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[发明专利]电化学装置和电子装置-CN202111056602.5有效
发明人：龚锣 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：一种电化学装置及电子装置，包括极性件及开关单元。极性件包括极性相反的第一极性件及第二极性件。开关单元电连接第一极性件和第二极性件。开关单元包括压力敏感件或温度敏感件中的至少一种，开关单元用于导通或断开第一极性件或第二极性件的电连接。
电化学装置电子

[发明专利]多输出升压整流电路-CN202210309370.8在审
发明人：朱明;郁镓瑄 -专利权人：郁镓瑄
申请日： 2022-03-27 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H02M5/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种多输出升压整流电路，特别是采用二极管和电容构成的单相双极性多输出电源、三相单极性或双极性多输出电源和多相单极性或双极性多输出电源，属于电子电路或电源电路。多输出升压整流电路分为单相、两相、三相与多相四种形式；还分为单极性与双极性两种形式，单极性分为正极性与负极性，双极性分为对称与不对称；还分为奇级数与偶级数两种结构类型，连接上有电容串接与电容星接两种形式双极性多输出升压整流电路由两种不同极性的多输出升压整流电路构成。三相或多相升压整流电路由中央电容柱、交联二极管柱和外围电容柱构成，电源电压的纹波脉动小。
输出升压整流电路

[发明专利]一种极性共轭烯烃聚合物及其制备方法和应用-CN202210420395.5在审
发明人：王庆刚;王亮;李仁辉;匡佳;徐广强 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C08F236/08 文献下载
摘要：一种极性共轭烯烃聚合物及其制备方法和应用。本发明属于烯烃配位聚合领域。本发明的目的是为了解决目前非极性烯烃材料与极性材料相容性差且极性烯烃材料制备困难的技术问题。本发明的一种极性共轭烯烃聚合物由极性共轭二烯烃单体和非极性共轭二烯烃单体经铁系催化剂催化共聚而成，极性共轭二烯烃单体的插入率为0.1％～100％，所述极性共轭烯烃聚合物的数均分子量为10.0×10极性单体的直接共聚，成功制备了功能化极性共轭烯烃聚合物，分子量较高，分子量分布较窄，极性单体的插入率可高达25％。极性共轭烯烃聚合物的制备方法高效、简单，催化活性高，应用前景广阔。
一种极性共轭烯烃聚合物及其制备方法应用

[发明专利]一种锂离子电池正极水性粘合剂及其制备方法-CN202211367815.4在审
发明人：李强 -专利权人：常棣科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池正极水性粘合剂及其制备方法，由丙烯酸及其衍生物聚合而成的多元共聚物形成的乳液分散体组成，多元共聚物按照侧基极性大小和聚合过程，形成ABC三链段结构，分别是强极性链段、弱极性链段和非极性链段；强极性链段由带强极性基团的丙烯酸或丙烯酸衍生物的单体、或丙烯酸盐聚合而成，弱极性链段由带弱极性基团的丙烯酸酯及其衍生物聚合而成，非极性链段由带非极性基团的丙烯酸酯及其衍生物聚合而成。本发明分别合成强极性、弱极性、非极性链段，制备出的粘合剂乳液的机械稳定性好，在分散过程中不会出现团聚等破乳现象；表面张力较低，更加利于对导电剂和正极材料的分散，大大提高分散效率以及成膜性。
一种锂离子电池正极水性粘合剂及其制备方法

[发明专利]一种叠层电池、电池组件和光伏系统-CN202310918986.X在审
发明人：林文杰;邱开富;王永谦;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：叠层电池包括钙钛矿子电池和晶硅子电池，沿从钙钛矿子电池至晶硅子电池的方向，钙钛矿子电池包括依次层叠的第一极性传输层、钙钛矿层和第二极性传输层，晶硅子电池包括依次层叠的第三极性传输层、晶硅层和第四极性传输层，第二极性传输层与第三极性传输层的极性不同，第二极性传输层与第三极性传输层相接。如此，不需要在第二极性传输层与第三极性传输层之间沉积缓冲层，第二极性传输层与第三极性传输层可以直接接触实现导电，可以减少缓冲层的沉积工艺，从而降低成本，也可以减少缓冲层的寄生吸收，有利于提高叠层电池的光电转换效率
一种电池组件系统

[发明专利]基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管及制备方法-CN201510287664.5有效
发明人：张雄;张恒;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管，属于半导体器件技术领域。该发光二极管包括自下而上依次设置的氮极性面n型半导体层、氮极性面多量子阱有源区、氮极性面电子阻挡层、氮极性面p型半导体层，所述氮极性面p型半导体层上层设置有p型电极，所述发光二极管还包括设置于氮极性面n型半导体层侧面且与氮极性面n型半导体层完全键合的金属极性面n型半导体层，所述金属极性面n型半导体层的上表面设置有n型电极。相比现有技术，本发明以金属极性面n型半导体层作为氮极性面发光二极管中n型半导体层的欧姆接触层，可以避免氮极性面n型半导体层上不易制作良好欧姆电极的问题，且制备工艺简单，实现成本低。
基于金属氮化物半导体极性发光二极管制备方法

[发明专利]元器件极性检测方法、系统、计算机可读存储介质及设备-CN201710980261.8有效
发明人：钱胜杰;瞿永建;刘继硕;刘丰收 -专利权人：上海望友信息科技有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种元器件极性检测方法、系统、计算机可读存储介质及设备，元器件极性检测方法包括：从待检测PCB极性图形层中挑选出与预创建的元器件极性符号的模板库中图形相似的第一元器件符号，并从挑选出的第一元器件符号中筛选出具有极性的第二元器件符号；遍历每一具有极性的第二元器件符号，以检测所述具有极性的第二元器件符号上是否存在模板库已储存的极性符号，若存在，审查该第二元器件符号的极性符号的极性位置是否正确，若不正确，输出该第二元器件符号的极性符号的极性位置错误报告本发明提高了元器件极性检测效率，缩短检测时间，出错率低，在推动电子行业智能化过程中发挥着不容忽视的作用。
元器件极性检测方法系统计算机可读存储介质设备

[发明专利]双栅极横向像素反转驱动方法-CN201110391716.5有效
发明人：夏志强 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双栅极横向像素的反转驱动方法，主要包括：在每个预设时间段内仅打开一条栅极线，并向连接该栅极线的子像素的薄膜晶体管栅极发送栅极信号；在每个预设时间段内打开数据线，在横向上，相邻的两个子像素电连接的数据线输入相反极性的极性信号；在纵向上，由第一行子像素起始，相邻一行子像素电连接的数据线输入相同极性的极性信号，每隔一行的子像素电连接的数据线输入的相反极性的极性信号。本发明通过上述极性反转方式进行驱动，使得横向的子像素对应的极性正极性和负极性交替出现，纵向的子像素两两对应的极性正极性和负极性交替出现。
栅极横向像素反转驱动方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法-CN201910686549.3有效
发明人：单亚东;谢刚;胡丹 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：肖特基二极管包括依次形成于衬底表面的镓极性GaN层、氮极性GaN层、钝化层；多个第一凹槽，其穿过钝化层、氮极性GaN层位于镓极性GaN层的上表面；第二凹槽，其穿过钝化层位于氮极性GaN层之中；第一阴极和第二阴极，其形成在第一凹槽之中并且形成为与镓极性GaN层电接触；阳极，其形成在第一阴极和第二阴极之间且与氮极性GaN层电接触；氧化镓，形成于第一凹槽内暴露出的镓极性GaN层、氮极性GaN层区域；氮氧化镓层，形成在第二凹槽内暴露出的氮极性通过在阴极和镓极性GaN层与氮极性GaN层之间设置氧化镓，在阳极和氮极性GaN层之间设置氮氧化镓层可以显著降低肖特基二极管的漏电流。
一种肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]激活波阵面的混合的双极性/单极性检测-CN201510046906.1有效
发明人： R.P.M.豪本;M.巴-塔;L.博特策 -专利权人：韦伯斯特生物官能(以色列)有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： A61B5/0402 文献下载
摘要：双极性电描记图和单极性电描记图从探头的电极记录，并且关于时间进行微分。在微分的双极性电描记图中识别峰值。限定包括关于峰值的双极性活动的活动窗口。在活动窗口内的微分的单极性电描记图中的负极值被报告为单极性激活开始。在一个方面，通过将未能与双极性电描记图中的活动关联的候选排除，从活动窗口内的微分的单极性电描记图中的候选极小处选择注释。
激活波阵面混合极性检测

[发明专利]极性纠正电路以及包含该电路的系统-CN200410031563.3有效
发明人：托马斯·F·伯基 -专利权人：传感电子公司
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：一个极性纠正电路，包含一个极性控制器以及一个倒置电路。配置极性控制器用来检测极性敏感信号中的不正确的极性，并提供一个倒置信号作为不正确极性的响应。本发明电路将倒置极性敏感信号作为倒置信号的响应。一个按照本发明的视频系统包括一个按照本发明的极性纠正电路，并且还提供一个用来纠正发射和接收的错误连接的电路。
极性纠正电路以及包含系统

[发明专利]激活波阵面的混合的双极性/单极性检测-CN201910869536.X有效
发明人： R.P.M.豪本;M.巴-塔;L.博特策 -专利权人：韦伯斯特生物官能（以色列）有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： A61B5/283 文献下载
摘要：双极性电描记图和单极性电描记图从探头的电极记录，并且关于时间进行微分。在微分的双极性电描记图中识别峰值。限定包括关于峰值的双极性活动的活动窗口。在活动窗口内的微分的单极性电描记图中的负极值被报告为单极性激活开始。在一个方面，通过将未能与双极性电描记图中的活动关联的候选排除，从活动窗口内的微分的单极性电描记图中的候选极小处选择注释。
激活波阵面混合极性检测

[发明专利]制备非极性A面GaN薄膜的方法-CN201210313725.7无效
发明人：赵桂娟;李志伟;桑玲;魏鸿源;刘祥林;朱勤生;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备非极性A面GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层；在非极性A面InGaN柔性层生长非极性A面GaN缓冲层；对非极性A面InGaN柔性层和非极性A面GaN缓冲层进行退火，形成自组装横向外延模板；以及在自组装横向外延模板上生长非极性采用本发明自组装纳米尺度的横向外延模板可以改善薄膜质量，获得具有较高晶体质量的非极性GaN薄膜。
制备极性 gan 薄膜方法

[实用新型]生长在LiGaO₂衬底上的非极性掺杂GaN薄膜-CN201220684195.2有效
发明人：李国强;杨慧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性掺杂GaN薄膜；所述非极性GaN薄膜为非极性p型GaN薄膜或非极性n型GaN薄膜。与现有技术相比，本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
生长 ligao sub 衬底极性掺杂 gan 薄膜

[发明专利]具有用于电源反接的保护与侦测机制的车用电器装置-CN201710054711.0在审
发明人：陈建名 -专利权人：瑞柯科技股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：一种车用电器装置，包括电源接脚、接地接脚、转换电路、极性侦测电路及电器主体。转换电路耦接电源接脚与接地接脚以分别接收第一电压信号与第二电压信号，并以此产生系统电压与接地电压。极性侦测电路侦测第一电压信号及第二电压信号至少其中之一的极性，并产生极性侦测信号。电器主体具有电源端、接地端及控制端。电源端接收系统电压，接地端接收接地电压，控制端接收极性侦测信号。当电器主体根据极性侦测信号判断第一电压信号的极性与电源接脚的极性不同，且第二电压信号的极性与接地接脚的极性不同时，电器主体启动第一功能。
具有用于电源反接保护侦测机制用电装置