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[实用新型]一种晶体管封装结构-CN201320850648.9有效
发明人：余宇航 -专利权人：余宇航
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种晶体管封装结构，包括第一晶体管电路，从封装件引线表面引出的引线，封装件引线表面为平面，第一封装胶体表面与封装件引线表面共面，临近晶体管电路封装件设有第二晶体管电路，封装结构设有第二封装胶体，封装胶体位于晶体管电路封装件与第二晶体管电路的上方，晶体管电路封装件与封装结构内部的封装引线电性连接。采用上述技术方案，有效的减小了封装结构的高度，减小了封装件的体积，适合小巧的电子产品使用。
一种晶体管封装结构

[发明专利]用于低EMI电路的封装构造-CN201610391042.1在审
发明人：吴毅锋 -专利权人：特兰斯夫公司
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了用于低EMI电路的封装构造。电子组件包括包装在封装中的高电压开关晶体管。高电压开关晶体管包括所有都在高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极、以及漏电极。源电极被电连接到封装的传导结构部分。能够形成使用上述晶体管和另一晶体管的组件，其中一个晶体管的源极能够被电连接到包含晶体管的封装的传导结构部分，并且第二晶体管的漏极被电连接到容纳第二晶体管的封装的第二传导结构部分。替代地，第二晶体管的源极与其传导结构部分电隔离，并且第二晶体管的漏极与其传导结构部分电隔离。
用于 emi 电路封装构造

[发明专利]封装的功率晶体管和功率封装-CN201410393623.X有效
发明人： I.福斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及封装的功率晶体管和功率封装。提供了包括封装的晶体管和连接到晶体管并且适应于驱动晶体管的驱动单元的功率封装。晶体管的控制端子被连接到晶体管的外壳的中间端子管脚，并且外壳的外部端子管脚分别被连接到驱动单元和电压电平，其中连接没有交叉。
封装功率晶体管

[发明专利]包覆成型塑料封装的宽带隙功率晶体管及MMIC-CN201580035022.4有效
发明人： S·伍德;J·W·米莉根;C·荷曼森 -专利权人：克里公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：一种晶体管封装，包括：引线框；附接到所述引线框的宽带隙晶体管，以及包围所述引线框和所述宽带隙晶体管的包覆成型件。所述宽带隙晶体管在高达3.8GHz的频率工作时具有大于150W的峰值输出功率。在晶体管封装中使用包覆成型件连同宽带隙晶体管，允许晶体管封装获得极高的效率、增益和带宽，同时保持晶体管封装的制造成本较低。
成型塑料封装宽带功率晶体管 mmic

[发明专利]测试不同封装形式晶体管特性的装置-CN201210488005.4无效
发明人：宋云衢;刘礼伟 -专利权人：江苏绿扬电子仪器集团有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试装置，尤其涉及一种测试不同封装形式晶体管特性的装置。本发明的测试不同封装形式晶体管特性的装置，包括壳体（1），壳体（1）上间隔设置不同的晶体管封装的插座（2），壳体上端设有电极（3），电极（3）与晶体管封装的插座（2）的管脚连线。本发明的测试不同封装形式晶体管特性的装置采用小型测试盒方式，在测试盒上安装不同的晶体管封装的陶瓷插座，通过管脚连线方式实现不同封装形式的晶体管特性参数测试功能。
测试不同封装形式晶体管特性装置

[发明专利]用于低EMI电路的封装构造-CN201080049604.5有效
发明人：吴毅锋 -专利权人：特兰斯夫公司
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：电子组件包括包装在封装中的高电压开关晶体管。高电压开关晶体管包括所有都在高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极、以及漏电极。源电极被电连接到封装的传导结构部分。能够形成使用上述晶体管和另一晶体管的组件，其中一个晶体管的源极能够被电连接到包含晶体管的封装的传导结构部分，并且第二晶体管的漏极被电连接到容纳第二晶体管的封装的第二传导结构部分。替代地，第二晶体管的源极与其传导结构部分电隔离，并且第二晶体管的漏极与其传导结构部分电隔离。
用于 emi 电路封装构造

[实用新型]一种功率晶体管的封装结构-CN201820202345.9有效
发明人：黄峰荣;杨斌;何秋生 -专利权人：佛山市合芯半导体有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种功率晶体管的封装结构，其包括安装板，其具有安装孔；功率晶体管，其包括第一封装体及第二封装体，第一封装体设置于安装板，并包裹安装孔的内侧壁，第二封装体包裹功率晶体管，并连接第一封装体。本实用新型的功率晶体管的封装结构从根本上解决了功率晶体管封装后会存在气泡的可能，使得功率晶体管在使用过程中始终处于绝缘的状态，消除安全隐患，可广泛应用于功率晶体管封装领域中。
功率晶体管封装体封装结构本实用新型安装板封装安全隐患包裹安装安装孔内侧壁绝缘应用

[发明专利]一种晶体管管座及晶体管气密封装结构-CN202010740585.6有效
发明人：张迪 -专利权人：武汉邮埃服光电科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管封装技术领域，公开了一种晶体管管座及晶体管气密封装结构。所述晶体管管座包括绝缘底座和环向封闭金属底座，其中，所述绝缘底座的顶面用于放置晶体管芯片；所述绝缘底座的内部设有至少一个导电通道，所述绝缘底座的外周面与所述环向封闭金属底座的内环面通过填料密封连接。通过该晶体管管座，可以在解决TO管座高速率、高散热和低成本的同时，使TO管座及晶体管的尺寸可以继续变小，实现尺寸小型化目的。此外，通过所述晶体管气密封装结构，可以实现多晶体管芯片的立体式封装，进一步利于缩小晶体管封装结构的尺寸。
一种晶体管管晶体管气密封装结构

[发明专利]用于横向功率晶体管的封装-CN202211536579.4在审
发明人： S·沃策尔;M·伯姆 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：公开了用于横向功率晶体管的封装。一种晶体管封装，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶体管芯片。半导体晶体管芯片包括在第一表面上的一个或多个第一负载电极、一个或多个第二负载电极以及控制电极。引线框面向半导体晶体管芯片的第一表面。引线框包括晶体管封装的第一端子、第二端子和控制端子。第一端子、第二端子和控制端子被暴露在晶体管封装的底部处。第一端子被电耦合到一个或多个第一负载电极。第二端子被电耦合到一个或多个第二负载电极。控制端子被电耦合到控制电极。第一端子与晶体管封装的第一侧对准。第二端子与晶体管封装的与第一侧相对的第二侧对准。控制端子与晶体管封装的第三侧对准。晶体管封装的第三侧连接在晶体管封装的第一侧和第二侧之间。
用于横向功率晶体管封装

[发明专利]半导体电子部件和电路-CN201180009225.8有效
发明人：普里米特·帕里克;詹姆斯·霍尼亚;小卡尔·C·布莱克;罗伯特·科菲;吴毅锋;乌梅什·米什拉 -专利权人：特兰斯夫公司
申请日： 2011-02-02 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。
半导体电子部件电路

[发明专利]一种采用功率半桥叠封方案的半导体器件和半桥电路模块-CN202110079922.6在审
发明人：喻辉洁;蔡坤明;周宗杰 -专利权人：厦门市必易微电子技术有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：公开了一种采用功率半桥叠封方案的半导体器件和半桥电路模块，该半导体器件包括封装框架和层叠设置在封装框架的底座上的至少两个晶体管，其中，相邻两个晶体管的上层晶体管设置在下层晶体管的上表面的第一开窗区中，在该第一开窗区中实现串联或并联连接本发明的半导体器件将至少两个晶体管层叠设置在封装框架的底座上，降低了对底座的基岛数量的需求，便于与普通封装框架兼容，降低了封装成本。本发明的半桥电路模块将第一晶体管和第二晶体管层叠设置在封装框架的底座上，第一晶体管和第二晶体管通过导电层电性连接而串联，降低了对封装框架的底座的基岛的需求，便于与普通封装框架兼容，降低了封装成本。
一种采用功率半桥叠封方案半导体器件电路模块

[实用新型]一种采用功率半桥叠封方案的半导体器件和半桥电路模块-CN202120161834.6有效
发明人：喻辉洁;蔡坤明;周宗杰 -专利权人：厦门市必易微电子技术有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：公开了一种采用功率半桥叠封方案的半导体器件和半桥电路模块，该半导体器件包括封装框架和层叠设置在封装框架的底座上的至少两个晶体管，其中，相邻两个晶体管的上层晶体管设置在下层晶体管的上表面的第一开窗区中，在该第一开窗区中实现串联或并联连接本实用新型的半导体器件将至少两个晶体管层叠设置在封装框架的底座上，降低了对底座的基岛数量的需求，便于与普通封装框架兼容，降低了封装成本。本实用新型的半桥电路模块将第一晶体管和第二晶体管层叠设置在封装框架的底座上，第一晶体管和第二晶体管通过导电层电性连接而串联，降低了对封装框架的底座的基岛的需求，便于与普通封装框架兼容，降低了封装成本。
一种采用功率半桥叠封方案半导体器件电路模块

[实用新型]一种小外形晶体管SOT封装结构-CN202220623420.5有效
发明人：李干平 -专利权人：深圳卓斌电子有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种小外形晶体管SOT封装结构，包括下框体、上框体、晶体管、引脚、凹槽、凸起、开口和定位槽。本申请采用小外形晶体管SOT封装结构，解决了小外形晶体管SOT封装效果差的问题，通过采用下框体和上框体实现小外形晶体管的封装，能够实现晶体管的有效保护，并通过设置凹槽和凸起实现连接处的紧密贴合，有利于提高封装效果；本申请通过设置有开口能够方便引脚处的压紧固定，同时能够实现紧密封装，有利于提高晶体管的使用性能，提高其使用寿命，在上框体和下框体表面设置定位槽，能够方便实现精确定位，有利于提高封装效率，并能够实现封装性能
一种外形晶体管 sot 封装结构

[发明专利]MOS晶体管封装级测试方法以及MOS晶体管制造方法-CN201210261950.0有效
发明人：王磊 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS晶体管封装级测试方法以及MOS晶体管制造方法。根据本发明的MOS晶体管封装级测试方法包括：首先将MOS晶体管插入封装测试插槽；此后输入测试样本信号；随后检验各引脚之间的寄生等效二极管，并判断MOS晶体管与所插入的封装测试插槽的引脚是否对应；以及在判断MOS晶体管与所插入的封装测试插槽的引脚不对应的情况下，直接结束流程。根据本发明，可以通过检验MOS晶体管器件的各引脚之间的寄生等效二极管，根据寄生等效二极管的检验值来判断正确的引脚定义，由此可以有效地避免由于连线激励的错误而使MOS晶体管器件被击穿损坏。
mos 晶体管封装测试方法以及制造

[发明专利]晶体管结构及其封装方法-CN201210339235.4有效
发明人：林国藩;林季尚 -专利权人：全汉企业股份有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管结构和晶体管封装方法。该晶体管结构包含一芯片封装体以及二导脚，其中该芯片封装体是包含一晶体管晶粒及一包覆该晶体管晶粒的封装胶体；而该导脚的其中一导脚是电连接该晶体管晶粒的第一焊垫与第二焊垫，另一导脚是电连接该晶体管晶粒的第三焊垫而可将该晶体管结构使用于缓冲电路以并接一主动组件或一负载，而可吸收主动组件在高频切换时产生的突波或噪声。藉此，该晶体管结构在封装上可达到简化制程、缩小体积以及增加耐压距离的功效，且可让使用缓冲电路的电源供应器达到提高效率及降低突波电压的功效。
晶体管结构及其封装方法

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