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[发明专利]一种集成沟槽肖特基的MOSFET-CN201610490386.8在审
发明人：李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。本发明的集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基结具有位于表面的平面肖特基结及体内的槽型肖特基结，在占用相同的芯片面积的条件下，增加了肖特基结的面积在槽型肖特基结的下方还设有多个P型重掺杂环，体二极管导通时，较低电压时，肖特基二极管开启，形成导电通路；电压增大时，超过0.5V，则槽型肖特基结下的P型重掺杂环向N型漂移区内注入少子，减小肖特基结正向导通压降本发明的方法，可降低MOSFET的体二极管导通损耗，同时，P型减小肖特基二极管的反向漏电。
一种集成沟槽肖特基 mosfet

[实用新型]一种扣入式肖特基二极管-CN202120655296.6有效
发明人：邓小亮 -专利权人：东莞市中之电子科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种扣入式肖特基二极管，包括肖特基二极管，所述肖特基二极管包括肖特基芯片、包覆在所述肖特基芯片外侧的绝缘塑封体、位于所述绝缘塑封体左右两侧的两个引脚，所述绝缘塑封体两端均开设有条形槽，所述条形槽延伸至所述肖特基芯片一端，所述条形槽内填充有导电塑料，两个所述导电塑料分别与所述肖特基芯片的正负极连接，所述导电塑料一端设有延伸部，所述延伸部上设有安装槽，所述引脚与所述安装槽扣合连接。本实用新型的肖特基二极管，通过扣合的方式安装引脚，结构简单，容易组装。
一种扣入式肖特基二极管

[发明专利]一种集成沟槽肖特基的MOSFET-CN201610481044.X有效
发明人：李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。该集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基结由金属层与N型轻掺杂环接触形成，位于MOSFET槽型栅极下方，其肖特基二极管的阳极电位通过阳极引出金属与本发明的肖特基二极管与MOSFET二极管的集成更为紧凑，位于体内的肖特基结减小了占用的芯片面积。
一种集成沟槽肖特基 mosfet

[实用新型]一种大功率的肖特基二极管结构-CN202023120995.5有效
发明人：张雁 -专利权人：先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型系提供一种大功率的肖特基二极管结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内封装有肖特基芯片，肖特基芯片连接有两个导电引脚；肖特基芯片包括依次层叠的阴极层、欧姆接触层、N型衬底、第一外延层、第二外延层、肖特基金属层和阳极层，肖特基金属层的四周围绕有环状钝化层，第二外延层中设有若干第一沟槽，第一沟槽的底部连接有位于第一外延层中的第二沟槽，肖特基金属层填充入第一沟槽和第二沟槽中，第一沟槽的槽宽小于第二沟槽的槽宽。本实用新型中肖特基金属层的底端填充到两个沟槽中，能够有效增大反接时肖特基势垒的高度，反向击穿电压高；在正向导通的情况下，能够进一步确保其大功率工作的性能，正接导通特性优良。
一种大功率肖特基二极管结构

[发明专利]一种集成SBD的超结MOSFET-CN202010831004.X有效
发明人：罗小蓉;黄俊岳;宋旭;郗路凡;魏杰;戴恺纬;张森 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版图面积和增大续流能力；二、双槽下方引入横向伸长的P型屏蔽层对双槽进行保护，可以抑制集成肖特基二极管的反向泄漏电流，并避免肖特基接触和槽栅底部提前击穿，有效提高击穿电压；三、漂移区采用了超结结构，有效地克服了P型屏蔽层带来的小电流能力问题。
一种集成 sbd mosfet

[实用新型]一种容易封装的肖特基整流管-CN202023062696.0有效
发明人：胡红波 -专利权人：互创（东莞）电子科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种容易封装的肖特基整流管，包括底座、固晶座、肖特基晶片、阴极引脚、阳极引脚、封装壳，所述底座中部设有安装孔，所述安装孔两侧分别设有第一引脚孔、第二引脚孔，所述固晶座位于所述安装孔内侧，所述固晶座上设有固晶槽，所述肖特基晶片固定在所述固晶槽内侧，所述固晶槽底部设有导电板，所述导电板上端与所述肖特基晶片下端相抵触，所述导电板与所述阴极引脚之间连接有第一金线，所述肖特基晶片上端与所述阳极引脚之间连接有第二金线本实用新型的肖特基整流管，具有传输速度快、功耗低的特点，而且增加了底座和固晶座，能够固定阴极引脚、阳极引脚、肖特基晶片的位置，方便后续封装壳的塑封成型。
一种容易封装肖特基整流管

[实用新型]肖特基二极管结构-CN202121280771.2有效
发明人：徐丽蓓;李小江 -专利权人：深圳市诠方半导体有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了肖特基二极管结构，包括肖特基二极管结构，包括二极管本体，所述二极管本体的外表面固定连接有固定环，所述固定环的下端开设有第一卡槽，所述第一卡槽的内部卡接有第一卡块，所述第一卡块的一端固定连接有壳体本实用新型中，通过设置的壳体与散热片，能够对肖特基二极管进行散热，从而提高肖特基二极管的散热能力，能够延长肖特基二极管的使用寿命，通过设置的限位槽、顶板、滑杆、挡板、弹簧、套筒、滑槽、卡槽、第一卡块、第二卡块、定位槽、滑槽、滑轨、限位环、定位环与定位槽，能够便于人们安装与拆卸散热片。
肖特基二极管结构

[实用新型]一种SIC肖特基二极管安装结构-CN201922085820.6有效
发明人：王辉;何超 -专利权人：西安英冉半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SIC肖特基二极管安装结构，包括电路板和定位螺栓，电路板上设有肖特基二极管，肖特基二极管一侧侧壁的后端连接有正极端子，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过压板、限位螺栓、限位筒、内螺纹槽以及压板的搭配使用，方便将肖特基二极管的正极端子以及负极端子与触点紧紧接触，通过限位板、螺纹槽、定位螺栓以及L型限位板的搭配使用，方便对肖特基二极管远离端子的一端进行限位，避免其因晃动的时候，导致焊接处脱落的问题；通过螺纹槽与定位螺栓的搭配使用，限位螺栓与限位筒和内螺纹槽的搭配使用，方便更换肖特基二极管，避免反复锡焊产生的高温对电路板造成伤害的问题，具有很好的实用性以及推广性。
一种 sic 肖特基二极管安装结构

[发明专利]一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET-CN201810921041.2有效
发明人：易波;张丙可 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET，用以克服现有的集成肖特基续流二极管的碳化硅槽栅MOSFET元胞面积大、集成度低的缺点。本发明提供碳化硅槽栅MOSFET的元胞结构中，通过深槽正下方设置P+型电场屏蔽区，将肖特基二极管集成在深槽两侧，在集成肖特基二极管的同时实现了其所需的电场屏蔽效果，不仅在碳化硅槽栅MOSFET上集成了续流二极管，且具有低导通损耗和低开关损耗，同时具有高集成度和降低面积成本的优点。
一种集成肖特基续流二极管碳化硅 mosfet

[发明专利]一种带凹槽结构的肖特基二极管-CN202110843344.9有效
发明人：洪学天;林和;牛崇实;黄宏嘉 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种带凹槽结构的肖特基二极管，包括：半导体衬底；半导体层，设置于半导体衬底上，半导体层的上表面依次开设有多个凹槽、第一限位槽和多个第二限位槽；肖特基势垒层，设置于半导体层上；第一接触层，设置于肖特基势垒层上，分别与肖特基势垒层和第一电极电连接；第二接触层，设置于半导体层上除肖特基势垒层之外的区域，与半导体层电连接。本发明的带沟槽结构的肖特基二极管，各凹槽形成肖特基二极管的有源区，在研究如何制造出反向漏电流较小的二极管时，只要改变各凹槽之间的距离进行测试即可，无需重新设计并制造出不同的二极管，一定程度上提升了研究的便利性且减少了成本
一种凹槽结构肖特基二极管

[发明专利]屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法-CN202310910253.1有效
发明人：冯新;李敦然 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该晶体管包括沿指定方向层叠的外延层、层间介质层和顶层金属层等，同时包括沿垂直于指定方向的方向分布的元胞区和肖特基区；该肖特基区设有第一沟槽，第一沟槽内设有屏蔽栅、隔离介质层、选择性外延区；选择性外延区内设有肖特基接触槽，肖特基金属区的第一部分填充于该肖特基接触槽中，第二部分与顶层金属层电接触。本发明通过在肖特基金属区的电场集中端包裹选择性外延区，利用选择性外延区扭转电场线方向，从而降低了肖特基二极管的电场集中程度，进而降低了器件的漏电程度，改善了器件的雪崩特性，提高了器件效率。
屏蔽沟槽场效应晶体管结构及其制作方法

[实用新型]一种有利于散热的肖特基二极管封装结构-CN202321300380.1有效
发明人：付国振;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有利于散热的肖特基二极管封装结构，其包括：肖特基芯片、封装基体、散热板和绝缘固定座，所述绝缘固定座设置在封装基体中，所述绝缘固定座的底部延伸至封装基体的底面，所述散热板设置在绝缘固定座的顶部并位于封装基体的顶面，所述绝缘固定座正面内凹设置有与肖特基芯片对应的定位槽，所述肖特基芯片设置在定位槽中，所述散热板底部设置有向下延伸的导热板，所述绝缘固定座的底面内凹设置有定位孔。本实用新型所述的有利于散热的肖特基二极管封装结构，通过将绝缘固定座置于封装基体的注塑模具中，通过绝缘固定座进行肖特基芯片的定位，利用散热板提升了位置精度和散热效果。
一种有利于散热肖特基二极管封装结构

[发明专利]集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法-CN200910201958.6有效
发明人：孙效中;张朝阳;李江华;房宝清 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法，在形成有漏区和漂移区的硅衬底上形成栅极；接着进行体区光刻，在需要形成肖特基二极管的区域要用光刻胶做阻挡层，防止肖特基二极管的区域注入体区的离子；体区注入；源区光刻；源区注入；欧姆接触区光刻；欧姆接触区P型重掺杂离子注入；源极深槽接触孔光刻；刻蚀形成源极深槽接触孔；在源极深槽接触孔底部进行肖特基二极管掺杂离子注入；在所述源极深槽接触孔内填充金属形成源极深槽接触本发明能保证所制备的集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的性能稳定，同时能减少注入设备的损伤、从而降低生产成本。
集成有肖特基二极管功率 mos 晶体管器件制造方法

[发明专利]一种集成肖特基二极管的积累型屏蔽栅MOSFET-CN201610481043.5在审
发明人：李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，特别涉及一种积累型的屏蔽栅MOSFET集成肖特基二极管，形成于硅衬底上且屏蔽栅MOSFET和肖特基二极管的形成区域分开且相邻。积累型屏蔽栅MOSFET具有屏蔽栅的结构，肖特基二极管具有和屏蔽栅MOSFET同样的沟槽结构；肖特基二极管通过源极金属填充到沟槽顶部来在沟槽侧面形成肖特基接触，减少了占用的芯片面积；同时，肖特基二极管的形成工艺与肖特基二极管反向偏置时，槽14内的多晶硅7与N+型漂移区2之间存在电场，N+型漂移区2产生耗尽，耗尽区向N+型漂移区2内扩展，最终完全耗尽，防护了肖特基结的击穿，减小了肖特基二极管反向的漏电流。
一种集成肖特基二极管积累屏蔽 mosfet

[发明专利]绝缘栅型直角栅-漏复合场板功率器件-CN201410660754.X有效
发明人：毛维;郝跃;范举胜;李敏娜;杨林安;刘红侠;王冲;郑雪峰;张金风 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅型直角栅-漏复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、绝缘栅极(8)、钝化层(9)和保护层(14钝化层内刻有栅槽(10)与漏槽(11)；钝化层与保护层之间淀积有直角栅场板(12)和直角漏场板(13)；直角栅场板与绝缘栅极电气连接，且下端完全填充栅槽；直角漏场板与肖特基漏极电气连接，且下端完全填充漏槽，直角栅场板靠近绝缘栅极一侧边缘与栅槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，直角漏场板靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。
绝缘直角复合功率器件

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