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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种电梯层门闭合开关快速检测装置-CN202320907744.6有效
发明人：蔡燕;陈寅生;王烈高;郭峰;胡海波;牛长建 -专利权人：黄山市特种设备监督检验中心
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B66B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电梯层门闭合开关快速检测装置，包括绝缘壳体，置于绝缘壳体内的PCB板，所述PCB板的前端设置有两个分别与层开打开时锁紧开关上两触点搭接的搭接触片，所述PCB板上设置触片导通显示电路，所述触片导通显示电路包括限流电阻，与限流电阻串联的正向导通电路和反向导通电路，所述正向导通电路包括正向导通二极管，与正向导通二极管串联设置的正向导通指示灯；所述反向导通电路包括反向导通二极管，与反向导通二极管串联设置的反向导通指示灯。
一种电梯闭合开关快速检测装置

[发明专利]半导体功率器件-CN201210262720.6无效
发明人：黄勤 -专利权人：无锡维赛半导体有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：通过巧妙地结合传统IGBT和VDMOS，形成具有共用部分的由基本的横向IGBT和基本的VDMOS组成的新型半导体功率器件；调整重掺杂第二导电类型区的掺杂浓度或采用寿命控制的方法，以降低基本的横向IGBT产生的第一正向导通电流的大小，同时增加了基本的VDMOS产生的第二正向导通电流的大小，并使所述的第一正向导通电流小于第二正向导通电流，使本发明相较于传统的IGBT和VDMOS而言，在保证器件导通电阻及导通功率损耗降低的同时提高器件的开关速度；通过改进漂移区的结构消除正向导通的负阻区，完善本法明的性能。
半导体功率器件

[发明专利]一种电荷补偿半导体装置及其制备方法-CN201210146112.9无效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-05-01 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷补偿半导体装置，通过在窄禁带半导体材料中引入宽禁带半导体材料，并与之形成电荷补偿结构，降低器件的正向导通电阻，提高器件大电流密度下正向导通能力，改善器件的正向导通特性；本发明还提供一种电荷补偿半导体装置的制备方法
一种电荷补偿半导体装置及其制备方法

[发明专利]降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法-CN202110964535.0在审
发明人：朱伟东;赵泊然;王晓荣 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供提供了一种降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有轻掺杂第一导电类型外延层；在轻掺杂第一导电类型外延层内顶部设有第二导电类型重掺杂区本发明还提供了降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管的制造方法，有效降低了转向二极管的正向导通电压和导通电阻。
降低向导通电转向二极管结构制造方法

[发明专利]半导体功率器件-CN201210262785.0无效
发明人：黄勤 -专利权人：无锡维赛半导体有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：通过巧妙地结合传统IGBT和VDMOS，形成具有共用部分的由基本的纵向IGBT和基本的横向DMOS组成的新型半导体功率器件；调整重掺杂第二导电类型区的掺杂浓度或采用寿命控制的方法，以降低基本的纵向IGBT产生的第一正向导通电流的大小，同时增加了基本的横向DMOS产生的第二正向导通电流的大小，甚至使所述第一正向导通电流小于第二正向导通电流，使本发明相较于现有技术中的IGBT和VDMOS而言，在保证器件的导通电阻及导通功率损耗降低的同时提高器件的开关速度
半导体功率器件

[实用新型]一种玩具马达用的可实现快速切换正反转的放大电路-CN201820250333.3有效
发明人：余煌;刘勇刚 -专利权人：奇士达智能科技股份有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H02P7/03 文献下载
摘要：一种玩具马达用的可实现快速切换正反转的放大电路，包括两组切换器，每组切换器包括一个正向导通电路及一个负向导通电路，正向导通电路及负向导通电路均连接到一MOS管的栅极，正向导通电路MOS管的源级连接第一外部电源，正向导通电路MOS管的漏极连接负向导通电路的MOS管的源极接玩具马达的其中一个控制端，所述两个负向导通电路的MOS管的漏极接地，两组切换器分别连接在玩具马达的两个控制端，本实用新型的玩具马达用的可实现快速切换正反转的放大电路采用四个信号控制口的配合两组正向导通电路和负向导通线路的结构
通电路马达玩具放大电路快速切换正反转两组控制端切换器漏极本实用新型外部电源信号控制接地组切换方波源极源级电量残留输出配合

[发明专利]一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法-CN201210144430.1有效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-04-29 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，通过电荷补偿结构，改变漂移区的电场强度分布，形成平坦的电场强度分布曲线；从而可以提高漂移区的杂质的掺杂浓度，极大的降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性
一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种界面电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210151835.8在审
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-05-06 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种界面电荷补偿肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，界面电荷补偿区与漂移层半导体材料产生电荷补偿，使得在界面电荷补偿区之间的耗尽层交叠，从而提高器件的反向击穿电压，或者降低器件的正向导通电阻改善器件的正向导通特性
一种界面电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种具有无源金属肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210149039.0有效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有无源金属肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，漂移区的耗尽层在整个无源金属区界面扩展，并且在无源金属区间发生交叠，从而提高器件的反向击穿电压，降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性
一种具有无源金属肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210144436.9有效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-04-29 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，通过电荷补偿结构，改变漂移区的电场强度分布，形成平坦的电场强度分布曲线；通过沟槽结构，降低在肖特基结表面的峰值电场；从而可以提高漂移区的杂质的掺杂浓度，极大的降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性。
一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]常关型场控沟道GaN异质结二极管-CN201110234794.4无效
发明人：陈万军;张竞;汪志刚;魏进;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：调制掺杂相结合的技术改变现有GaN异质结二极管的导电沟道结构，将原有的常开型自发极化GaN异质结导电沟道改成本发明中的自发极化和压电极化相结合的常关型场控导电沟道，实现了GaN异质结二极管导电沟道的场控特性并降低了正向导通电阻和增强了反向截止能力本发明具有较低的正向导通电阻和功耗，较强的反向截止能力，并且与AlGaN/GaN HEMT功率开关器件工艺兼容，有利于器件的应用。
常关型场控沟道 gan 异质结二极管

[发明专利]一种具有多导电沟道及鳍式栅的增强型HEMT器件-CN201910232203.6在审
发明人：罗小蓉;孙涛;杨超;邓思宇;欧阳东法;冯锋;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明主要特征在于：采用AlN/AlGaN/InAlN及GaN叠层结构形成多导电沟道，降低器件的正向导通电阻，提升正向电流能力；采用鳍式栅来控制多沟道的开关；同时，鳍式栅可以实现增强型且栅控能力较强，因此器件具有大跨导和小的亚阈区摆幅本发明的有益效果为，相对于传统增强型HEMT结构，本发明具有更低的正向导通电阻，更大的跨导及更小的亚阈值摆幅，同时具有更小的反向泄漏电流及更好的反向阻断特性。
鳍式导电沟道增强型HEMT器件正向导通电阻反向阻断泄漏电流增强型功率半导体技术亚阈值摆幅叠层结构降低器件提升器件正向电流摆幅沟道减小耐压亚阈

[发明专利]一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管及制备方法-CN201610199796.7在审
发明人：王成森;沈怡东;钱清友;张超;周榕榕;黎重林;薛治祥;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的优点：在传统JBS器件结构基础上引入环状浮点型P+结构，增大有源区肖特基接触面积，增大导通路径，提高器件的正向导通电流，降低导通电阻，而反向漏电流增加并不明显，解决缓解了器件正向导通电阻和反向击穿电压相互制约矛盾等问题
一种 sic 环状浮点结构结势垒肖特基二极管制备方法

[发明专利]半导体器件和用于操作半导体器件的方法-CN201711129145.1有效
发明人： T.M.赖特;F.沃尔特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体器件包括多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在半导体器件的正向操作模式中导通电流，并且在半导体器件的反向操作模式中阻断电流。此外，半导体器件包括多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在正向操作模式中和反向操作模式中都导通电流。
半导体器件用于操作方法

[实用新型]降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构-CN202220184870.9有效
发明人：朱伟东;赵泊然;王晓荣 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供提供了一种降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有轻掺杂第一导电类型外延层；在轻掺杂第一导电类型外延层内顶部设有第二导电类型重掺杂区本实用新型有效降低了转向二极管的正向导通电压和导通电阻。
降低向导通电转向二极管结构

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