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[发明专利]一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法-CN201510029340.1有效
发明人：包小倩;卢克超;汤明辉;高学绪 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法。将Dy‑Cu合金速凝薄带或普通铸锭粗破后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理，在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Dy‑Cu的薄层，从而获得高矫顽力钕铁硼磁体。扩散源Dy‑Cu合金在晶界扩散热处理温度范围内会熔化为液态，不仅可以将Dy‑Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后作为扩散源，省去制成细粉并表面涂覆的过程，而且能够加速Dy、Cu元素在晶界的扩散，提高扩散层的深度
一种扩散 dy cu 合金制备性能钕铁硼磁体方法

[发明专利]一种全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201910926498.7有效
发明人：刘治科;赵欢;韩玉;段晨阳;杨少敏;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该全无机钙钛矿太阳电池在CsPbI2Br钙钛矿吸收层中掺杂Ni元素，使得结晶的钙钛矿吸收层中，Ni在钙钛矿晶界处富集，一方面Ni元素在缺陷位置生成，使得晶界处的缺陷无法扩散；同时晶界处部分Pb离子被半径更小的Ni离子替代，提高了晶界处CsPbI2Br钙钛矿的容忍因子，相对于未掺杂Ni元素的CsPbI2
一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种抑制铁镍基合金氢致沿晶裂纹萌生与扩展的方法-CN201910695791.7有效
发明人：赵明久;胡红磊;戎利建 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C21D11/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁镍基合金领域，具体地说是一种通过引入锯齿晶界抑制铁镍基合金氢致沿晶裂纹萌生与扩展的方法，改善铁镍基合金易形成氢致沿晶开裂失效的问题。采用控制冷却速度热处理(以下简称控冷热处理)工艺，将合金部分平直晶界转变为锯齿晶界，增加合金氢致沿晶裂纹萌生和扩展阻力，具体为：高温保温处理→控冷处理→空冷→时效处理的工艺路线。本发明方法处理的铁镍基合金，可将部分高能平直随机晶界转变为低能锯齿晶界，且保证锯齿晶界最大振幅在1μm以上，在不损伤合金基础室温力学性能的前提下，对氢致沿晶裂纹的萌生与扩展有强烈的阻碍作用。
一种抑制铁镍基合金氢致沿晶裂纹萌生扩展方法

[发明专利]基于扫描电镜的元素晶界偏析半定量方法-CN201810292995.1在审
发明人：邢娟娟;梅静;顾辉;胡冬力;姜颖;胡添翼 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于扫描电镜的元素晶界偏析半定量方法，该方法包括样品制备、并在晶界处进行能谱分析，根据公示得到晶界处的偏析量，其中在晶界处和晶粒内的偏析元素固溶值来分别定义Casino模拟蒙特卡洛电子轨迹可得到电子束斑直径d1，可以再根据公示可以得到偏析元素在晶界处的化学宽度本发明在扫描电镜的平台下实现了晶界偏析的半定量，还具有制样方便、操作相对容易等优点。本发明方法是通过扫描电镜在晶界上收集能谱，并从晶界能谱中扣除晶粒的贡献后，获得晶界处的化学成分信息，能广泛应用于材料表征技术领域。
晶界扫描电镜晶界偏析半定量晶粒偏析元素能谱材料表征成分信息电子轨迹电子束斑能谱分析样品制备偏析量固溶制样扣除参考应用

[发明专利]一种晶界纳米复合强化钕铁硼磁体的制备方法-CN201310672137.7在审
发明人：崔熙贵;崔承云;程晓农;许晓静 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶界纳米复合强化钕铁硼磁体的制备方法，涉及永磁材料制备技术。其步骤为：1)主相合金采用铸造方法或速凝甩带方法制成铸锭或速凝薄带，晶界相合金采用快淬方法制成快淬带；2)将主相合金和晶界相合金分别制粉；3)将石墨烯纳米片粉末与晶界相合金粉末混合后进行球磨，使其均匀分散在晶界相合金粉末中；4)将石墨烯纳米增强的晶界相合金粉末与主相合金粉末均匀混合后，在磁场中取向压型制成生坯；5)将生坯进行放电等离子烧结和回火，制得高强韧的晶界纳米复合强化钕铁硼磁体。本发明通过晶界纳米复合强化提高晶界相的强韧性，在保证磁体磁性能的前提下，提高磁体本身的强韧性。本发明工艺简单，易操作，适于大规模批量化生产。
一种纳米复合强化钕铁硼磁体制备方法

[发明专利]一种提高钙钛矿太阳能电池吸光层稳定性的方法-CN202010216549.X有效
发明人：王玲玲;韩飞;曾国屏 -专利权人：江西省科学院应用化学研究所
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：一种提高钙钛矿太阳能电池吸光层稳定性的方法，所述方法包括（1）在导电衬底上制备电子传输层；（2）在带电子传输层的导电衬底表面滴加钙钛矿前驱液并旋涂，得到稳定的钙钛矿吸光层；（3）在钙钛矿吸光层上依次制备空穴传输层和对电极通过对钙钛矿晶粒进行修饰，钝化钙钛矿晶界，降低水和氧分子在钙钛矿晶界的吸附及对钙钛矿的分解，从而有效提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。
一种提高钙钛矿太阳能电池吸光层稳定性方法

[发明专利]一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片-CN201410383794.4在审
发明人：雷琦;胡动力;何亮;陈红荣 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直。本发明的相邻籽晶在生长过程中构成的晶界类型为重合位置点阵类型，晶界处的界面能很小，不易成为位错源，同时相邻籽晶的侧面晶向一致，使得生长过程中的相邻籽晶承受的应力状态相同，从而减少位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片
一种籽晶铺设方法单晶硅制备

[发明专利]透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置-CN202180012533.X在审
发明人：藤野望 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：透明导电层3具备：露出至外部的第1主面5、及与第1主面5在厚度方向相对的第2主面6。透明导电层3为在面方向延伸的单一的层。透明导电层3具有：剖视图中2个端缘23均在第1主面5开放、且两端缘23之间的中间区域25不与第2主面6接触的第1晶界7；和被所述第1晶界7分隔、且仅面向第1面5的第1晶粒31。
透明导电导电性接触传感器调光元件光电转换射线控制构件天线电磁波屏蔽

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202110891996.X在审
发明人：马涛;吴志林;艾飞 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提出了一种阵列基板及显示面板，其中，所述阵列基板包括衬底，设置于所述衬底一侧的种晶层，以及设置于所述种晶层一侧且远离所述衬底的第一金属层，其中，第一金属层与种晶层直接接触，本申请利用与第一金属层直接接触的种晶层诱导第一金属层的金属的结晶，使得第一金属层形成的晶粒较大，晶界较少，对电荷载流子散射更少，降低第一金属层的电阻率。
阵列显示面板

[发明专利]一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法-CN202010034117.7在审
发明人：姚青荣;王江;饶光辉;韦奇;黄伟超;周怀营 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法，其中，该制备方法包括：在钕铁硼再生磁体样品的表面涂覆一层Dy元素粉末，在真空烧结炉内进行烧结，使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散，最终形成壳层结构的钕铁硼永磁材料。本发明的Dy在钕铁硼晶界扩散合成性能更优异的永磁材料。钕铁硼再生磁体表面涂覆一层Dy元素粉末，在真空烧结炉内进行烧结，使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散合成具有重稀土包裹
一种利用 dy 制备钕铁硼永磁材料及其方法

[发明专利]一种同时提高多主相LaCe基烧结永磁材料矫顽力和耐腐蚀性的方法-CN202210051752.5在审
发明人：刘卫强;陈昊;岳明;郭子振;杨天元;李玉卿 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：～2.8μm；辅合金B为富稀土成分的(Nd,Ho)‑Fe‑B，气流磨粉粒径3～4.8μm；主合金A和辅合金B按8:2～5:5混合后采用高低温两步烧结制备的多主相磁体中存在富Nd/Ho的主相晶粒，优化了晶界相的成分并在主相晶粒之间形成连续均匀的晶界相层，在富LaCe主相晶粒的外层形成了一层均匀分布且较厚的富Nd/Ho壳层，提高了多主相LaCe基烧结磁体的矫顽力，晶界相中存在的(Nd,Ho)‑O相提高了富稀土相的电极电位，改善了耐腐蚀性。
一种同时提高多主相 lace 烧结永磁材料矫顽力腐蚀性方法

[发明专利]一种减缓离子迁移的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202111487589.9有效
发明人：李卫东;刘云;赵志国;赵东明;秦校军;王百月;蔡子贺;赵政晶;虞祥瑞 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供一种减缓离子迁移的钙钛矿太阳能电池，包括依次接触的衬底、第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层和电极层；所述钙钛矿层中包括钙钛矿材料和离子固化剂；所述离子固化剂为阴离子聚丙烯酰胺或阳离子聚丙烯酰胺本发明在钙钛矿层中添加了离子固化剂，其过大的分子半径不允许进入钙钛矿晶格，长链分子只能分布在钙钛矿薄膜的晶界位置，并补充空位，钝化晶界处的缺陷位点，防止晶界处离子迁移。
一种减缓离子迁移钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法-CN02134851.0无效
发明人：章士瀛;王振平;王守士;章仲涛 -专利权人：广东南方宏明电子科技股份有限公司
申请日： 2002-09-29 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷电容器技术领域，特指表面层半导体陶瓷电容器和晶界层半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法。此方法采用纯氮和液氨分解出的氮、氢混合气作为晶界层半导体瓷片的还原烧结气氛以及表面层半导体瓷片的半导化还原气氛。所述的纯氮气由制氮机制得。所述的晶界层半导体瓷片的还原烧结气氛，所含氢气比例为2％～20％。所述的表面层半导体瓷片的半导化还原气氛，所含氢气比例为5％～30％。
半导体陶瓷电容器瓷片化工方法

[发明专利]一种改善小角晶界缺陷的新型引晶方法-CN202210538760.2在审
发明人：陈娟;周志鹏;马占东;苏波;周小渊;温洋;贺俊杰;董长海 -专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及小角晶界技术领域，具体为一种改善小角晶界缺陷的新型引晶方法，包括整个引晶过程有三次缩径过程，为非连续缩径过程，所述第一次缩径过程拉速调控放葫芦状结节，经第二次缩径过程达到缩径目标直径，拉速调控实现第二次葫芦晶结节该改善小角晶界缺陷的新型引晶方法，在使用CZ法拉制重掺硼晶向硅单晶过程中，因掺杂浓度影响及拉制工艺限制，小角晶界缺陷成为行业难题，在减少过冷度的基础上改进引晶方法，固化拉晶工艺，突破小角晶界缺陷障碍，引晶方式采用葫芦晶有效的排除籽晶内部缺陷，保障晶体制成过程中原子有序排列，且在整个制成过程中提拉速度需平稳缓慢，频繁波动亦会影响固液界面翻转位错增殖进而产生小角晶界。
一种改善小角缺陷新型方法

[发明专利]透光基板的镀膜方法-CN201410707441.5在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;吴剑波 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种透光基板的镀膜方法，包括采用晶粒尺寸小于或等于50μm的靶材，进行磁控溅射工艺，在透光基板的表面形成镀膜层，在磁控溅射工艺中，因为靶材较小的晶粒尺寸，在体积恒定的靶材内，增加了晶界数量，因为在晶界上的原子之间作用力较大，原子的自由能较大，所以在磁控溅射过程中晶界处原子较易被溅射。为此在磁控溅射过程中可有效提升靶材被带电离子轰击后溅射的速率，在短时间溅射出尺寸较小，且密度较大的晶粒，在透光基板上迅速形成密度更高、均匀度更好的镀膜层，从而减小透光基板上的铬合金镀膜上的漏光现象。
透光镀膜方法