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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种双金属栅极的形成方法-CN201510626743.4在审
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种双金属栅极的形成方法，属于半导体制造技术领域，本发明同时对第一多晶硅栅极以及第二多晶硅栅极进行去除工艺，接着同时在第一栅极沟槽以及第二栅极沟槽内进行高介电常数介质层的沉积工艺，从而保证了栅极尺寸、栅极形貌和栅极氧化层的一致性；此外，采用有机物填充技术将第二栅极沟槽填满并保护起来，并完成第一栅极沟槽的金属电极工艺，再将第二栅极沟槽内的有机物去除，并完成第二栅极沟槽的金属电极工艺，其工艺集成难度较低，且对栅极形貌和高介电常数介质层的负面影响较小。本发明对现有的双金属栅极的形成工艺进行了优化，减少工艺步骤，降低成本，且工艺集成难度较低，同时容易实现量产。
一种双金属栅极形成方法

[发明专利]一种双金属栅极的制备方法-CN201610195267.X有效
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明提供了一种双金属栅的制备方法，在第一栅极区和第二栅极区同时完成多晶硅的去除工艺、高介电常数介质的沉积工艺和金属覆盖层的沉积工艺，减少了重复的工艺步骤，而且保证了栅极尺寸、栅极形貌和栅极氧化层的一致性；此外，采用空气隙技术沉积一层介质薄膜将第二栅极沟槽保护起来，并完成第一栅极区的金属电极工艺；再将第二栅极区的沉积介质去除，并且完成第二栅极区的金属电极工艺；该技术方案金属填充工艺窗口较大，且对栅极形貌本发明对现有的双金属栅极集成方案进行了优化，减少工艺步骤，降低成本，且工艺集成难度较低，容易实现量产。
一种双金属栅极制备方法

[发明专利]制作集成电路结构的方法-CN201910327232.0在审
发明人：詹易叡;林含谕;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括形成栅极间隔物于半导体基板上的虚置栅极结构的多个侧壁上；对栅极间隔物进行第一布植工艺，其中第一布植工艺包括以硅原子轰击栅极间隔物的上侧部分；在进行第一布植工艺之后，对栅极间隔物的上侧部分进行第二布植工艺，其中第二布植工艺包括以碳原子轰击栅极间隔物的上侧部分；以及在进行第二布植工艺之后，将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构，其中将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构的步骤包括形成层间介电层
布植工艺栅极间隔物虚置栅极结构金属栅极结构高介电常数栅极介电层轰击集成电路结构半导体基板硅原子介电层碳原子侧壁制作

[发明专利]集成电路器件和制造集成电路器件的方法-CN201811062947.X有效
发明人：古淑瑗;孙志铭;郑振辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开了用于集成电路器件，具体地，用于鳍式场效应晶体管器件的栅极切割工艺。示例性方法包括接收包括栅极结构的集成电路器件，以及实施栅极切割工艺以将栅极结构分为第一栅极结构和第二栅极结构。栅极切割工艺包括选择性地去除栅极结构的部分，从而使得残留的栅极介电层在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸。在一些实施方式中，残留的栅极电介质包括高k介电材料。该方法还包括在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成栅极隔离区域。本发明的实施例还涉及栅极电介质保留的栅极切割工艺。
集成电路器件制造方法

[发明专利]一种栅极结构平坦化的方法-CN201811378145.X在审
发明人：李亚东;蒋莉;纪登峰;张庆;刘璐;金懿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种栅极结构平坦化的方法。本发明实施例在栅极结构的平坦化工艺过程中引入回刻蚀工艺，解决了栅极结构平坦化工艺过程中栅极密集区域和栅极稀疏区域的栅极高度不一致的问题，并提高平坦化工艺的效率。
一种栅极结构平坦方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201911306956.3在审
发明人：冯玠宁;洪志昌;陈炳宏;林益安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括：形成栅极电介质层；在栅极电介质层的底部部分上方形成金属栅极条带；以及对金属栅极条带执行第一蚀刻工艺以移除金属栅极条带的一部分。第一蚀刻工艺是各向异性地执行的。在第一蚀刻工艺之后，对金属栅极条带执行第二蚀刻工艺以移除金属栅极条带的残留部分。第二蚀刻工艺包括各向同性蚀刻工艺。将电介质材料填充到由金属栅极条带的经蚀刻的部分和经蚀刻的残留部分留下的凹槽中。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方法-CN202310764181.4在审
发明人：赵向坤;朱瑞苹;张龙;马怡曼 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供了用于形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方法，包括：首先主刻蚀工艺阶段利用第一工艺气体，对栅极层刻蚀至第一预定位置；然后第一软着陆工艺阶段利用第二工艺气体，继续对栅极层刻蚀至第二预定位置；其中，第一软着陆工艺阶段产生的刻蚀副产物在栅介质层的表层形成保护层；其次第二软着陆工艺阶段利用第三工艺气体，继续对栅极层进行刻蚀，去除鳍形层的顶面下方剩余的栅极层以得到栅极结构；最后过刻蚀工艺阶段利用第四工艺气体，去除栅极结构底部的残留聚合物。上述方法通过第一软着陆工艺阶段在栅介质层的表层生成保护层，避免了栅极刻蚀过程中鳍形层即Fin层损伤问题，实现了栅极的垂直且形貌均匀刻蚀。
用于形成场效应晶体管栅极结构方法

[发明专利]薄膜晶体管及制备方法-CN201610029742.6在审
发明人：胡典禄;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制备方法，包括在半导体层上形成栅极金属层，在所述栅极金属层上形成光刻胶层，通过构图工艺，使所述栅极金属层形成伪栅极；以所述伪栅极为掩膜，对所述半导体层进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区及漏极重掺杂区；对所述伪栅极上的所述光刻胶层进行灰化处理，以使所述光刻胶层的尺寸与待形成的栅极尺寸相同，刻蚀所述伪栅极上未被所述光刻胶层覆盖的区域，形成栅极；以所述栅极为掩膜，对所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺，形成源极轻掺杂区及漏极轻掺杂区上述薄膜晶体管的制备方法，只需要一次图形化工艺即可实现源漏极重掺杂区、栅极、源漏极轻掺杂区的制作，相比于常规工艺可以减少工艺成本，缩短工艺时间。
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]集成电路元件的形成方法-CN201010202885.5有效
发明人：刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明揭示一种集成电路元件的形成方法，该方法包括进行一栅极置换工艺以形成栅极结构，其中该栅极置换工艺包含回火工艺；在回火工艺后移除部分介电材料层以形成接触开口以露出部分基板；经由该接触开口，形成金属硅化物结构于露出的部分基板上本发明的栅极置换工艺的回火工艺将不受接触结构的热预算限制。这将提高栅极置换工艺容忍度，可高温回火以调整栅极的工作函数。
集成电路元件形成方法

[发明专利]一种分裂栅的栅极形成方法-CN201710884971.0有效
发明人：许鹏凯;习艳军;杨渝书 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/11531 文献下载
摘要：本发明提出一种分裂栅的栅极形成方法，改善了分裂栅的栅极形成工艺，在分裂栅结构下同时获得了垂直形貌的选择栅极和控制栅极。相对于现有工艺中采用多晶硅侧墙刻蚀来形成控制栅极的方法来说，本发明采用两次成型以及自对准的方法，使得在分裂栅结构下能够较为容易的获得同时满足尺寸和形貌工艺要求的控制栅极。这种工艺流程降低了原有工艺流程中栅极刻蚀的难度，同时也使得工艺开发中诸如膜层生长厚度等条件也变得更加容易确定。
一种分裂栅极形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011416151.7在审
发明人：林士尧;高魁佑;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法，包括：在半导体区域之上沉积虚设栅极电介质层；沉积虚设栅极电极层；以及执行第一蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的上部以形成虚设栅极电极的上部。方法还包括在虚设栅极电极的上部的侧壁上形成保护层，并且执行第二蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的下部以形成虚设栅极电极的下部。然后使用保护层作为蚀刻掩模来执行第三蚀刻工艺以蚀刻虚设栅极电极的下部。虚设栅极电极通过第三蚀刻工艺而呈锥形。移除保护层，并且利用替换栅极电极来替换虚设栅极电极。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]高压金属栅极器件的制造方法-CN202111320661.9在审
发明人：唐小亮;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压金属栅极器件的制造方法，经过正常工艺的栅极金属沉积之后，进行栅极金属的CMP工艺时，先进行第一次CMP工艺将栅极金属预先减薄到一定厚度，然后沉积一层阻挡介质层，过光刻打开大面积的高压栅极区域，通过蚀刻把除大面积的高压栅极区域之外的阻挡介质层去除，在对栅极金属进行第二次CMP工艺时，由于高压栅极区域的大面积栅极金属的表面有阻挡介质层，研磨偏慢，不会造成CMP碟形下凹。该高压金属栅极器件的制造方法，不但不存在大块栅极金属的碟形下凹问题，同时也能避免因影响栅极介质层而导致影响高压器件的电性。
高压金属栅极器件制造方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110492249.9在审
发明人：熊德智;吴俊德;王鹏;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法，包括：在栅极间隔件之间形成栅极结构；回蚀栅极结构以使其低于栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过ILD层并在到达栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触件开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻栅极电介质帽盖的掺杂区域；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造-CN201110040219.0有效
发明人：谢雅雪;蔡腾群;林文钦;许信国;黄任鹏;陈志仙;杨智钦;吕宏源;林仁杰;曹玮哲 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造。该方法包括：提供上方具有包括多晶硅假栅极与介电层的栅极构造的基板；去除多晶硅假栅极而形成沟槽；形成栅极阻障层于沟槽中；形成栅极金属层于栅极阻障层的表面上并填满沟槽；利用第一反应剂来对栅极金属层进行第一平坦化工艺，用以除去部分的栅极金属层，第一反应剂对栅极金属层的蚀刻速率大于对栅极阻障层的蚀刻速率；利用第二反应剂来对栅极阻障层与栅极金属层进行第二平坦化工艺，用以除去部分的栅极阻障层与栅极金属层，第二反应剂对栅极阻障层的蚀刻速率大于对栅极金属层的蚀刻速率
应用于半导体元件工艺中的平坦方法以及栅极构造

[发明专利]栅极再氧化方法及半导体结构的制造方法-CN200910199997.7无效
发明人：何有丰;胡亚兰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极再氧化方法及半导体结构的制造方法。所述栅极再氧化方法，包括：在图案化栅电极层及栅极介电层形成栅极叠层结构后，进行氧化工艺，在栅极叠层结构及衬底表面形成氧化层，所述氧化工艺采用纯氧气体氛围，所述氧化工艺的温度小于或等于800℃。所述栅极再氧化方法减少了再氧化工艺后氧化层厚度的差异。因此，避免了对后续制程产生不利影响。
栅极氧化方法半导体结构制造

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