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[发明专利]用于制造NMOS半导体器件的方法-CN201110041483.6无效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造NMOS半导体器件的方法，包括下列步骤：一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括核心NMOS器件和I/ONMOS器件；在核心NMOS器件和I/ONMOS器件上形成氧化层和应力层；在核心NMOS器件上形成掩膜层，并去除I/ONMOS器件上的应力层；去除核心NMOS器件上的掩膜层，并对核心NMOS器件进行退火；去除核心NMOS器件上的应力层；以及去除核心NMOS器件和I/ONMOS器件上的氧化层。根据本发明的方法，能够防止在制造NMOS器件时降低I/ONMOS器件热载流子注入的可靠性，从而达到半导体器件的寿命标准，并提高良品率。
用于制造 nmos 半导体器件方法

[实用新型]一种自断电重启电路-CN202121996485.6有效
发明人：吴先应;杨爱科 -专利权人：深圳市卓联启航科技有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种自断电重启电路，涉及重启电路技术领域，其特征在于：包括信号放大电路、计数器U1和核心编程器件电源电路；计数器U1包括信号输入端口VI1、信号输入端口VI2和输出端口VOUT；信号放大电路与核心编程器件连接，用于接收并放大核心编程器件输出的方波信号；信号放大电路还与信号输入端口VI1和信号输入端口VI2连接，用于将放大后的方波信号传输给计数器U1；输出端口VOUT与核心编程器件电源电路连接，用于输出电平信号给核心编程器件电源电路；核心编程器件电源电路与核心编程器件连接，用于给核心编程器件提供工作电源，实现了在核心编程器件出现异常时，使核心编程器件自动恢复到正常工作状态。
一种断电电路

[发明专利]CMOS器件的制造方法-CN201310321143.8有效
发明人：张瑛;莘海维;林伟铭;李佳佳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS器件的制造方法，包括提供一衬底，所述衬底的内部形成有P阱和N阱，所述衬底的表面形成有多晶硅栅极，通过第一掩模版对所述衬底执行NMOS核心器件的光刻，执行NMOS核心器件的LDD离子注入，通过第二掩模版对所述衬底执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的光刻，执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的LDD离子注入，执行NMOS核心器件和NMOS输入输出器件的N+源漏注入，执行PMOS核心器件和PMOS输入输出器件的P+源漏注入。在本发明提供的CMOS器件的制造方法中，同时进行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的光刻以及离子注入，简化工序而降低制造成本的同时提高了器件的性能和寿命。
cmos 器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310326647.9在审
发明人：谢欣云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：S101：在半导体衬底上形成核心器件的伪栅极界面层和伪栅极及IO器件的栅极界面层和伪栅极；S102：去除核心器件的伪栅极和IO器件的伪栅极；S103：去除核心器件的伪栅极界面层，形成核心器件的栅极界面层；S104：在核心器件的栅极界面层和IO器件的栅极界面层上分别形成核心器件的高k介电层和IO器件的高k介电层；还包括：进行高压氟退火在核心器件的栅极界面层和IO器件的栅极界面层引入氟离子，和/或，进行高压氟退火在核心器件的高k介电层和IO器件的高k介电层引入氟离子。该方法通过高压氟退火引入氟离子，提高了器件性能。本发明的半导体器件用上述方法制得，具有上述优点。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种多核系统的配置方法及装置-CN201810098027.7在审
发明人：彭宇龙;韩杰;秦元河;乔雪 -专利权人：北京视联动力国际信息技术有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G06F1/24 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种多核系统的配置方法及装置，所述方法包括：可编程逻辑器件在接收到电源系统发送的启动完成信号后，向多核系统电路板中的至少两个核心器件发送复位信号，以便于每个核心器件在接到所述复位信号后启动复位工作；可编程逻辑器件在每个核心器件启动复位工作后，确定每个核心器件的启动方式；可编程逻辑器件在所述每个核心器件启动方式后，对每个核心器件的管脚进行配置，完成了对所述多核系统电路板的统一配置。本实施例利用可编程逻辑器件的端口可进行硬件编程的原理，连入需要进行配置的管脚上，写入想要的高低电平，从而达到多个核心统一配置，方便了电路板布线工作，且在调试或者使用中随时可变，同时节省成本。
核心器件可编程逻辑器件多核系统电路板复位信号启动方式统一配置复位管脚配置发送启动完成信号电路板布线电源系统高低电平硬件编程配置的可变写入调试

[发明专利]一种全国产化继电保护核心元器件冗余数量确定方法-CN202110440099.7在审
发明人：薛安成;刘晓博;刘中硕;王永杰;陈晓帆;陈乾;田铭威;陶畅;欧阳明浩;景子洋 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种全国产化继电保护核心元器件冗余数量确定方法，首先从不同的冗余方式中确定适合的冗余方式；根据各核心元器件失效率数据，求出各核心元器件在不同冗余数量下的失效率；根据继电保护装置的串联可靠性模型，求取核心元器件组合后继电保护装置的失效率，选取不满足失效率要求情况下最高成本的一种冗余方式；求取不同核心元器件组合的成本，按成本由低到高的顺序增加核心元器件数量，直至满足继电保护装置失效率要求，并以此来确定满足继电保护装置失效率要求且成本最小时各核心元器件的冗余数量上述方法可以高效的确定各核心元器件的冗余数量，具有重要的理论意义与工程价值。
一种国产化保护核心元器件冗余数量确定方法

[发明专利]一种适用于核心元器件国产化的单装置继电保护可靠性评估方法-CN202110427206.2在审
发明人：薛安成;章家欢;王永杰;吴超;陈晓帆;陈乾;田铭威;景子洋;陶畅;欧阳明浩 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用于核心元器件国产化的单装置继电保护可靠性评估方法，能够定量确定继电保护装置核心元器件国产化后对单套继电保护装置可靠性的影响，为继电保护装置国产化提供参考。首先，根据实际继电保护装置缺陷数据，确定继电保护装置典型核心元器件及其失效模式；其次，考虑继电保护装置的典型核心元器件及其失效模式，构建适用于核心元器件国产化的单装置继电保护Markov模型；基于Markov模型建立状态转移矩阵并建立可靠性指标；最后，考虑国产化核心元器件与进口元器件的失效率差异，确定核心元器件国产化后单套继电保护装置的可靠性。
一种适用于核心元器件国产化装置保护可靠性评估方法

[发明专利]一种原理图电源拓扑结构自动提取和分析的方法-CN202210652147.3在审
发明人：陈东旭;潘洋;吕盼稂;陈浩;卢小银;王亚奎 -专利权人：合肥富煌君达高科信息技术有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种原理图电源拓扑结构自动提取和分析方法，该提取方法包括：获取待分析原理图的特征信息，基于所述原理图的特征信息，获取原理图中的核心器件及核心器件分析顺序，所述核心器件为受电器件；基于核心器件分析顺序逐一对每个核心器件进行分析，获取核心器件到供电电源输入端点之间的所有的第一电源网络及所有第一电源网络的第一连接顺序；基于对核心器件分析后获取的所有电源网络及所有电源网络的连接顺序形成原理图的电源拓扑结构。
一种原理图电源拓扑结构自动提取分析方法

[发明专利]晶体管器件制造方法-CN202010610484.7在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管器件制造方法，涉及半导体集成电路技术，在包括核心器件和输入输出器件的晶体管器件制造过程中，由场氧化层在半导体衬底上隔离出核心器件区域的有源区和输入输出器件区域的有源区，通过用掩膜层将核心器件区域的有源区显开，而在核心器件区域的有源区内形成栅极环绕的栅极结构，在输入输出器件区域的有源区内形成的鳍式栅极结构，如此可改善核心器件的短沟道效应，且输入输出器件的鳍式栅极结构的栅介质层的厚度不受栅极环绕的栅极结构的沟道线体之间的间距的影响，而使得在改善核心器件的短沟道效应的基础上输入输出器件的导通电流和关断电流性能不受影响。
晶体管器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN200610147805.4有效
发明人：王津洲;赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件的制作方法，包括：提供包括核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底，核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底上都形成有栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；以栅极为掩膜，在核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第一离子注入；进行快速热退火，在核心器件区域和输入/输出器件区域栅极介电层两侧的半导体衬底内形成低掺杂源漏区；在核心器件区域和输入/输出器件区域的栅极介电层以及栅极的侧壁形成间隙壁；以栅极和间隙壁为掩膜，在核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第三离子注入，形成重掺杂源漏区。所述方法可以调整器件的饱和电流，并改善输入/输出器件的可靠性。
半导体器件制作方法

[发明专利]超薄栅极CMOS器件的制造方法-CN201911042424.3有效
发明人：陈瑜;陈华伦;熊伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请公开了一种超薄栅极CMOS器件的制造方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：在衬底上形成浅沟槽隔离；形成栅氧化层、多晶硅层；形成I/O器件LDD注入区图案和I/O器件栅极，I/O器件栅极上覆盖有光刻胶；进行I/O器件的LDD注入形成I/O器件LDD注入区；形成I/O器件的第一栅极侧墙；形成核心器件栅极；进行核心器件的LDD注入形成核心器件LDD注入区；形成核心器件的栅极侧墙和I/O器件的第二栅极侧墙；形成源漏极；解决了现有技术难以在超薄CMOS器件制造工艺中集成I/O器件的问题；达到了在超薄CMOS器件制造工艺中实现集成I/O器件，并保证I/O器件和核心器件的性能的效果。
超薄栅极 cmos 器件制造方法

[发明专利]改善核心器件和输入输出器件性能的方法-CN201510736925.7有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种改善核心器件和输入输出器件性能的方法，包括：提供基底；在核心器件区和输入输出器件区的基底表面形成第一氧化层；在第一氧化层表面形成盖帽层；刻蚀去除位于核心器件区的盖帽层；在输入输出器件区的盖帽层表面以及核心器件区的基底上形成伪栅膜；图形化伪栅膜形成伪栅层；在形成伪栅层之后，在基底上形成覆盖伪栅层侧壁表面的层间介质层；刻蚀去除伪栅层；去除输入输出器件区的盖帽层；在去除盖帽层之后，在核心器件区的基底表面形成第二氧化层，第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度本发明提高输入输出器件和核心器件的栅极氧化层完整性，改善了NBTI性能和PBTI性能。
改善核心器件输入输出性能方法

[发明专利]一种国产化继电保护的核心元器件冗余结构确定方法-CN202010966762.2在审
发明人：薛安成;陈晓帆;陶畅;景子洋 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种国产化继电保护的核心元器件冗余结构确定方法，首先从不同的冗余方式中选取适合的冗余方式；根据各核心元器件可靠性，求出各核心元器件在不同冗余方式下的失效率；根据继电保护装置的串联可靠性模型，求取核心元器件组合后的继电保护装置的失效率，选取不满足可靠性要求的冗余方式；按照核心元器件成本由低到高的顺序，元器件数量逐个递增，直至满足继电保护可靠性要求，并以此来确定满足国产化继电保护可靠性要求且最小成本的核心元器件冗余结构上述方法易于实施，实用性强，可以准确的确定国产化继电保护核心元器件的冗余结构，具有重要的理论意义与工程价值。
一种国产化保护核心元器件冗余结构确定方法

[实用新型]可提高GaN器件可靠性的器件结构-CN202020474428.0有效
发明人：刘春利 -专利权人：深圳镓华微电子有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心内形成二维电子气，在所述GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，所述第一沟槽构成环槽并将所述GaN器件核心包围，在所述第一沟槽内填充有金属。
提高 gan 器件可靠性结构

[发明专利]晶体管器件结构-CN202010611970.0在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管器件结构，涉及半导体集成电路技术，在包括核心器件和输入输出器件的晶体管器件，由场氧化层在半导体衬底上隔离出核心器件区域的有源区和输入输出器件区域的有源区，在核心器件区域的有源区内形成栅极环绕的栅极结构，在输入输出器件区域的有源区内形成的鳍式栅极结构，如此可改善核心器件的短沟道效应，且输入输出器件的鳍式栅极结构的栅介质层的厚度不受栅极环绕的栅极结构的沟道线体之间的间距的影响，而使得在改善核心器件的短沟道效应的基础上输入输出器件的导通电流和关断电流性能不受影响
晶体管器件结构

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