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[发明专利]具有纵向磁场梯度系统的磁共振扫描仪-CN200680048218.8无效
发明人： J·A·奥弗韦格 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： G01R33/385 文献下载
摘要：在磁共振扫描仪中，缠绕主磁体系统(10)以至少在扫描区(20)中产生纵向方向的主磁场(B₀)。该主磁体系统包括设置在外部磁体绕组区(32、34)之间的逐层缠绕的中央磁体绕组区(30)。纵向磁场梯度系统(12、12′)包括设置在外部梯度绕组区(44、46)之间的中央梯度绕组区(40、40′、42、42′)，其中，所述中央梯度绕组区(40、40′、42、42′)被缠绕成用来产生纵向方向的主磁场梯度，所述外部梯度绕组区(44、46)被缠绕成用来产生补偿性的纵向方向的磁场梯度，其具有的极性与纵向方向的主磁场梯度的极性相反。布置外部梯度绕组区，以使外部磁体绕组区(32、34)与纵向磁场梯度系统(12、12′)之间的互感基本为零。
具有纵向磁场梯度系统磁共振扫描仪

[发明专利]一种影像文件存储调阅方法和装置-CN202210032957.9在审
发明人：殷少戈;牛安宇;刘朝晨 -专利权人：中国银行股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F16/172 文献下载
摘要：本发明提供了一种影像文件存储调阅方法和装置，属于分布式，该方法包括：将临时对象存储区划分为不同梯度值对应的临时梯度缓存区；其中，临时梯度缓存区按照对应的梯度值设定文件清理周期；接收上传的影像文件，确定影像文件属性信息；根据影像文件属性信息，确定影像文件的梯度值，将该影像文件的按照梯度值存储至对应临时梯度缓存区，在影像文件完整上传至临时梯度缓存区后，由临时梯度缓存区将影像文件传输至正式对象存储区；所述正式对象存储区用于持续存储影像文件；在发生影像文件调阅时，接收调阅请求，确定目标调阅影像文件的梯度值，将目标影像文件从临时对象存储区下载。本发明引入梯度缓存机制，可以提升系统文件的传输效率。
一种影像文件存储调阅方法装置

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201910777193.4在审
发明人：白文琦;王世铭;黄志森;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括源极区、漏极区、第一轻掺杂漏极LDD区、第二LDD区、第一梯度LDD区以及第二梯度LDD区；栅氧化层，该栅氧化层位于衬底中的沟道上，沟道位于源极区和漏极区之间；栅极，该栅极位于栅氧化层上；其中，第一梯度LDD区和第二梯度LDD区通过向衬底进行梯度LDD离子注入形成。本申请通过在LDD区下方增加梯度LDD区，该梯度LDD区可以使漏极端高电场得到有效分散，从而在一定程度上改善了半导体器件的热载流子效应，提升半导体器件的可靠性。
半导体器件衬底栅氧化层漏极区源极区沟道热载流子效应轻掺杂漏极有效分散高电场漏极端制备离子申请

[发明专利]一种多维重力梯度灯塔匹配区筛选的潜器定位方法及系统-CN202110603727.9在审
发明人：肖云;孙爱斌;任飞龙;黄博深 -专利权人：中国人民解放军61540部队;长安大学;西安航天天绘数据技术有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01C21/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多维重力梯度灯塔匹配区筛选的潜器定位方法及系统，方法包括：首先判断水下潜器惯导系统位置偏差是否小于限差；如果小于限差，则确定筛选重力梯度灯塔匹配区的条件为：重力梯度灯塔长宽比、重力梯度灯塔内部极值数量、水下潜器与重力梯度灯塔的距离和重力梯度灯塔面积；如果大于限差，则确定筛选重力梯度灯塔匹配区的条件为：水下潜器与重力梯度灯塔的距离和重力梯度灯塔面积；基于所述条件对重力梯度灯塔进行筛选，获得重力梯度灯塔匹配区；最后根据重力梯度灯塔匹配区确定水下潜器坐标。本发明提高了重力梯度灯塔匹配区筛选结果的准确性，减少了误匹配情况，进而提高了水下潜器定位的准确性。
一种多维重力梯度灯塔匹配筛选定位方法系统

[实用新型]一种用于鸡蛋蛋黄颜色和质量评分的标准比色盘-CN201620570234.4有效
发明人：王建萍;晏磊;张克英;丁雪梅;白世平;曾秋凤 -专利权人：四川农业大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： A01K43/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于鸡蛋蛋黄颜色和质量评分的标准比色盘，包括圆形标准比色盘本体，标准比色盘本体的中心位置设置有透明圆形观察区，透明圆形观察区外侧设置有圆环形的比色区，透明圆形观察区和比色区的圆心相同，透明圆形观察区设置有刻度标识，比色区用颜色区分成10个比色梯度区，10个比色梯度区分别对应1分至10分；比色梯度区分成8个正常梯度区和2个异变梯度区，1分‑8分对应的是正常梯度区；9分和10分对应的是异变梯度区
一种用于鸡蛋蛋黄颜色质量评分标准比色

[发明专利]介电梯度材料及其应用-CN201910515386.2有效
发明人：申子魁;贾志东;王希林;张天枫 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01B3/02 文献下载
摘要：一种介电梯度材料，包括基体材料及填料颗粒，所述填料颗粒分散于基体材料中，至少一种填料颗粒的介电常数大于40，其中，介电梯度材料包括第一区域、第二区域以及位于第一区域及第二区域之间的第三区域；填料颗粒在所述第一区域中朝向第二区域呈链状排列，填料颗粒在第二区域中呈无序分布，填料颗粒在第三区域中呈有序到无序的过渡分布。本发明还提供一种所述介电梯度材料的应用。本发明所提供的介电梯度材料中的填料颗粒在第一区域呈链状排列，在第二区域呈无序分布，在第三区域呈有序到无序的过渡状态，从而构建介电常数具有梯度的介电梯度材料；所述介电梯度材料具有梯度范围大、应用范围广以及性能优越等特点
梯度材料及其应用

[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体基板-CN202280016320.9在审
发明人：内海诚;宫里真树 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在n+型起始基板(21)上依次使第一缓冲区(11)、第二缓冲区(12)以及n‑型漂移区(2)外延生长。第一缓冲区(11)的杂质浓度比n‑型漂移区(2)的杂质浓度高且比n+型起始基板(21)的杂质浓度低。第二缓冲区(12)的杂质浓度比第一缓冲区(11)的杂质浓度高，并从n‑型漂移区(2)侧的梯度变化点(41a)朝向第一缓冲区(11)侧的梯度变化点(41b)以第一杂质浓度梯度(41)连续地增加，从梯度变化点(41a)朝向第一界面(27)以第二杂质浓度梯度(42)连续地减少，从梯度变化点(41b)朝向第二界面(26)以第三杂质浓度梯度(43)连续地减少。第二杂质浓度梯度(42)比第三杂质浓度梯度(43)小。由此，可靠性提高。
碳化硅半导体装置

[实用新型]铜及铜合金熔铸炉用电极棒-CN201920807093.7有效
发明人：何秋;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：株洲艾美新材料有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H05B3/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜及铜合金熔铸炉用电极棒，该电极棒棒体为U型硅碳棒，包括发热区、冷端，所述发热区包括三段电阻值不同的梯度发热温区，其中，所述第一梯度温区为U型硅碳棒的U型头部分，包括中间连接段以及直杆段，并在所述中间连接段上开有螺旋纹盲槽；所述第二梯度温区为螺旋段，且其电阻值位于第一梯度温区与第三梯度温区之间；且第一梯度温区的直杆段与第二梯度温区的长度比为2:5~1:2，而所述第三梯度温区为直管端其末端与冷端相连本实用新型温度控制精度高，加热方便，可在熔铸炉内实现铜及铜合金的分段式加热，实现一个炉内中有不同温区的要求，从而延长设备使用寿命，并提高产品品质。
铜合金熔铸用电

[发明专利]一种异种材料环形微构造梯度过渡结构及制备方法-CN201811395159.2在审
发明人：赵立霞;唐晔;明宪良;汪小明 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B32B3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种异种材料环形微构造梯度过渡结构及制备方法，包括第一基体材料区、第二基体材料区和环形微构造梯度区,环形微构造梯度区由第一基体材料的梯度牙阵列、第二基体材料的梯度牙阵列、异种材料连接界面层构成，在第一基体材料区上，生长有第一基体材料的梯度牙阵列；在第一基体材料梯度牙阵列的表面沉积异种材料连接界面层；在异种材料连接界面层上，生长第二基体材料的梯度牙阵列；在第二基体材料的梯度牙阵列，生长第二基体材料区
基体材料异种材料异种材料连接界面层过渡结构梯度区生长制备表面沉积结合界面连接区域有效解决构造化突变融合

[发明专利]一种异种材料梯度过渡结构及制备方法-CN201811395176.6在审
发明人：赵立霞;唐晔;明宪良;汪小明 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： B32B3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种异种材料梯度过渡结构及制备方法，所述结构包括第一基体材料区、第二基体材料区和微构型梯度区。其中，微构型梯度区由第一基体材料的梯度构型、第二基体材料的梯度构型、异种材料连接界面层构成，在所述第一基体材料区上，生长有第一基体材料的梯度构型；在梯度构型的表面沉积异种材料连接界面层；在异种材料连接界面层上，生长有第二基体材料的梯度构型；在第二基体材料的梯度构型上，生长第二基体材料区。
基体材料构型异种材料连接界面层过渡结构异种材料梯度区微构型生长制备多材料结构环境适应性表面沉积焊接连接可控

[发明专利]一种铣刀寿命控制方法-CN201810455847.7有效
发明人：王呈栋;孙立宁;王传洋;张克栋 -专利权人：苏州苏相机器人智能装备有限公司;苏州大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B23Q17/09 文献下载
摘要：本申请提供了一种铣刀寿命控制方法，所述的铣刀用于梯度功能材料表面铣削，将梯度功能材料的试样划分为多个梯度区，获得每个梯度区的均分铣刀磨损量阈值，根据均分铣刀磨损量阈值计算每个梯度区的最优铣削速度，根据每个梯度区的最优铣削速度获得每个梯度区的铣刀实际磨损量本申请所述的一种铣刀寿命控制方法，在不降低切削效率的前提下，可确保异种金属梯度功能材料大平面铣削加工的刀具耐用度及被加工表面质量；仅通过调节铣削速度来实现铣刀寿命控制，可实施性强；铣刀寿命试验历时一般不超过
铣刀寿命梯度区铣削梯度功能材料铣刀磨损铣刀大平面铣削刀具耐用度调速控制加工表面切削效率异种金属阈值计算磨损量实施性试验申请分区加工

[发明专利]一种梯度组分薄膜与基体及其制备方法、光电器件-CN202210271850.X在审
发明人：丁黎明;左传天 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K85/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种梯度组分薄膜与基体及其制备方法、光电器件，所述梯度组分薄膜的两侧分别为A材料与B材料，中间部分为A材料与B材料的梯度混合区；梯度混合区中，沿A材料至B材料的方向，A材料的含量逐渐减小，B本发明所述梯度组分薄膜包括梯度混合区，所述梯度混合区的不同位置有不同的化学成分，从而表现出不同的物理化学性质；所述梯度混合区可根据不同的生产需要进行调控，以满足不同的性能要求；与单一组分材料相比，所述梯度组分薄膜可以实现更多功能
一种梯度组分薄膜基体及其制备方法光电器件

[发明专利]一种抗震性能梯度墩柱及其建造方法-CN201910916338.4有效
发明人：邓江东;刘爱荣 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： E01D19/00 文献下载
摘要：本发明涉及混凝土墩柱技术领域，公开了一种抗震性能梯度墩柱及其建造方法。该抗震性能梯度墩柱包括混凝土墩柱、在墩柱内配置的钢筋和梯度配置的梯度筋组成。梯度筋为纤维筋或者形状记忆合金筋。通过梯度筋截面面积的连续或者梯级变化，在墩柱中形成抗震性能梯度。在建造中，根据墩柱的地震受力状态，确定墩柱性能梯度的大小和实现方式，使墩柱性能梯度区顶部截面达到极限曲率以前性能梯度区其它截面不大于其极限曲率。本发明可以实现在地震作用下墩柱性能梯度区同时达到塑性状态，采用本发明建造的墩柱塑性变形区大幅增大，从而变形性能和耗能能力等大幅提高，可以抵抗的地震峰值加速度大幅提高。
一种抗震性能梯度及其建造方法

[发明专利]使用二阶区域二元图的分群方法及影像处理系统-CN201610870868.6有效
发明人：谢明得;徐芳凯;陈俊维;杨得炜 -专利权人：财团法人成大研究发展基金会;奇景光电股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明一种使用二阶区域二元图(2SLBP)的分群方法，包含根据影像的补块的中心次区块与相邻次区块，以产生梯度方向值；量化梯度方向值，以产生量化梯度方向值；根据梯度方向值，以产生梯度强度值；量化梯度强度值，以产生量化梯度强度值；串连量化梯度方向值与量化梯度强度值，以产生二阶区域二元图值；及使用二阶区域二元图值作为指标，执行超分辨率图像处理的分群。
使用区域二元分群方法影像测试系统

[发明专利]光探测器芯片镀膜结构-CN202210735681.0在审
发明人：祝宁华;陈少康;杜昕昊;李明;刘宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光探测器芯片镀膜结构，包括：光探测器芯片，折射率梯度区和增透膜；光探测器芯片包括光敏面；折射率梯度区形成于光敏面上，折射率梯度区包括沿预设方向折射率依次增大的多层膜，预设方向为自折射率梯度区至光探测器芯片的延伸方向；增透膜设置于折射率梯度区上。本发明实施例提供的光探测器芯片镀膜结构，通过设置折射率梯度区，即沿预设方向折射率依次增大的多层膜结构，能够将外部光束耦合至光探测器中，同时使得耦合至光探测器芯片光敏面的光束近似平行，耦合效率较高。
探测器芯片镀膜结构

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