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[发明专利]一种新型的声表面波滤波器结构及其制备方法-CN202111584898.8在审
发明人：董波 -专利权人：西安聚安光科物联网科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种声表面波滤波器结构及其制备方法，包括：声表面波滤波器的阶梯型的叉指和反射栅结构；利用双光子聚合工艺制备该结构的工艺方法：第一掩膜版和第二掩膜版均包括镂空型的多个插指电极和反射栅；将所述第一掩膜版置于压电晶体表面进行对版并镀膜得到初始的插指电极和反射栅；按照预设的阶梯电极偏差尺寸将所述第二掩膜版与第一掩模版进行对版然后进行二次镀膜，得到具有预设周期的多个阶梯型的插指电极和反射栅。
一种新型表面波滤波器结构及其制备方法

[实用新型]一种叉指背接触电池结构-CN202222097214.8有效
发明人：欧文凯;李含朋;向亮睿 -专利权人：普乐新能源科技（徐州）有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叉指背接触电池结构，属于太阳能电池及电池组件制造工艺技术领域。p+区和n+区的掺杂区、包括p+区钝化层和n+区钝化层的背面钝化层、以及电极：所述p+区包括多个p+区段，所述n+区包括多个n+区段，p+区段和与之相邻的n+区段之间对应设有隔断区；所述电极至少包括副栅；所述副栅包括：设在p+区钝化层上的多条p+副栅、以及设在n+区钝化层上的多条n+副栅；p+副栅与n+副栅交替排列。本实用新型中设计连续叉指分布的发射区/基区，发射区/基区交界位置完全隔离，可减少载流子复合，在发射区/基区上设计不同数量的副栅电极，可提高电极对少数载流子的收集。
一种叉指背接触电池结构

[实用新型]变电站一次设备用无源无线温度传感器-CN201720751713.0有效
发明人：武永超;徐文渊;王龙华;王溪;覃兆宇;占娜;王磊;穆青青;潘哲哲;万潇文;张东辉;刘晓波;刘晓丽;沈杨;宋天斌 -专利权人：国网湖北省电力公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;湖北华中电力科技开发有限责任公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G01K11/24 文献下载
摘要：包括安装在一次设备上的无源无线谐振型声表面波温度传感器及信号接收器，无源无线谐振型声表面波温度传感器由声表面波温度传感器、阻抗匹配网络、天线组成，声表面波温度传感器由声表面波谐振器组成，声表面波谐振器包括叉指换能器及位于叉指换能器两侧的反射栅，位于叉指换能器两侧的反射栅构成了一个谐振腔；声表面波谐振器通过天线接受外部激励信号，叉指换能器将激励信号转换成声表面波，声表面波在谐振腔内形成驻波，在外部激励信号撤出后，声表面波谐振器将信号释放出去，
变电站一次备用无源无线温度传感器

[发明专利]一种声表面波温度传感器-CN201710651389.X在审
发明人：胡品健 -专利权人：武汉泽塔电气科技有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G01K11/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种声表面波温度传感器，包括SAW温度感应部分和SAW地址编码部分，SAW温度感应部分包括设置在基座上的两个以上SAW温度感应器件，SAW温度感应器件分别包括压电基片和设置在压电基片上的叉指换能器和反射栅条，SAW地址编码部分包括设置于基座上的两个以上的SAW地址标签，SAW地址标签采用叉指换能器和地址标签反射栅条分离设置的SAW延迟线结构，地址标签反射栅条为带有编码的反射栅条。
一种表面波温度传感器

[发明专利]延迟线型声表面波传感器及其制作方法-CN202110141329.X在审
发明人：张利威;张海峰;孙云龙;廖明 -专利权人：上海航天电子有限公司;上海科学仪器厂有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01K11/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种延迟线型声表面波传感器及其制作方法，包括LTCC陶瓷衬底，衬底上方的压电陶瓷层，在LTCC陶瓷衬底下方的电极层，在压电陶瓷上设置一金电极的均匀结构的叉指换能器，以及三个沿声表面波传播方向设置的金电极的短路反射栅；均匀叉指换能器可以直接激励或接收声表面波，当输入电信号后，通过压电基片的逆压电效应，将电信号转化为机械信号，以声表面波的形式在压电基片上传播，并分别由第一反射栅、第二反射栅与第三反射栅所反射，再通过压电基片的压电效应
延迟线型表面波传感器及其制作方法

[发明专利]叉指状p-GaN栅结构HEMT型紫外探测器及其制备方法-CN202010373617.3在审
发明人：仲大佑;雷建明;郭慧;胡利群;张廷志;张开骁 -专利权人：南京冠鼎光电科技有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种叉指状p‑GaN栅结构HEMT型紫外探测器，其中所述p‑GaN层在AlGaN层上呈往复式折线型分布，在AlGaN层台面设有多根平行的横向p‑GaN线，且通过纵向p‑GaN线将所有平行的p‑GaN线首尾相连，形成一根完整的p‑GaN线，p‑GaN线将AlGaN层台面分割成两个部分；还包括设置在AlGaN层上的欧姆接触电极，所述欧姆接触电极为叉指结构，线形的叉指部分生长在横向p‑GaN线之间，与横向本发明叉指型的电极和特殊的p‑GaN设计减小了电极间距，增加有效受光面积，提高样品利用率，提高了器件的光增益。
叉指状 gan 结构 hemt 紫外探测器及其制备方法

[发明专利]弹性波谐振器、纵向耦合弹性波滤波器及宽带滤波器-CN202310828899.5在审
发明人：雷强;许夏茜;董元旦;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：包括设置在衬底上的叉指换能器和短路反射栅；叉指换能器包括汇流条、电极指和电极假指；汇流条包括第一汇流条和第二汇流条；电极指包括多个第一电极指和第二电极指；电极假指包括多个第一电极假指和多个第二电极假指；第一电极指、第一电极假指交替设置在第一汇流条上，第二电极指、第二电极假指交替设置在第二汇流条上；第一电极指与第二电极假指对应设置，第二电极指和第一电极假指对应设置。本发明谐振器的叉指换能器的电极指和其对应的电极假指的中心线不在同一直线上，减少了其电容成分，抑制了电击穿特别是静电击穿的潜在失效风险。
弹性谐振器纵向耦合滤波器宽带

[发明专利]一种双声路声表面波温度传感器-CN201510836156.8在审
发明人：郑天祥;陈硕;李璐;孙海江 -专利权人：国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司;国家电网公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： G01K11/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种双声路声表面波温度传感器，包括信号处理单元，以及设置在压电基片上的叉指换能器、多条耦合器、第一正负反射栅和第二正负反射栅；叉指换能器，用于接收天线发送的激励信号，在压电基片表面产生声表面波，以及接收正负反射栅反射回的信号；多条耦合器，改变声表面波中表面波信号的传播方向，使其依次经过第一正负反射栅和第二正负反射栅；不改变声表面波中体声波信号的传播方向，体声波信号传播至压电基片衬底边缘时，被吸声材料吸收
一种双声表面波温度传感器

[实用新型]采用降低表面电场技术的横向功率MOSFET器件结构-CN201120538144.4有效
发明人：武洁 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用降低表面电场技术的横向功率MOSFET器件结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有N阱漂移区、源区、漏区，N阱漂移区上形成有场氧区；源区通过接触孔连接源极，漏区通过接触孔连接漏极；场氧区上设置有栅多晶场板；所述源、漏极为叉指结构，指尖状的源极和漏极交替排列；第一栅极金属在器件一端通过接触孔与栅多晶相连；沿所述源极的指尖结构长度方向设置有第二栅极金属，第二栅极金属与所述栅多晶平行，所述第二栅极金属通过多个栅金属接触孔与栅多晶相连本实用新型通过改善叉指状横向功率MOSFET的栅极，能够改善器件沿指尖方向的开关均匀性，增加指尖的结构长度，增加允许最大电流，改善器件的安全工作区。
采用降低表面电场技术横向功率 mosfet 器件结构

[实用新型]通信用低插损声表面波中频滤波器-CN97227680.7无效
发明人：何世堂;金国华;魏建辉 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 1997-09-25 - 公布日： 1999-06-09 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本实用新型涉及应用声学中的一种声表面波中频滤波器,它以Y112°LiTaO3为基片,两个叉指换能器均采用控制电极宽度单相单向换能器。两换能器加权可以都是抽指加权,也可以是一切指加权,另一为抽指加权,也可以是一切指加权,另一为不加权,还可以是一抽指加权,另一为不加权。其中反射栅加权均采用抽指加权。反射信号的强度通过改变反射栅条厚度来控制,从而控制滤波器的插入损耗。本实用新型在相对大的带宽内获得低插损。
通信用低插损声表面波中频滤波器

[实用新型]用于TD-SCDMA手机的声表面波中频滤波器-CN201120514096.5有效
发明人：何世堂;徐方迁;刘建生 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：一种用于TD-SCDMA手机中的声表面波中频滤波器，其由制作在ST-X石英压电晶体基片上的输入、输出单相单向叉指换能器和位于二者间的中间屏蔽条组成；输入和输出换能器长度分别为162λ和310λ；输入和输出换能器均由分裂指条、反射栅条及汇流条组成；分裂指条宽度λ/8，反射栅条宽度λ/4；分裂指条可分为实现声/电能相转的电极指条、补偿声波传播相位的填充指条两种；两相邻分裂指条间隔为λ/4，反射栅条与相邻分裂指条间隔为3λ/8；λ为滤波器中心频率对应的声表面波波长；其优点：采用ST-X石英，温度稳定性好；可通过改变反射栅条的金属铝膜厚度调控换能器反射强度，其插入损耗小于9dB，通带内群时延波动小于40ns，中心频率264MHz
用于 td scdma 手机表面波中频滤波器

[发明专利]一种基于纳米压印工艺的声表面波传感器制造方法-CN201510184216.2在审
发明人：周子冠;欧清海;刘柱;甄岩;李温静;王云棣;于华东;张喆 -专利权人：国家电网公司;国网信息通信产业有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01K11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米压印工艺的声表面波传感器制造方法，包括：生成刻有叉指换能器以及位于叉指换能器左、右两侧的反射栅的分布图案的一次压印模板；使用一次压印模板采用分步重复压印方法在基片上连续印制，将该基片制作为具有多个与一次压印模板上的图案相同的二次压印模板本发明的基于纳米压印工艺的声表面波传感器制造方法，可以准确控制叉指换能器的生成，从而实现极高的测量精度与一致性，可以通过降低换能器叉指电阻来降低高频声表面波器件的插入损耗，稳定的提升传感器品质因素Q值，具有极高的实用性，并且可以降低叉指换能器制作成本，无污染。
一种基于纳米压印工艺表面波传感器制造方法

[实用新型]一种采用声表面波叉指换能器的微型天线-CN201120236951.0有效
发明人：陈培杕;雷爱红;孙娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：声表面波换能器单元为单个叉指换能器，也可以由一个叉指换能器和两侧对称分布的反射栅阵构成。
一种采用表面波叉指换能器微型天线

[发明专利]高压电力电缆接头内置式温度在线监测系统-CN202110064995.8在审
发明人：庞丹;徐清山;王晓岩;戴斌;王振浩;于彬;闫宝新;林永朋;计光;王朝斌 -专利权人：国网吉林省电力有限公司长春供电公司;吉林省中科电缆附件有限公司;东北电力大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01K11/26 文献下载
摘要：本发明是由谐振型SAW传感器和内置SAW传感器的高压电缆接头构成；谐振型SAW传感器结构：在压电基片中部是叉指换能器，叉指换能器两端均连接天线，在叉指换能器两侧有等间距布置的反射栅，在反射栅外侧的压电基片上有吸声材料
高压电力电缆接头内置温度在线监测系统

[发明专利]一种敏感膜图形化的谐振型声表面波湿度传感器-CN202210252451.9在审
发明人：王文;陆铭慧;何新军;薛蓄峰;高旭;刘勋丰;朱颖 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01N29/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种敏感膜图形化的谐振型声表面波湿度传感器，所述湿度传感器包括压电基底(1)，压电基底(1)的上表面设置声表面波叉指换能器(2)，声表面波叉指换能器(2)的两侧分别设置声表面波反射栅(4)，在声表面波叉指换能器(2)和声表面波反射栅(4)的表面涂覆图形化敏感膜(3)。
一种敏感图形谐振表面波湿度传感器