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[发明专利]并联通道配置中的MOS功率晶体管-CN201811096538.1有效
发明人： F·布鲁格;C·德耶拉希-切克;A·迈耶 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种电路，包括：第一金属氧化物半导体(MOS)功率晶体管，具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子；第二MOS功率晶体管，具有第二栅极端子、第二漏极端子与第二源极端子；以及开关，连接在第一栅极端子与第二栅极端子之间并且被配置为选择性地耦合第一栅极端子和第二栅极端子
并联通道配置中的 mos 功率晶体管

[发明专利]用于电压驱动电子元件的驱动电路-CN200810109891.9有效
发明人：东和幸;米谷心助 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：提供了用于驱动电压驱动元件的驱动电路，该电压驱动元件包括栅极端子、发射极端子和集电极端子，该驱动电路包括：第一半导体开关元件，其包括被置于用于驱动电路的功率源和栅极端子之间的输出端子；第一电阻器，其被置于该输出端子和栅极端子之间在将栅极端子和发射极端子之间的部分中累积的电荷提供到栅极端子和集电极端子之间的部分之后，电容元件将来自功率源的电荷提供给栅极端子和发射极端子之间的部分。
用于电压驱动电子元件电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110654837.8在审
发明人：乔治奥斯韦理安尼堤斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅极结构以及源极端子和漏极端子位于绝缘介电层中，并且源极端子和漏极端子分别位于栅极结构的两个相对端处。沟道区夹置在栅极结构与源极端子和漏极端子之间且环绕栅极结构。沟道区在源极端子与漏极端子之间延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]放大电路-CN201980031795.3在审
发明人：渡边大介;别府伸耕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：放大电路(1)具备：FET(10)，具有源极端子(S1)、漏极端子(D1)、栅极端子(G1)；FET(20)，具有源极端子(S2)、漏极端子(D2)、栅极端子(G2)，并与FET(10)并联连接；FET(30)，具有与漏极端子(D1以及D2)连接的源极端子(S3)、漏极端子(D3)、以及栅极端子(G3)，并与FET(10以及20)进行共源共栅连接；以及反馈电路(21以及22)，将从源极端子(S2)或漏极端子(D2)输出的高频信号反馈到栅极端子(G2)，将FET(20)的栅极宽度W2除以FET(20)的栅极长度L2的值W2/L2比将FET(10)的栅极宽度W1除以FET(10)的栅极长度L1的值W1/L1小
放大电路

[发明专利]发光芯片、打印头和图像形成设备-CN201110353271.1有效
发明人：大野诚治 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：发光芯片包括：多个发光晶闸管，其分别包括第一阳极端子、阴极端子和栅极端子；多个置位晶闸管，其分别具有第二阳极端子、阴极端子和栅极端子，分别被切换为ON状态以将相应发光晶闸管的阈值电压绝对值设置为小于OFF状态；多个传输晶闸管，其分别具有第三阳极端子、阴极端子和栅极端子，被顺序切换为ON状态以将相应置位晶闸管的阈值电压绝对值设置为小于OFF状态；多个第一连接电阻，其将发光晶闸管的第一栅极端子和置位晶闸管的第二栅极端子彼此连接；多个第二连接电阻，其将置位晶闸管的第二栅极端子和传输晶闸管的第三栅极端子彼此连接；以及多个第三连接电阻，其将发光晶闸管的第一栅极端子连接到电源线。
发光芯片打印头图像形成设备

[发明专利]亚阈值电流减少电路晶体管的栅极端子之间的电荷转移及相关设备-CN202111049330.6有效
发明人：赤松宏;何源;石川透 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：公开亚阈值电流减少电路SCRC晶体管的栅极端子之间的电荷转移及相关设备。一种设备包含上拉SCRC晶体管、下拉SCRC晶体管和电荷转移电路。所述上拉SCRC晶体管包含上拉栅极端子。所述下拉SCRC晶体管包含下拉栅极端子。所述电荷转移电路电连接于所述上拉栅极端子和所述下拉栅极端子之间。所述电荷转移电路被配置成在所述上拉栅极端子和所述下拉栅极端子之间转移电荷。
阈值电流减少电路晶体管栅极端子之间电荷转移相关设备

[发明专利]开关装置、半导体装置及开关装置的制造方法-CN202210566942.0在审
发明人：牧岛仁;松高佑纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：提供端子的配置不同的开关装置的制造所需要的成本少的开关装置、半导体装置及开关装置的制造方法。开关装置具有：开关元件；芯片焊盘；栅极端子；与芯片焊盘一体的第1电力端子；以及第2电力端子，栅极端子、第1电力端子及第2电力端子各自在俯视观察时相对于芯片焊盘位于第1方向侧，栅极端子、第1电力端子及第2电力端子在俯视观察时在与第1方向垂直的第2方向上以栅极端子、第1电力端子、第2电力端子的顺序或相反的顺序排列，开关元件在上表面具有第1栅极焊盘和第2栅极焊盘，与第2栅极焊盘相比第1栅极焊盘靠近栅极端子，与第1栅极焊盘相比第2栅极焊盘靠近第2电力端子，第1栅极焊盘与栅极端子通过导线进行连接。
开关装置半导体制造方法

[发明专利]二极管电路-CN201110159474.7无效
发明人：中村尚幸;宫地博幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：具有阳极端子A以及阴极端子K的主动二极管(100)包括：晶体管(110)，其具有栅极端子(111)、漏极端子(112)、以及源极端子(113)，漏极端子(112)与阳极端子A以及阴极端子K之中的一方连接，源极端子(113)与阳极端子A以及阴极端子K之中的另一方连接；以及栅极电压发生电路(120)，其将被调整为与晶体管(110)的阈值电压相等的栅极电压供应给栅极端子(111)。
二极管电路

[发明专利]使用共源共栅功率级提高功率转换器效率的系统和方法-CN202211617772.0在审
发明人： R·尼科尔森;F·元 -专利权人：予力半导体公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：在一个方面，所述电路包括第一功率级和第二功率级，所述第一功率级包括具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子的第一开关，以及具有第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子的第二开关，所述第一源极端子耦合到所述第二漏极端子，所述第二功率级包括具有第三栅极端子、第三漏极端子和第三源极端子的第三开关，以及具有第四栅极端子、第四漏极端子和第四源极端子的第四开关，所述第三源极端子耦合到所述第四漏极端子，其中所述第二功率级并联耦合到所述第一功率级，使得所述第一漏极端子耦合到所述第三漏极端子，并且所述第二源极端子连接到所述第四源极端子。
使用共源共栅功率提高转换器效率系统方法

[发明专利]像素电路和显示装置-CN202210462617.X在审
发明人：金根佑 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：所述像素电路包括：第一晶体管，包括第一栅极端子、电连接到第一节点的第一源极端子、电连接到发光二极管的第一漏极端子以及背栅极端子，其中，随时间减小的第一电压被施加到所述背栅极端子；以及第二晶体管，包括接收栅极信号的第二栅极端子、接收数据电压的第二源极端子以及电连接到所述第一节点的第二漏极端子。
像素电路显示装置

[发明专利]偏置电流电路、信号处理装置及偏置电流控制方法-CN201780026812.5有效
发明人：加贺野未来;尾込智和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03F3/343 文献下载
摘要：偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
偏置电流电路信号处理装置控制方法

[发明专利]包括非易失性存储器单元的用于生成电压基准的设备-CN201610866845.8有效
发明人： M·帕索蒂;F·德桑蒂斯;R·布雷戈利;D·莱沃恩斯;S·皮特伊 -专利权人：意法设计与应用股份有限公司;意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种用于生成基准电压的设备包括第一非易失性存储器单元，设置有控制栅极晶体管和读取晶体管。控制栅极晶体管包括栅极端子、主体、第一导电端子和第二导电端子。第一导电端子和第二导电端子被连接在一起以形成控制栅极端子。读取晶体管包括被连接到控制栅极晶体管的栅极端子以形成浮置栅极端子的栅极端子、主体、第三导电端子和第四导电端子。该设备还包括第二等效存储器单元。第一非易失性存储器单元的源极端子和第二等效存储器单元的源极端子被连接在一起。
包括非易失性存储器单元用于生成电压基准设备

[实用新型]用于生成基准电压的设备、电子系统和电子设备-CN201621095929.8有效
发明人： M·帕索蒂;F·德桑蒂斯;R·布雷戈利;D·莱沃恩斯;S·皮特伊 -专利权人：意法设计与应用股份有限公司;意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种用于生成基准电压的设备包括第一非易失性存储器单元，设置有控制栅极晶体管和读取晶体管。控制栅极晶体管包括栅极端子、主体、第一导电端子和第二导电端子。第一导电端子和第二导电端子被连接在一起以形成控制栅极端子。读取晶体管包括被连接到控制栅极晶体管的栅极端子以形成浮置栅极端子的栅极端子、主体、第三导电端子和第四导电端子。该设备还包括第二等效存储器单元。第一非易失性存储器单元的源极端子和第二等效存储器单元的源极端子被连接在一起。
用于生成基准电压设备电子系统电子设备

[发明专利]一种低电感的塑封模块-CN202210646376.4有效
发明人：柯攀;杨健明;胡斌 -专利权人：北京萃锦科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种低电感的塑封模块，包括基板、塑封体，设置在所述基板上的大衬板以及设置在所述大衬板上的功率端子、多个功率芯片以及两个小衬板，所述小衬板设置在所述大衬板的中部，所述功率芯片分布在小衬板两侧，所述大衬板和所述小衬板上均设有栅极电阻和源极电阻，所述小衬板的一端垂直设有驱动端子，所述驱动端子包括栅极端子和两个源极端子，所述源极端子并联并对称设置在所述栅极端子的两侧，所述源极端子和所述栅极端子结构一致，均包括端子A段和端子B段，所述端子A段置于所述塑封体内部，所述端子B段置于所述塑封体外部，所述栅极电阻和源极电阻分别电连接栅极端子和源极端子，本发明采用的驱动端子栅极电感小，改善了开关特性。
一种电感塑封模块

[发明专利]功率半导体元件的驱动电路-CN201380077680.0有效
发明人：林良知;小泽正启;田中利贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：具有电压指令生成部(2)，其生成向功率半导体元件(1)的栅极端子－发射极端子间的充电指令、即电压指令(VGEref)；减法器(3)，其对电压指令(VGEref)和功率半导体元件(1)的栅极端子－发射极端子间电压之间的偏差电压(Verr)进行计算；栅极电流控制器(4)，其被输入偏差电压(Verr)，对栅极电流指令电压(VIGref)进行计算，其中，该栅极电流指令电压(VIGref)决定流过功率半导体元件(1)的栅极端子的栅极电流；栅极电流指令限制器(19)，其对栅极电流指令电压(VIGref)进行限制；以及栅极电流供给器，其被输入栅极电流指令限制器(19)的输出、即实际栅极电流指令电压(VIGout)，将栅极电流供给至功率半导体元件(1)的栅极端子。
功率半导体元件驱动电路

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