专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种塑料用改性纳米氧化复合物及其制备方法-CN202110735268.X有效
  • 杨逸峰;施伟;陆建 - 科迈特新材料有限公司
  • 2021-06-30 - 2022-05-27 - C09C1/04
  • 本发明公开了一种塑料用改性纳米氧化复合物,具体涉及塑料加工技术领域,包括以下原料:活性纳米氧化、改性剂和改性二氧化硅,所述改性剂包括有季铵盐溶液、甜菜碱、三聚磷酸钠和硝酸银。本发明采用改性剂和改性二氧化硅对纳米氧化进行改性处理,季铵盐与纳米氧化分散液混合反应能够有效提高纳米氧化复合物的抗菌性能,而甜菜碱和三聚磷酸钠与纳米氧化反应后不仅分散性好、稳定性好、与有机物的相容性好,还能提高氧化的耐光性和耐候性,能够使得改性后的纳米氧化更好的填充到塑料中,使得塑料的抗老化性和抗菌效果更好,硝酸银能够负载在纳米氧化上,能够有效提高纳米氧化的抗菌性能。
  • 一种塑料改性纳米氧化锌复合物及其制备方法
  • [实用新型]防潮式氧化避雷器-CN201320284962.5有效
  • 林剑锋 - 浙江伏尔特电器有限公司
  • 2013-05-22 - 2013-11-06 - H01C7/12
  • 实用新型公开了一种防潮式氧化避雷器,其技术方案要点是,包括绝缘外套,所述绝缘外套包括绝缘筒和套设在绝缘筒外表面的伞状套,所述绝缘筒内设有内绝缘杆和套设在内绝缘杆上的氧化阀片,内绝缘杆一端只有用于压紧氧化阀片的螺旋弹簧,所述氧化阀片外表面设有疏水层。在氧化阀片的外表面涂设疏水层,确保氧化阀片能够在经过干燥工艺过程后,氧化阀片百分百不残留水分,并且大大方便了干燥程序的进行,防止因氧化阀片干燥不足而导致避雷器内部受潮的影响,大大提高避雷器使用的安全性
  • 防潮氧化锌避雷器
  • [发明专利]一种制备p型ZnO纳米线的方法-CN201310117931.5无效
  • 陈新影;楚学影;方芳;李金华;魏志鹏;孙韶伟;王晓华 - 长春理工大学
  • 2013-04-08 - 2013-07-10 - C01G9/02
  • 本发明涉及一种基于柯肯达尔效应(Kirkendall)的扩散原理与核壳结构制备非掺杂的纳米p型氧化(p-ZnO)的方法,属于纳米材料技术领域。其主要过程为:在附有氧化籽晶的硅衬底上利用水热法生长氧化纳米棒阵列,然后利用原子层沉积技术沉积氧化铝薄层与氧化薄层包覆在纳米棒表面,薄层的厚度小于纳米棒的半径,形成ZnO/Al2O3/ZnO的多层结构,再将此结构进行退火处理,在700℃的高温下于空气中退火3小时,氧化中的离子扩散进入氧化铝中形成铝酸包覆在氧化外面,同时在氧化纳米棒中形成受主空位,显示为p型氧化的特性,如图所示。
  • 一种制备zno纳米方法
  • [实用新型]光伏发电专用无间隙金属氧化物避雷器-CN201420851683.7有效
  • 邢功朝;王鹏 - 陕西鑫盾科技有限公司
  • 2014-12-27 - 2015-05-13 - H01C7/12
  • 实用新型公开了一种光伏发电专用无间隙金属氧化物避雷器,包括复合外套,复合外套内从上至下依次设置的第一氧化电阻片组、第二氧化电阻片组、第三氧化电阻片组和第四氧化电阻片组,第四氧化电阻片组接地,第一氧化电阻片组和第二氧化电阻片组上均并联有滤波电容,通过四组氧化电阻片组吸收过电压,滤波电容吸收光伏放电系统中产生的高次谐波,能够实现对光伏发电系统中产生的雷电过电压和操作过电压的吸收,实用新型具有机绝缘的复合外套
  • 发电专用间隙金属氧化物避雷器
  • [发明专利]一种氧化纳米花改性聚乙烯醇抗菌材料及制备方法-CN202011603902.6在审
  • 郝秀花 - 郝秀花
  • 2020-12-30 - 2021-05-28 - C08L29/04
  • 本发明涉及光催化脱硫技术领域,且公开了一种氧化纳米花改性聚乙烯醇抗菌材料,水热法合成氧化纳米花,聚乙二醇为氧化的生长提供了形核点,在柠檬酸三钠的作用下,氧化自组装成氧化纳米花,合成了比表面积较大的花状形貌,氧化纳米花与硅烷偶联剂反应,引入了活性氨基,将氨基化氧化纳米花与丁二酸酐反应,引入大量的活性羧基,得到羧基化氧化纳米花,在N,N‑二环己基碳二亚胺和4‑二甲氨基吡啶的作用下,羧基化氧化纳米花与聚乙二醇反应,形成酯键,通过化学键连接,使氧化纳米花均匀分散在聚乙二醇中,避免了氧化的团聚,暴露出更多的光催化抗菌活性位点,有效地提高了聚乙烯醇的光催化抗菌性能。
  • 一种氧化锌纳米改性聚乙烯醇抗菌材料制备方法
  • [实用新型]一种具有导电氧化铝薄膜的OLED器件及其蒸镀装置-CN201420319754.9有效
  • 任茂胜;刘腾蛟;范江峰 - 江苏生美工业技术集团有限公司
  • 2014-06-16 - 2014-11-05 - H01L51/50
  • 实用新型涉及一种具有导电氧化铝薄膜的OLED器件,包括金属阴极层、电子传输层、有机发光层、空穴注入层、半透明阳极层、基板、抗反射层、氧化铝薄膜层一、氧化铝薄膜层二和阻挡涂层,基板上为阻挡涂层,阻挡涂层上设置至少一层氧化铝薄膜层二,氧化铝薄膜层二上为半透明阳极层,半透明阳极层上为空穴注入层,空穴注入层上为有机发光层,有机发光层上为电子传输层,电子传输层上为金属阴极层,金属阴极层上设置至少一层氧化铝薄膜层一,氧化铝薄膜层一上为抗反射层;实用新型还涉及一种具有导电氧化铝薄膜的OLED器件的蒸镀装置;产品可制成超薄、质轻、抗震的可弯曲显示器。
  • 一种具有导电氧化锌薄膜oled器件及其装置
  • [发明专利]一种二硫化钼负载钴掺杂氧化光催化降解材料及制法-CN202011390983.6在审
  • 钱建强 - 桐乡市吉曼尔信息技术有限公司
  • 2020-12-02 - 2021-03-16 - B01J27/051
  • 本发明涉及光催化降解材料技术领域,且公开了一种二硫化钼负载钴掺杂氧化光催化降解材料,水热法合成钴掺杂花状纳米氧化过程中,对氧化的形貌进行控制,生成了纳米花状氧化,二价钴掺杂代替氧化中的二价,产生带隙能红移,提高了氧化的可见光吸收能力,通过热熔剂法合成二硫化钼负载钴掺杂氧化光催化降解材料,氧化和二硫化钼的能带匹配,可以形成异质结结构,在受到光辐射时,氧化和二硫化钼的电子均被激发并从价带跃迁至导带形成载流子,抑制了光生电子和空穴的复合,同时光生电子聚集在氧化的导带上并在吸附氧气后形成超氧自由基,该超氧自由基能够和水反应,生成羟基自由基,能高效降解有机物。
  • 一种二硫化钼负载掺杂氧化锌光催化降解材料制法
  • [发明专利]一种p型氧化纳米棒阵列的制备方法-CN201110082923.2无效
  • 王相虎 - 上海电机学院
  • 2011-04-02 - 2011-08-24 - C30B29/16
  • 本发明属于半导体光电子器件技术领域,是一种p型氧化纳米棒阵列的制备方法,包括以下步骤:(1)制备高纯度氧化薄膜过渡层:①选用石英、蓝宝石或硅制备衬底;②制备高纯度氧化薄膜过渡层;(2)P型氧化纳米棒阵列的制备:①选用钾合金源块与具有氧化过渡层的衬底一起放在石英舟上送真空退火炉的石英管中进行p型氧化纳米棒阵列的生长;②p型氧化纳米棒阵列的生长步骤为:一、给真空退火炉抽真空;二、给真空退火炉加热;三、通入Ar:O比值为2:1的混合气体,生长20分钟,获得p型氧化纳米棒阵列。本发明的积极效果是:可以有效解决p型氧化难以制备的问题,为生产氧化基光电子器件打下坚实的基础。
  • 一种氧化锌纳米阵列制备方法
  • [发明专利]一种低电阻率的氧化压敏电阻及其制备方法-CN202110714158.5在审
  • 舒正福;李洋 - 深圳市中鹏电子有限公司
  • 2021-06-25 - 2021-08-13 - H01C17/00
  • 本发明公开了一种低电阻率的氧化压敏电阻及其制备方法,其中,所述低电阻率的氧化压敏电阻的制备方法通过在制备原料中加入去离子水进行砂磨处理后得到辅助添加浆料,其中,所述制备原料包括氧化钴、三氧化二锑、四氧化三锰、氧化铟、氧化铋、三氧化二镍、硝酸铝和硝酸银;之后,在所述辅助添加浆料中添加氧化搅拌后得到粉体浆料;再将所述粉体浆料进行造粒处理后得到粉体;然后将所述粉体进行压片成型处理后得到氧化压敏坯片;最后,将所述氧化压敏坯片进行烧结处理后得到氧化压敏电阻,通过添加氧化铟能够有效降低氧化压敏电阻的电阻率,提高氧化压敏电阻的保护水平。
  • 一种电阻率氧化锌压敏电阻及其制备方法

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