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- [发明专利]光学近距修正的方法-CN200710037675.3有效
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刘庆炜
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2007-02-13
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2008-08-20
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G03F7/20
- 一种光学近距修正的方法，包括：将待曝光电路图形的各边分割成第一分割边……第N分割边，进行一次修正，获得对应的一次修正边，计算一次修正边掩模误差增强因子；将一次修正边掩模误差增强因子分别与经验值进行比较；只对掩模误差增强因子大于或等于经验值的一次修正边进行再次修正，获得对应的二次修正边，计算二次修正边对应掩模误差增强因子；同理，只对掩模误差增强因子大于或等于经验值的二次修正边进行再次修正，计算三次修正边掩模误差增强因子……直到只对掩模误差增强因子大于或等于经验值的M次修正边进行M+1次修正，得到所有M+1次修正边掩模误差增强因子小于经验值时结束修正。
- 光学近距修正方法
- [发明专利]一种掩模版传输装置及传输方法-CN201510087602.X有效
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姜晓玉;王长刚
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上海微电子装备（集团）股份有限公司
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2015-02-26
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2018-03-30
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G03F7/20
- 本发明公开一种掩模版传输装置，包括掩模版、掩模台以及机械手，所述机械手用于支撑和传输掩模版并将所述掩模版交接到掩模台上，其特征在于，还包括第一组标记和第二组标记，位于所述掩模版上；预对准部件，与所述掩模台连接，用于在掩模版交接过程中探测所述第一组标记以进行第一次预对准，以及探测所述第二组标记以进行第二次预对准；控制单元，用于根据第一次预对准结果调整掩模版和掩模台的相对位置，避免掩模版和掩模台相撞，以及根据第二次预对准结果调整掩模版和掩模台的相对位置，使得掩模版和掩模台的相对位置在设定范围之内。与现有技术相比较，本发明避免了机械手将掩模版交接到掩模台时使掩模版的薄膜框架与掩模台的承版结构发生碰撞，保护了掩模版，提高了交接精度。
- 一种模版传输装置方法
- [发明专利]一种易于焊接的蒸镀用掩模板及其制备工艺-CN201210010696.7无效
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魏志凌;高小平;郑庆靓
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昆山允升吉光电科技有限公司
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2012-01-16
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2013-07-17
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C23C14/04
- 一种易于焊接的蒸镀用掩模板，该掩模板由两层构成，包括蒸镀层和加厚层。其中，蒸镀层包括开口图形区域，加厚层包括蒸镀层开口图形区域以外的四周区域。该蒸镀用掩模板的制备工艺流程如下：一次电铸：芯模(基板)前处理→贴膜→曝光→显影→电铸→后处理；二次电铸：二次贴膜→二次曝光→二次显影→二次电铸→脱膜→水洗→干燥→剥离。通过一次电铸得到掩模板的蒸镀层，通过二次电铸得到掩模板的加厚层。通过此工艺得到的蒸镀用掩模板具有以下优点：避免不良焊接，如焊不透、焊穿等现象；提高薄掩模板的焊接质量；同时满足焊接要求及蒸镀要求，即在确保满足蒸镀要求的同时，又满足掩模板与掩模框架的焊接要求。同时，本发明使用电铸工艺进行掩模板的制备，以确保掩模板表面光滑，无毛刺、划痕等缺陷，具有较低的表面粗糙度和厚度均一的尺寸。
- 一种易于焊接蒸镀用掩模板及其制备工艺
- [发明专利]对准器结构及对准方法-CN201810085860.8有效
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曹生贤
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应用材料公司
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2015-02-27
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2021-05-14
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C23C16/04
- 本发明的目的在于提供一种对准器结构，以相对较大的移动尺度结束基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动后，以相对较小的移动尺度执行基板(S)及掩模(M)间的第2次相对移动，从而能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐本发明的对准器结构作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的对准器结构，包括：第1次对准部(100)，其借助于基板(S)及掩模(M)的第1相对移动，依次地第1次对准基板(S)及掩模(M)；第2次对准部(200)，其在借助于所述第1次对准部(100)的第1次对准后，借助于基板(S)及掩模(M)的第2相对移动，依次地第2次对准基板(S)及掩模(M)；所述第2相对移动的移动尺度小于所述第1相对移动的移动尺度，从而以相对较大的移动尺度结束基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动后，以相对较小的移动尺度执行基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动，从而能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐。
- 对准结构方法
- [发明专利]对准器结构及对准方法-CN201580010595.1有效
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曹生贤
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VNI斯陆深株式会社
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2015-02-27
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2018-01-30
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H01L51/56
- 本发明的目的在于提供一种对准器结构，以相对较大的移动尺度结束基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动后，以相对较小的移动尺度执行基板(S)及掩模(M)间的第2次相对移动，从而能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐本发明的对准器结构作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的对准器结构，包括第1次对准部(100)，其借助于基板(S)及掩模(M)的第1相对移动，依次地第1次对准基板(S)及掩模(M)；第2次对准部(200)，其在借助于所述第1次对准部(100)的第1次对准后，借助于基板(S)及掩模(M)的第2相对移动，依次地第2次对准基板(S)及掩模(M)；所述第2相对移动的移动尺度小于所述第1相对移动的移动尺度，从而以相对较大的移动尺度结束基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动后，以相对较小的移动尺度执行基板(S)及掩模(M)间的第2次相对移动，从而能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐。
- 对准结构方法
- [发明专利]掩模组-CN201510170604.5有效
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洪永文
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华邦电子股份有限公司
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2015-04-13
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2018-03-27
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G03F7/20
- 本发明提供一种掩模组。掩模组包括第一掩模以及第二掩模。第一掩模包括多个彼此平行排列的第一主要图案、多个第一次解析辅助图案以及多个第二次解析辅助图案，第二次解析辅助图案彼此分离设置于第一主要图案的一侧，第一次解析辅助图案彼此分离设置于第一主要图案与第二次解析辅助图案之间，且第一主要图案的延伸方向平行于第二次解析辅助图案的延伸方向。第二掩模包括多个彼此平行排列的第二主要图案，当第一掩模与第二掩模置于负型显影光致抗蚀剂层上方的预定位置以分别进行曝光时，第二主要图案与第一主要图案交错，且第二主要图案与第一次解析辅助图案重叠。本发明提供的掩模组可以提升微影工艺的工艺裕度。
- 模组
- [发明专利]制造沟槽型功率器件的方法-CN201410465854.7在审
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沈思杰
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2014-09-12
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2016-04-06
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H01L21/336
- 一种制造沟槽型功率器件的方法，包括：通过第一次光刻及刻蚀在衬底的终端区域形成掩模层图案，执行离子注入形成保护环；沉积掩模材料层，部分地填充掩模层的图案，通过第二次光刻及刻蚀在衬底的器件区域形成凹槽；在凹槽的侧壁形成侧墙；利用形成有侧墙的掩模层结构在衬底中刻蚀出沟槽，并在沟槽中填充多晶硅材料；去除凹槽的侧壁上的侧墙，并执行离子注入，以便在多晶硅结构两侧形成注入区；通过第三次光刻形成注入掩模图案，此后利用注入掩模图案对衬底进行注入以形成阱区；利用掩模材料填充凹槽，并进行平坦化处理，并且通过第四次光刻及刻蚀在掩模层和掩模材料层中形成接触区凹槽。
- 制造沟槽功率器件方法
- [发明专利]制造半导体结构的方法-CN201711250148.0有效
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李永尧;沈恩照
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2017-12-01
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2021-05-04
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G03F7/20
- 本发明实施例是关于一种制造半导体结构的方法，其包含提供包含多个第一晶片的第一批次及包含多个第二晶片的第二批次；导出用于处理所述第一批次的第一处理时间；导出用于处理所述第二批次的第二处理时间；导出所述第一处理时间与所述第二处理时间之间的处理时间差；在掩模台上装载第一掩模；在晶片台上处理所述第一批次；从所述掩模台移除所述第一掩模；在所述掩模台上装载第二掩模；及在所述晶片台上处理所述第二批次，其中完成所述第一批次的所述处理与开始所述第二批次的所述处理之间的时间间隔基本上大于或等于所述处理时间差
- 制造半导体结构方法
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