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[实用新型]片式交流瓷介电容器-CN200420071927.6无效
发明人：章士瀛;王守士;王艳;罗世勇 -专利权人：广东南方宏明电子科技股份有限公司
申请日： 2004-07-27 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01G4/228 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元件技术领域，公开了一种片式交流瓷介电容器，交流电容器被银瓷片(1)、引出线(3、4)的第一端(3a、4a)及与第一端(3a、4a)相连的引出线部分本体(3c、4c)被绝缘包封层(2)包封后形成立方体状；暴露在绝缘包封层(2)外的引出线(3、4)呈扁平状，并沿着绝缘包封层(2)外表面弯曲，引出线(3、4)的第二端(3b、4b)平贴在呈立方体外形的绝缘包封层(2)同一平面(2a)上。这种片式交流瓷介电容器制成单片形状，外形规整，适合高效率的表面贴装生产，同时产业化造价低，销售价格也低。
交流电容器

[发明专利]片式瓷介电容器的制造工艺方法-CN200310117543.3无效
发明人：章士瀛;王守士;罗世勇;王振平;王艳 -专利权人：广东南方宏明电子科技股份有限公司
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：本发明涉及电子元件技术领域，公开了一种片式瓷介电容器的制造工艺方法，将连体引线和模塑封装引入瓷介电容器的生产工艺中，即先加工成由形状相同的上、下相对应的上、下连体引线夹带一批塑封体为一组的连体塑封件组，再切开连体塑封件组成单个塑封件，使引线折弯，最后对成品编带，该塑封体乃焊接上、下连体引线后的被银瓷片模塑封装绝缘材料外壳。这样可实现片式瓷介电容器片式化和自动化生产。
片式瓷介电容器制造工艺方法

[实用新型]晶界层半导体瓷片的烧成联体炉-CN200320119727.9无效
发明人：章士瀛;王守士;王振平;吴宾;张卓宇;余如鳌 -专利权人：广东南方宏明电子科技股份有限公司
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： F27B5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元件技术领域，公开了一种晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)分别连接控温装置(13)，其内并设有传送装置(10、11、12)；排胶炉体(1)和还原烧成炉体(2)间设有气幕(4、5)；还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间设有闸门(6、7)，闸门(6)外侧设有火帘(8)；还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)通过气管连接起来，气体配比装置(16)又同氢气氮气发生装置(15)相连接；氧化炉体(3)上设有送风装置(17)及排气装置(18)。可实现还原烧成后直接进入氧化炉，从而完成一次性烧成晶界层半导体瓷片。
晶界层半导体瓷片烧成联体

[实用新型]片式瓷介电容器的连体引线-CN200320119725.X无效
发明人：章士瀛;王守士;罗世勇;王振平;王艳 -专利权人：广东南方宏明电子科技股份有限公司
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01G4/228 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元件技术领域，公开了一种片式瓷介电容器的连体引线(30)，其特征在于：它包括连体条(36)，在连体条(36)的同一侧延伸出等距的相同的引线(31)，从引线端头(32)的焊接面(33)间处向下成π形折弯(34)；在π形折弯(34)处设有工艺孔(35)；在连体条(36)上设有定位孔(37)。采用连体引线方式，保证产品制造的工艺质量，可提高生产效率，进而实现大规模自动化生产。
片式瓷介电容器连体引线

[发明专利]半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法-CN02134851.0无效
发明人：章士瀛;王振平;王守士;章仲涛 -专利权人：广东南方宏明电子科技股份有限公司
申请日： 2002-09-29 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷电容器技术领域，特指表面层半导体陶瓷电容器和晶界层半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法。此方法采用纯氮和液氨分解出的氮、氢混合气作为晶界层半导体瓷片的还原烧结气氛以及表面层半导体瓷片的半导化还原气氛。所述的纯氮气由制氮机制得。所述的晶界层半导体瓷片的还原烧结气氛，所含氢气比例为2％～20％。所述的表面层半导体瓷片的半导化还原气氛，所含氢气比例为5％～30％。采用本发明生产半导体陶瓷电容器瓷片，生产成本大幅降低，且可自行解决氮气、氢气的供应；可将氢气含量调整控制在30％以内，这样大大降低了因在高温窑炉中氢气浓度较高所带来的危险性，使生产工艺变得安全可靠。
半导体陶瓷电容器瓷片化工方法

[实用新型]片式高压瓷介电容器-CN02227213.5无效
发明人：章士瀛;王振平;王守士 -专利权人：广东南方宏明电子科技股份有限公司
申请日： 2002-04-29 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元件技术领域，包括被银瓷片(1)、塑壳(2)和两条引出线(3、4)，被银瓷片(1)的正反两面上分别焊有引出线(3、4)，塑壳(2)包封着被银瓷片(1)和焊在被银瓷片(1)上的引出线(3、4)的一端，其特征在于被银瓷片(1)被塑壳(2)包封后构成立方体形状，引出线(3、4)呈扁平状，引出线(3、4)暴露在塑壳(2)外的一端沿塑壳(2)弯曲，其端头固定在塑壳(2)的同一平面上。塑壳(2)采用环氧树脂；引出线(3、4)采用可导电金属。这样，片式瓷介电容器制成单片形状，外形规整，可直接安放在线路板上，无需像圆片瓷介电容器那样插装，更适合高效率的SMT贴装生产。同时，由于它的结构简单，生产工艺设备及工艺较片式多层瓷介电容器简单，产业化造价低，销售价格也低。
高压电容器

[发明专利]晶界层半导体陶瓷电容器制造方法-CN02115171.7无效
发明人：章士瀛;王振平;王守士 -专利权人：广东南方宏明电子科技股份有限公司
申请日： 2002-04-29 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及电子元件技术领域,晶界层半导体陶瓷电容器按下列方法制成①按照配方范围0.95～1.05mol的SrCO3,0.95～1.05mol的TiO2,0.001～0.01mol的Nb2O5配制瓷料。②球磨成粉状,粒度<1um。③在1150℃～1250℃温度下煅烧。④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt%的助熔剂PbO、Bi2O3、B2O3、CuO。⑤球磨成粉状,粒度<1um。⑥在球磨后的瓷料中,混合与其重量比为18～23wt%的聚乙烯醇溶液,然后轧膜成型。⑦冲片。⑧排胶。⑨在1210℃～1260℃温度下,在0.05～0.75mol的H2与0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时,然后将温度降至950℃～1100℃,在普通大气中处理30～60分钟。⑩被银电极。本发明原料成本低,总体工艺简单,低温一次烧成,介电性能参数优良,更重要的是它适宜产业化生产。
晶界层半导体陶瓷电容器制造方法