023-06-13 - C01B33/107
  • 本发明提供了一种高效提纯尾气氯硅烷的方法,具体涉及多晶硅工业技术领域,包括步骤:将还原尾气中的氯硅烷物料经过精馏之后得到的三氯硅通入一种针对性去除硼、磷杂质集成一体化的装置中进行提纯,提纯后的三氯硅先经过杂质评价装置进行检验,检验合格之后得到高纯的三氯硅;本发明还提供一种提纯三氯硅烷的集成一体化的装置。本发明的技术方案,能安全、高效、针对性的进行去除三氯硅中的杂质,极大的增强了吸附剂对三氯硅进行杂质提纯的效果,简化了反复提纯工艺流程,有效减少去除杂质所需的能耗。本发明的方法和装置可应用于三氯硅的高效提纯中。
  • 一种高效提纯尾气硅烷方法
  • [发明专利]分子膜的制备方法和制备装置-CN97126413.9有效
  • 大竹忠;美浓规央;中川彻;曾我真守;小川一文;野村幸生;武部安男 - 松下电器产业株式会社
  • 1997-11-08 - 2003-04-02 - C09D4/00
  • 采用由至少一种硅烷系化合物和溶剂构成的溶液与基材通过硅烷系化合物形成硅氧烷键在基材上形成膜厚度为0.1纳米-1微米的分子膜。在表面上有活性的基材(2)的表面上涂覆含有例如氯硅烷系化合物的涂覆溶液,在基材表面的活性和上述硅烷系化合物的氯之间发生脱除氯化氢的反应,在基材表面上制备共价键硅烷系化合物的分子膜的方法,在保持低水蒸气浓度的气氛状态下的展开槽(11)内,送入上述基材,使用转印装置(6,7),在上述基材表面上涂覆含有硅烷系化合物和溶剂的涂覆溶液,在上述基材表面的活性和上述硅烷系化合物的氯之间进行脱除氯化氢的反应,之后在展开槽内或在外除去上述涂覆之后未反应的涂覆溶液
  • 分子制备方法装置
  • [发明专利]三氯硅合成工艺及系统-CN201510120467.4有效
  • 齐林喜;赵亮 - 内蒙古盾安光伏科技有限公司
  • 2015-03-19 - 2018-08-07 - C01B33/107
  • 一种三氯硅合成系统,包括合成炉、为合成炉供应与合成炉内外加硅粉反应HCL的HCL储罐、用于冷凝合成炉尾气的第一冷凝器、接收来自第一冷凝器冷凝后氯硅烷液体的冷凝料储罐、接收来自于冷凝器的不凝气的缓冲罐,分离提纯来自于冷凝料储罐的氯硅烷的分离提纯装置、氯硅烷储罐、汽化器、混合加热器、流化床反应器、第二冷凝器。本发明还提供了采用该三氯硅合成系统的三氯硅合成工艺。本发明将传统三氯硅合成过程中的副产品二氯二硅继续回床,减少物料损耗,降低尾气处理系统安全隐患。降低系统二氯二硅循环总量增长速度,同时也提高三氯硅转化率。
  • 三氯氢硅合成工艺系统
  • [发明专利]连续法制备二甲基硅烷的工艺-CN202110960957.0有效
  • 毕绍新;张业成;罗志坚;辛贞;高猛;刘洪强;姜永虎;王二强 - 唐山偶联硅业有限公司
  • 2021-08-20 - 2023-09-12 - C07F7/12
  • 本发明涉及甲基氯硅烷单体生产技术领域,具体涉及一种连续法二甲基硅烷的制备方法。将三甲基氯硅烷、一甲基二氯硅烷按比例连续泵入加有复合催化剂和溶剂的歧化反应器,控制反应温度120‑160℃,反应压力0.3‑0.8MPa;歧化反应产生的气相混合物由歧化反应器顶部进入洗涤塔中下部;洗涤塔顶的低沸点混合物进入塔顶冷凝器,冷凝液经回流罐,调节流量后回流到洗涤塔顶;洗涤塔中部侧向采出物料进入粗单体中间罐,经后续单体精馏塔分离出三甲基氯硅烷、一甲基二氯硅烷调整配比后返回歧化反应器,洗涤塔底的高沸点混合物返回歧化反应器,继续参与反应
  • 连续法制甲基硅烷工艺

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