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[发明专利]高铬钢的试样及其制备和其晶粒度的测定和晶界显示方法-CN202210122608.6在审
发明人：张海峰;付超;刘少华;任志恒;杨欢 -专利权人：松山湖材料实验室;中科卓异环境科技（东莞）有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：高铬钢的试样及其制备和其晶粒度的测定和晶界显示方法，属于钢材组织评价领域。显示高铬钢的晶界的方法包括：使高铬钢经历热处理，从而使高铬钢中的覆盖于晶界的一次碳化物发生固溶，以排除一次碳化物对所述晶界的掩蔽，获得第一试样；对第一试样进行机械表面处理和/或化学表面处理，使已经排除掩蔽的晶界暴露通过该方法可以有效地使高铬钢的晶界暴露、避免一次碳化物对晶界的显示干扰，从而有助于测定高铬钢的晶粒度。
铬钢试样及其制备晶粒测定显示方法

[发明专利]具有高方形度的R-T-B稀土永磁体及其制备方法-CN202310874306.9在审
发明人：陈彪;付松;章兆能;杨晓露;王东;于光照 -专利权人：浙江英洛华磁业有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高方形度的R‑T‑B稀土永磁体，通过在磁体平行于取向方向的表面涂覆扩散源并进行晶界扩散，可以突破传统晶界扩散磁体在取向方向厚度限制，实现取向方向厚度≥20mm晶界扩散磁体的制备。同时结合本发明提供的晶界扩散处理工艺，能够保证磁体获得与传统晶界扩散磁体同样的磁性能提升量。此外，由于在晶界扩散过程中能够改善主相晶粒尺寸的均匀性，因此本发明的晶界扩散磁体方形度较基体磁体不会降低，部分扩散磁体的方形度甚至优于扩散前的基体磁体。
具有方形稀土永磁体及其制备方法

[发明专利]一种调控CoNiFe中熵合金耐腐蚀性能的方法-CN202010066653.5有效
发明人：储成林;安旭龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控CoNiFe中熵合金耐腐蚀性能的方法，通过晶界工程调控中熵合金中特殊晶界(特别是Σ3晶界)的比例，实现低ΣCSL晶界比例的提高和高能随机晶界网络连通性的打断，从而调控CoNiFe中熵合金的耐蚀性能该方法包括真空熔炼、均质处理、热锻造、控制轧制、控制退火五个步骤；所制备的CoNiFe中熵合金，低ΣCSL晶界占比大于40％,其中Σ3晶界比例高于80％。
一种调控 conife 合金腐蚀性能方法

[发明专利]接合结构及其形成方法-CN202111299991.4在审
发明人：庄东汉;蔡幸桦 -专利权人：乐鑫材料科技股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供一种接合结构及其形成方法，包括：第一基板；第二基板，与第一基板相对设置；第一接合层，于第一基板上；第二接合层，于第二基板上并与第一接合层相对设置；以及银部件，于第一接合层与第二接合层之间。银部件包括银纳米孪晶结构，且银纳米孪晶结构具有平行排列孪晶界。银纳米孪晶结构包括90％以上的[111]结晶方位。
接合结构及其形成方法

[发明专利]一种宽温高磁导率低损耗MnZn功率铁氧体材料的制备方法-CN201910125083.X在审
发明人：钟喜春;刘仲武;余红雅;张虎;龙克文 -专利权人：三桥惠（佛山）新材料有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：具有细化晶粒的作用，促进晶粒细化均匀，阻止晶粒长大，从而形成晶粒细小均匀的显微结构，提高材料的起始磁导率和电阻率，降低材料的功率损耗；添加的V2O5、In2O3、Li2CO3，不仅可以提高材料的烧结密度，降低晶界和晶粒内气孔率，从而提高材料的起始磁导率，还可以有效抑制晶粒生长和吞并，促进晶粒细化和均匀，从而增加晶界，且晶界明显，提高材料的电阻率，降低材料的损耗；添加的CaCO3、NaHCO3、TeO2，可以在晶界形成高阻层，通过提高晶界电阻来改善损耗。
晶界晶粒功率铁氧体起始磁导率高磁导率晶粒细化烧结低损耗电阻率宽温制备二次球磨功率损耗晶界电阻晶粒长大晶粒生长显微结构一次配料有效抑制高阻层气孔率预烧结次球细化成型

[发明专利]一种优化大尺寸柱状晶的定向及循环定向热处理方法-CN202210338899.2有效
发明人：陈瑞润;刘阳力;方虹泽;李柯萱;王亮;苏彦庆;丁宏升 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：一种优化大尺寸柱状晶的定向及循环定向热处理方法，它涉及一种热处理方法。本发明为了解决现有的TiAl材料存在柱状晶尺寸小、生长方向偏折和横向晶界多的问题，以及在受外力作用时，利用片层相的软取向变形但强度下降的问题。本发明基于无接触电磁感应加热和TiAl材料本身的物理特性，在高真空条件下通过对待处理试样一次或者多次定向热处理，使有效加热区内的柱状晶进一步的定向长大，不仅使柱状晶在热流方向上继续长大，而且还减少了柱状晶的横向晶界，最终形成大尺寸、偏折角度小、横向晶界少的柱状晶，且TiAl材料的力学性能得到改善。本发明用于大尺寸柱状晶的优化。
一种优化尺寸柱状定向循环热处理方法

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和有机发光二极管显示器装置-CN201010287308.0有效
发明人：孙榕德;李基龙;崔埈厚;郑珉在;朴承圭;李吉远;郑在琓;李东炫;苏炳洙;具贤祐;伊凡·马伊达楚克;洪钟元;罗兴烈;张锡洛 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。
薄膜晶体管制造方法有机发光二极管显示器装置

[发明专利]应用于热辅助磁记录技术的磁存储介质薄膜的制备方法-CN201610121107.0在审
发明人：朱京希;李嘉 -专利权人：广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于热辅助磁记录技术的磁存储介质薄膜的制备方法，至少包括以下步骤：1）在基底表面沉积一层氧化镁衬底层薄膜；2）对氧化镁衬底层薄膜上的晶界通过预处理形成异于晶粒内部的非平整的沟壑形貌；3）在具有非平整的沟壑形貌晶界的氧化镁衬底层上沉积由磁性金属FePt和非金属晶间间隔层组成的复合薄膜。本发明能够解决在氧化镁基底层对上的晶界对FePt外延生长的不利影响，获得具有理想尺寸和磁性质的热辅助磁记录介质薄膜。
应用于辅助记录技术存储介质薄膜制备方法

[发明专利]控制二维材料晶界角度的方法及其应用-CN202210359580.8在审
发明人：刘忠范;李杨立志;刘海洋;孙禄钊;林立 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种控制二维材料晶界角度的方法及其应用，该方法包括：S1，提供具备特定晶面取向的衬底；及S2，在所述衬底上化学气相沉积生长二维材料；其中，所述衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向，所述二维材料的晶界角度由所述衬底的晶面取向决定本发明的控制二维材料晶界角度的方法，通过衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向；具有不同取向的二维材料拼接形成具有特定晶界角度的二维材料晶界，二维材料晶界的晶界角度取决于衬底的晶面取向。本发明实现了自下而上制备具有特定晶界角度的二维材料，为相关应用和物性研究提供了材料基础。
控制二维材料角度方法及其应用

[发明专利]一种钕铁硼永磁体及其制备方法和应用-CN202010923593.4有效
发明人：于永江;王鹏飞;王聪;刘磊;魏蕊 -专利权人：烟台正海磁性材料股份有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：钕铁硼永磁体的晶界相、主相具有下述关系的组织分布：测定范围内晶界相总长度记为Lm，在测定范围内晶界宽度≥1μm的晶界相的总长度记为Ln，Lm、Ln满足0.40≤Ln/Lm≤1的关系；在测定范围内相邻晶界相间宽度≥2μm的晶界相的总长度记为Lx，Lm、Lx满足0≤Lx/Lm≤0.2的关系；在测定范围内EPMA线扫描通过的晶界相总长度记为Le，在测定范围内扫描总长度记为LM，Le、LM满足0.40≤Le/LM1的关系本发明制备得到高Br、高Hcj、高方形度、具有特定晶界相、主相结构的高温耐减磁磁体。
一种钕铁硼永磁体及其制备方法应用

[发明专利]NdFeB系烧结磁体-CN201280021367.0有效
发明人：佐川真人;沟口彻彦 -专利权人：因太金属株式会社
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种NdFeB系烧结磁体，其为利用晶界扩散法制造的NdFeB系烧结磁体，其具有高矫顽力和矩形比，最大磁能积的降低少。本发明的NdFeB系烧结磁体的特征在于，其为通过晶界扩散处理而使附着在基材表面的Dy和/或Tb（以下，将“Dy和/或Tb”记为“RH”）扩散到该基材内部的晶界的NdFeB系烧结磁体，所述基材是通过将NdFeB系合金的粉末进行取向、烧结而制造的，晶界三重点的RH浓度Ct(wt%)与同该晶界三重点相连的二粒子晶界部的RH浓度Cw(wt%)之差Ct-Cw为4wt%以下的晶界三重点的数量为晶界三重点的总数的60%以上
ndfeb 烧结磁体

[发明专利]一种退磁率低的永磁材料及其制备方法-CN202211445453.6在审
发明人：陈彦武 -专利权人：深圳市粤能电气有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种退磁率低的永磁材料及其制备方法，通过对聚苯硫醚进行氨基化改性，苯环上连接的氨基与润滑剂表面的大量羟基可以得到有效结合，增强了磁粉混合时的相容性；同时还采用晶界扩散技术增加了NdFeB晶界之间的Pr、Tb、Al含量，在Tb‑Al合金中用Pr代替部分Tb，导致磁体中富Tb壳层厚度减小，Al的加入显著提高了晶界相的润湿性，矫顽力的提升极大地增强了Nd‑Fe‑B磁体的耐高温性，并显著降低了退磁率。
一种退磁永磁材料及其制备方法

[发明专利]一种锂离子电池高镍三元正极材料的改性方法-CN202010607877.2在审
发明人：贺振江;周志伟;罗紫艳;郑俊超;李运姣 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明所得锂离子电池高镍三元正极材料具有稳定的晶界修饰层，可大大提高晶界对应力的承受能力，抑制循环过程中晶间裂纹的产生；晶界修饰层可以阻止前驱体一次颗粒之间的融合，防止二次再结晶，有利于提高正极材料的循环稳定性
一种锂离子电池三元正极材料改性方法

[发明专利]一种实现铁镍基合金晶界锯齿化的热处理方法-CN201910697019.9有效
发明人：赵明久;胡红磊;戎利建 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C21D6/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁镍基合金领域，具体地说是一种促使铁镍基合金晶界锯齿化的热处理方法。采用晶界锯齿化工艺，实现部分平直随机晶界锯齿化，具体为：高温保温处理→控冷处理→空冷→时效处理的工艺路线。本发明方法具有工艺简单、对设备要求低和易于实现的优点，采用本发明进行铁镍基合金的热处理，可将部分平直随机晶界转变为锯齿状晶界(锯齿晶界最大振幅在0.6μm以上)，同时可打断平直随机晶界的连通性，并且不损伤合金的基础室温力学性能，有望提高铁镍基合金的持久性能和蠕变抗力，以及增加该类合金的氢致沿晶裂纹形成与扩展阻力，具有广泛的应用前景。
一种实现铁镍基合金锯齿热处理方法

[实用新型]一种钝化钙钛矿层晶界缺陷的设备及钙钛矿组件-CN202223230750.7有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10K71/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种钝化钙钛矿层晶界缺陷的设备，所述设备包括真空辐照腔室和冲洗腔室，在真空辐照腔室内设置电子束源，在电子束源的下方设置带冷却装置的辐照底座，待钝化的表面已制备有钙钛矿活性层薄膜的基片放置在辐照底座上本实用新型使用电子束扩大钙钛矿活性层的晶界缝隙，再将传输层的制备材料填充并覆盖钙钛矿活性层，达到钝化和消除钙钛矿活性层表面晶界缺陷。
一种钝化矿层缺陷设备钙钛矿组件