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[实用新型]柱形锂离子电池-CN201520097410.2有效
发明人：李海博 -专利权人：李海博
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01M6/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，特指一种柱形锂离子电池；本实用新型包括直筒式壳体、正胶套、负胶套、电芯，直筒式壳体两端开口，电芯位于直筒式壳体内，且电芯上下两端分别具有正留白、负留白而形成电芯的正极、负极，正胶套、负胶套垂直挤压电芯，正胶套的内底部具有与电芯的正留白接触的正触片，且正触片穿出正胶套外端，负胶套的内底部具有与电芯的负留白接触的负触片，且负触片穿出负胶套外端；本实用新型利用正胶套、负胶套的挤压使正触片
锂离子电池

[发明专利]使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法-CN202010372353.X在审
发明人：王勇;谢自力;潘巍巍;黄愉;彭伟 -专利权人：南京南大光电工程研究院有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用正胶做掩膜进行的金属薄膜剥离的方法。在基片上涂胶、前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光、镀金属、剥离，剥离是：在基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除。最后将基片置于有机溶剂中，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。本发明采用传统正胶，在光刻机中使用正胶正常曝光的能量和曝光时间进行整面泛曝光，再进行镀膜。正胶经过泛曝光之后，光刻胶交联被改变，粘附性降低，分子间发生断链反应，使胶的表面出现针孔，从而使得金属薄膜与正胶的表面黏附性变差，用蓝膜可以直接撕掉底部有胶的金属层，克服了正胶显影后角度为直角或者接近直角金属不易抬离的缺点
使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离方法

[实用新型]母头连接器结构-CN201120030890.2无效
发明人：吴志颜 -专利权人：深圳市高科五金有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01R13/42 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种母头连接器结构，由胶芯、插入所述胶芯内的若干端子及紧扣所述胶芯一端的壳体组成，所述胶芯的正、背面分别设有容置所述壳体的嵌合槽，所述嵌合槽的深度与所述壳体的壁厚相匹配，组装至所述胶芯上的所述壳体的正、背面与露在所述壳体外部的所述胶芯的正、背面分别对应平齐。本实用新型实施例通过在所述胶芯的正、背面分别设置嵌合槽和卡扣，在所述壳体正、背面分别设置扣位的方案，使组装好的母头连接器的壳体的正、背面与露在所述壳体外部的所述胶芯的正、背面分别对应平齐，吻合了电子产品朝向扁薄型态发展的趋势
连接器结构

[发明专利]一种PAD加厚层双层正胶光刻方法-CN202210716724.0在审
发明人：王浩旭 -专利权人：王浩旭
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，固定基板；在基板的上表面均匀涂抹第一层正性光刻胶；在第一层正胶光刻胶的上方设置透明石英掩模，并对透明石英掩模进行曝光，对第一层正胶光刻胶进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模；在第一层正胶光刻胶的顶部均匀涂抹第二层正性光刻胶；在第二层正胶光刻胶的上方设置使用图形石英掩模，并进行曝光，曝光完成后，取下图形石英掩模，得到双层正胶的基板，对基板进行显影，此时PAD图形已转移到基板上；再对基板进行金属镀膜，本方法，工艺稳定，可以代替负胶功能，弥补负胶厚度不足因素，剥离后加厚层侧壁毛边少，去胶溶剂易进入光刻胶的底部，更利于光刻胶剥离。
一种 pad 加厚双层光刻方法

[实用新型]高效摩擦正胶-CN201220284707.6有效
发明人：靳鲁芳;边筱媛 -专利权人：靳鲁芳;边筱媛
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： A63B59/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种乒乓球拍的术高效摩擦正胶。它在胶皮上朝外的胶柱端部制成半球冠形状。胶皮上朝外的胶柱内制槽孔。胶皮上朝外的胶柱外径制槽。胶皮上朝外的胶柱内制带筋板孔。胶皮上朝外的胶柱根部外制的环角筋。胶皮上朝外的胶柱外径外制圆弧环筋。胶皮上朝外的胶柱端部在同一水平面。以上技术方案的实施可在背景技术的基础上，作相应设计、工艺的技术进步即可得之。为中国传统正胶打法提供高效摩擦正胶。
高效摩擦

[发明专利]用正装芯片成型CSP LED的方法和成型倒装芯片的方法及CSP LED-CN201511013221.3有效
发明人：熊毅;李坤锥;郭生树;张强;王跃飞 -专利权人：鸿利智汇集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种用正装芯片成型CSP LED的方法和成型倒装芯片的方法及CSP LED。芯片级封装LED包括正装芯片，在正装芯片的侧面和顶面封装有封装胶；正装芯片包括正装芯片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在正装芯片本体的下方设有白胶层。用正装芯片成型CSP LED的方法包括：让封装胶包裹在多个正装芯片上；提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；固定半成品；在正装芯片涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；曝光；显影；蒸镀；清洗；切割；分离。本发明能将正装芯片作为倒装芯片使用，方便组装，提高了电连接的可靠性，有效的防止锡膏上爬，防止出现短路的现象。
用正装芯片成型 csp led 方法倒装

[发明专利]一种高性能GaAs激光电池的制作方法-CN201710369370.6有效
发明人：宋婷;宋娉;谢永桂 -专利权人：西安航谷微波光电科技有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能GaAs激光电池的制作方法，包括在半绝缘GaAs基板上生长化合物半导体GaAs材料；制作P型电极，正胶光刻，显影烘烤；等离子清洗，Ti/Pt/Au溅射；浸泡超声剥离，退火；正胶光刻，显影、烘烤；N型槽腐蚀至N型吸收层上表面；采用同等条件N型电极进行AuGeNi合金和Au溅射；丙酮浸泡和超声正胶剥离，快速退火；制作隔离槽，正胶光刻，显影、烘烤；隔离槽腐蚀至GaAs外延片半绝缘衬底层上表面，去胶；正胶高浓度层光刻，显影、烘烤；高浓度层腐蚀至完毕；SiO2减反膜淀积；丙酮浸泡和超声正胶剥离；Au溅射；正胶光刻，显影、烘烤、腐蚀；化学抛光、减薄、划片，即完成GaAs激光电池的制作。
一种性能 gaas 激光电池制作方法

[发明专利]一种使用正型光刻胶的金属剥离方法-CN202311065455.7在审
发明人：徐浩;边旭明;董鹏;廖梦雅;杨云畅 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用正型光刻胶的金属剥离方法，所述方法包括：在衬底上涂布正型光刻胶；以掩膜版与正型光刻胶相接触的方式，对光刻胶进行曝光，在光刻胶与掩模版接触的表面部分形成倒勾形区域；对光刻胶进行预烤并显影，形成上方为正梯形的光刻胶开口；在光刻胶上和光刻胶开口中蒸镀金属；剥离光刻胶，留下光刻胶开口中的金属，得到金属图形。
一种使用光刻金属剥离方法

[实用新型]LCM三合一点胶固化机-CN202122236932.4有效
发明人：冯庆雄;王志峰;杨大鹏;何亚东 -专利权人：厦门普诚科技有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三合一点胶固化机，包括接料模块、点背胶模块、涂银胶模块、点正胶模块、硅胶固化模块及下料模块；所述接料模块、点背胶模块、涂银胶模块、点正胶模块、硅胶固化模块及下料模块依次设置；应用本技术方案可实现点背胶、涂银胶及点正胶三合一功能。
lcm 三合一点固化

[发明专利]一种实现光刻胶微结构的方法-CN201410456863.X有效
发明人：张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现光刻胶微结构的方法，该方法包括在衬底表面制备网状负胶微结构；将该网状负胶微结构从衬底上剥离并平铺在固体正胶衬底上，此固体正胶衬底放置于导电基底上；通过热压的方法，将该网状负胶微结构嵌入该固体正胶衬底表层，同时将该固体正胶衬底粘附在导电基底上；对上述表层已嵌入网状负胶微结构并已粘附在导电基底上的固体正胶衬底，在预设的掩模板下进行曝光、显影，得到光刻胶微结构。利用本发明，通过在正性光刻胶衬底表面热压一层网状负胶微结构，使得其经过曝光、显影后，得到的光刻胶微结构中各个易倾斜、倒塌的局部被表面的网状负胶微结构相连，成为一个整体，进而有效地防止了各个局部的倾斜、倒塌
一种实现光刻微结构方法

[实用新型]一种新型电源线-CN201720015785.9有效
发明人：李大才 -专利权人：李大才
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01R4/70 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型电源线，它包括正／负极导线、端子和电容，正／负极导线内层为导电金属层而外层为绝缘胶层，端子分别套装在正／负极导线的两端，正／负极导线中部绝缘胶层剥开处的导电金属层分别直接焊接电容的正／负极引脚，电容的正／负极引脚从正／负极导线中部剥开的绝缘胶层处直接焊接导电金属层，从而实现把电容稳固的并联到正／负极导线，装配省时快捷，电源传输稳定可有效滤波，生产成本低，满足实际使用需要，另外，端子分为夹胶部、夹金属部和连接部，端子不易从正／负极导线中脱落，可稳固的插装于电源。
一种新型电源线

[发明专利]中低品位混合型难选胶磷矿正浮分支浮选方法-CN201410336785.X在审
发明人：方世祥;杨稳权;何海涛;李海滨;彭桦;张华 -专利权人：云南磷化集团有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： B03D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了中低品位混合型难选胶磷矿正浮分支浮选方法。具体工艺为：（1）混合型胶磷矿经破碎、磨矿至单体解离;（2）在矿浆中分别添加碳酸钠、水玻璃等正浮选调整剂和脂肪酸阴离子捕收剂调浆矿化，充气进行正浮粗选、正浮精选和正浮扫选作业，其中正浮粗选尾矿与正浮精选尾矿合并进行正浮扫选作业;（3）当混合型胶磷矿为钙硅质型时正浮扫选精矿返回正浮粗选作业形成闭路作业;当混合型胶磷矿为硅钙质型时正浮扫选精矿直接作为精矿与精选精矿混合进行反浮选作业。本发明简化浮选工艺流程，操作简单，大大提高精矿产率和回收率，是一种对中低品位难选混合型胶磷矿高效脱杂、简单易行、适宜推广使用的浮选方法。
品位混合型难选胶磷矿分支浮选方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202010047702.0有效
发明人：李天慧;于星;王科;秦俊峰;王凡 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，形成自下而上依次包括感光材料层及正显影光刻胶层的双层光刻胶层于衬底上；进行曝光；进行显影，得到开口；形成正显影光刻胶微缩材料层；进行加热处理，使正显影光刻胶微缩材料层与正显影光刻胶层的交界面处发生融合，得到交联层，交联层位于正显影光刻胶层侧壁的部分突出于感光材料层的侧壁；去除正显影光刻胶微缩材料层以再次显露开口，开口的顶部宽度小于底部宽度。本发明通过双层光刻胶层及微缩工艺得到顶部宽度小于底部宽度的开口，可以用于光刻胶剥离工艺。本发明可方便控制开口上部的微缩程度，具有很高的灵活性，同时工艺难度不高，有利于提高生产效率并降低生产成本。
一种半导体结构及其制作方法

[实用新型]一种新型直握反打乒乓球拍-CN201320542666.0有效
发明人：宋卫群 -专利权人：宋卫群
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： A63B59/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型直握反打乒乓球拍，包括正胶、底板、海绵和反胶，所述底板上面前端设置正胶，后端设置有正握手；所述底板反面前端设置有海绵和反胶，后端设置有反握手；所述正握手和反握手设置成羊角形结构；所述正握手和反握手采用枣木材料。
一种新型直握反打乒乓球拍

[发明专利]干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺-CN202310056716.2在审
发明人：陈银培;刘耀菊;宁珈祺;吴超;杨巨椽 -专利权人：杭州美迪凯微电子有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其工艺步骤为：S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏底层胶达到设定的目标厚度；S2、在非光敏底层胶上层再涂覆一层光刻胶，光刻胶的厚度大于非光敏底层胶；S3、两层胶涂覆完毕后采用曝光显影坚膜的方式把上层的光刻胶做成具有正梯形或者倒梯形槽口的胶形，并裸露出需要去除的非光敏底层胶；S4、采用干法刻蚀的工艺对上层的光刻胶胶和裸露出来的非光敏底层胶一起进行干刻；S5、干刻后，通过去胶液将非光敏底层胶上层残留的光刻胶去除，最终得到正梯形或者倒梯形胶形的产品，完成干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺。本发明实现了胶形为正梯形或者倒梯形且斜面角度小于等于45°的图形化加工。
刻蚀制作梯形工艺

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