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- [发明专利]闪存结构及其形成方法-CN202210630988.4在审
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曹子贵
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2022-06-06
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2022-09-02
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H01L27/11524
- 一种闪存结构及其形成方法，其方法包括：位于浮栅材料层表面相互分立的两个初始控制栅结构，各初始控制栅结构包括初始控制栅、位于初始控制栅上的牺牲层和第一侧墙，初始控制栅之间具有控制栅开口，牺牲层之间具有暴露出控制栅开口的牺牲开口，第一侧墙位于牺牲开口侧壁；在控制栅开口和牺牲开口暴露出的初始控制栅结构侧壁形成初始第二侧墙和位于初始第二侧墙侧壁的第一介质层；刻蚀初始第二侧墙，直到初始第二侧墙顶部表面低于初始控制栅结构顶部表面，以形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，刻蚀浮栅材料层，直到暴露出衬底，以形成过渡浮栅，所述过渡浮栅之间具有浮栅开口，在控制栅开口、牺牲开口和浮栅开口内形成擦除栅结构，提高工艺窗口。
- 闪存结构及其形成方法
- [发明专利]一种分栅式存储器的制造方法-CN202011052501.6有效
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于涛
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-09-29
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2023-09-08
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H10B41/30
- 本发明提供一种分栅式存储器的制造方法，包括：在衬底上依次形成氧化层、浮栅层和分立的硬掩膜层；依次形成介质层和控制栅层；形成第一侧墙并刻蚀控制栅层；形成第二侧墙和第三侧墙，刻蚀介质层、浮栅层和氧化层并停止在衬底上；形成字线氧化层和字线；去除硬掩膜层并形成第四侧墙。通过先在浮栅层上形成硬掩膜层，再在硬掩膜层上形成介质层和控制栅层，使得后续控制栅在第一侧墙和第四侧墙之间，如此在形成插塞以对控制栅引出连接线时，可以直接从第一侧墙和第四侧墙之间的控制栅层上引出，而无需从第四侧墙外引出，减少了第四侧墙外的空间，进而可以缩小分栅式存储器的尺寸，解决了分栅式存储器中由于控制栅引出端凸出在侧墙之外，导致分栅式存储器的尺寸无法缩小的问题。
- 一种分栅式存储器制造方法
- [发明专利]液晶显示器及其显示面板-CN201711484055.4有效
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樊勇
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惠州市华星光电技术有限公司
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2017-12-29
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2020-10-23
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G02F1/1334
- 本发明提供一种液晶显示器及其显示面板，显示面板包括第一基板、第二基板、PDLC层及多个栅墙结构，第一基板与第二基板相对设置，PDLC层、多个栅墙结构位于第一基板与第二基板之间，多个栅墙结构间隔设置于PDLC层中，每一个栅墙结构包括透明栅墙及覆盖于透明栅墙表面的膜结构，膜结构沿远离透明栅墙的方向顺序包括第一至第N膜层，第一至第N膜层中任意相邻两个膜层的折射率不同，膜结构朝向透明栅墙的一面的反射率要高于膜结构背离透明栅墙的一面的反射率由于膜结构朝向透明栅墙的一面的反射率较高，提升了光能利用率，而膜结构背离透明栅墙的一面的反射率较低，从而提升显示图像的对比度、降低驱动成本和功耗、延长液晶的使用寿命。
- 液晶显示器及其显示面板
- [发明专利]分立栅存储器件及其形成方法-CN201210378507.1有效
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李勇
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2012-09-29
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2014-04-09
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H01L21/8247
- 本发明提供一种分立栅存储器件及其形成方法。分立栅存储器件的形成方法包括：提供衬底，衬底上形成控制栅结构，相邻两个控制栅结构之间的区域为擦除栅区，相邻两个控制栅结构与所述擦除栅区相对的一侧为字线区；所述控制栅结构周围形成第一侧墙；第一侧墙周围形成第二侧墙；第二侧墙周围形成牺牲侧墙；形成浮栅；去除所述牺牲侧墙，暴露出浮栅部分；形成隧穿介质层，在字线区形成字线，在擦除栅区形成擦除栅。本发明还提供一种分立栅存储器件。本发明的第一、第二侧墙增加了字线与控制栅、字线与浮栅、控制栅与擦除栅之间的隔离效果，提高了存储器件的编程效率、均匀性和擦除效率、均匀性，尤其减小字线与浮栅之间的漏电，以解决写入干扰问题。
- 分立存储器件及其形成方法
- [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202010693426.5在审
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汤志林;王卉;付永琴;孙琪
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-07-17
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2020-10-20
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H01L21/28
- 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成自下而上依次堆叠的第一氧化层、浮栅层和伪栅层；刻蚀伪栅层以形成伪栅极；依次形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙覆盖伪栅极的侧壁，第二侧墙至少覆盖第一侧墙的底部，且第二侧墙不高于第一侧墙；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，刻蚀浮栅层和第一氧化层并停止在衬底上。通过在形成第一侧墙之后，在第一侧墙的底部形成第二侧墙，即增加了侧墙的厚度，进而在以第一侧墙和第二侧墙为掩膜刻蚀浮栅层时，由于增加了侧墙的厚度而保留了较长的浮栅层，进而增强了沟道的关断能力，解决了分栅快闪存储器由于侧墙厚度较薄而导致浮栅长度变短，使得分栅快闪存储器在编程时容易发生失效的问题。
- 一种半导体器件制造方法
- [发明专利]闪存结构的形成方法-CN202211137969.4在审
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曹子贵
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2022-09-19
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2022-12-20
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H01L27/11517
- 一种闪存结构的形成方法，包括：初始控制栅之间具有控制栅开口，牺牲层之间具有暴露出控制栅开口的牺牲开口，第一侧墙位于牺牲开口侧壁；在控制栅开口和牺牲开口暴露出的初始控制栅结构侧壁形成第一介质层、位于第一介质层侧壁的初始第二侧墙和位于初始第二侧墙侧壁的第二介质层，初始第二侧墙的材料不同于第一介质层和第二介质层的材料；刻蚀初始第二侧墙，直到初始第二侧墙顶部表面低于初始控制栅结构顶部表面，以形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，刻蚀浮栅材料层，直到暴露出衬底，以形成过渡浮栅，过渡浮栅之间具有浮栅开口；在控制栅开口、牺牲开口和浮栅开口内形成擦除栅结构，提高了工艺窗口和器件性能的稳定性。
- 闪存结构形成方法
- [实用新型]木剪力墙结构系统-CN201020683153.8有效
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张家华;高承勇;秦惠纪
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上海现代建筑设计（集团）有限公司
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2010-12-27
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2011-08-17
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E04B1/02
- 本实用新型提出的木剪力墙结构系统，包括：多个搁栅、上层木剪力墙以及下层木剪力墙。当上层木剪力墙与下层木剪力墙之间有水平错位时，上层木剪力墙以及下层木剪力墙之间的楼盖、屋盖连续，且多个搁栅之间用填块加强，搁栅与上层木剪力墙通过抗拔连接件连接，搁栅与下层木剪力墙通过抗拔连接件连接。本实用新型还提出了一种木剪力墙结构系统，包括：多个搁栅、多个木剪力墙。当支承同一楼盖、屋盖的木剪力墙平面之间有水平错位时，所述搁栅之间用填块加强。本实用新型提供的木剪力墙结构系统通过在搁栅之间用填块加强以及上层木剪力墙、下层木剪力墙和搁栅之间用抗拔连接件连接，当错位不大于1.2m时，能够解决上层木剪力墙与下层木剪力墙之间有水平错位以及支承同一楼盖、屋盖的墙肢平面之间有水平错位剪力有效传递的问题。
- 剪力结构系统
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