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[发明专利]一种晶体管栅极硅氧化层失效机理的鉴定方法-CN202210379081.5在审
发明人：华佑南;刘兵海;李晓旻 -专利权人：胜科纳米（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管栅极硅氧化层失效机理的鉴定方法，所述鉴定方法包括：提供晶圆样品并确定失效区域，采用化学试剂去除失效区域内位于硅基体表面的全部膜层，对硅基体的表面硅缺陷进行刻划，根据硅缺陷或硅晶体缺陷的形状判断栅极硅氧化层的失效机理，如果硅缺陷是晶体状且呈现“多个方斗型组合坑”结构，表明栅极硅氧化层的失效原因是污染造成的。本发明提供的鉴定方法主要用于快速鉴定晶体管栅极硅氧化层的失效机理，可以快速找到栅极硅氧化层的失效原因，从而对症下药，选择合适的解决方案，提高了晶体管栅极硅氧化层失效分析方法的准确率、成功率和检测速度，大大降低了分析成本和不必要的分析成本
一种晶体管栅极氧化失效机理鉴定方法

[发明专利]一种单晶硅的生长方法以及引晶结构-CN202110918118.2在审
发明人：黄旭光;王玉龙;刘彬国 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅的生长方法以及引晶结构。该单晶硅的生长方法包括：在籽晶的下端连接晶体预热块，晶体预热块与籽晶为两个分离体；将连接在籽晶的下端的晶体预热块与硅溶液接触并熔接；下降籽晶和晶体预热块，直至晶体预热块完全浸入硅溶液中，并使籽晶的下端与硅溶液熔接该单晶硅的生长方法能够有效地提高单晶的细颈的生长尺寸，以满足大投料量的需求，提高单晶硅的产量。
一种单晶硅生长方法以及结构

[发明专利]一种硅晶体的生产方法-CN200810063556.X无效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶体的生产方法，包括将硅熔液置入外层坩埚内，通过籽晶诱导制备硅晶体，所述的硅熔液内含有添加剂，所述的添加剂为F、Cl或O元素与金属元素Na、K、Li、Zn、Pb、Ca、Al、Mg、Sr本发明方法通过添加剂的使用，免去丘克劳斯基法中的石英坩埚，不仅可以增加硅晶体的生产率，更可以减少硅晶体中的含氧量，提高硅晶体的品质。
一种晶体生产方法

[发明专利]用于晶体硅组件的封装方法以及封装组件-CN201911331680.4在审
发明人：鲁伟文;郭秀峰;刘华波 -专利权人：深圳市上古光电有限公司
申请日： 2019-12-21 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于晶体硅组件的封装方法以及用于晶体硅组件的封装组件，涉及晶体硅组件技术领域，解决了常见晶体硅组件受到撞击容易发生损坏的问题，其技术方案要点是，在光伏底板和电池片组件之间形成第一塑胶基层；在电池片组件远离第一塑胶基层的一侧形成第二塑胶基层；在第二塑胶基层远离电池片组件的一侧形成密封层，达到降低晶体硅组件在受到撞击后的损坏率的目的。
用于晶体组件封装方法以及

[实用新型]一种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池-CN201220061967.7有效
发明人：许佳平;黄纪德;金井升;蒋方丹;陈良道 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，包括晶体硅太阳电池，在所述晶体硅太阳电池背面设有背电极和背电场，所述背电极的长度占晶体硅太阳电池总长度的3～90％。该具有改进背面结构的晶体硅太阳电池通过减短背电极的长度来减少背电极银浆的印刷量，从而减少太阳电池的制作成本，并提高太阳电池的转换效率。
一种具有改进背面结构晶体太阳电池

[实用新型]一种新型太阳能电池板-CN201220523170.4有效
发明人：朱志平 -专利权人：衢州逗号工业设计有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种新型太阳能电池板，包括：框体、晶体硅片、晶体硅薄膜层；其特征在于：框体中设有衬托层，衬托层上设有一个以上的支撑脚，晶体硅薄膜层固定在衬托层上，晶体硅薄膜层与衬托层相同的位置上设有一个以上的排水孔，晶体硅片上设有一个以上的孔洞，晶体硅片通过螺丝钉固定在支撑脚上。在节省材料的同时充分的利用光能，光通过晶体硅片上的孔洞照射到晶体硅薄膜层上，充分利用了有限的空间，实现尽可能多的集能。
一种新型太阳能电池板

[发明专利]一种硅晶体原生缺陷的检测方法-CN202111247647.0在审
发明人：薛忠营;刘赟;魏星 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的一级外延缺陷；对所述外延层的表面进行刻蚀，以将所述一级外延缺陷放大形成二级外延缺陷根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行刻蚀以放大外延缺陷，从而实现对原生缺陷的定位、确定原生缺陷的类型和缺陷范围。
一种晶体原生缺陷检测方法

[发明专利]一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器及探测方法-CN201811474960.6有效
发明人：刘继国 -专利权人：山东麦德盈华科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于：探测器包括闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元所分别形成的层，闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元俯视均为矩形截面，且闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元的俯视矩形截面的面积相等；闪烁晶体阵列单元由复数个相互平行并无空隙且侧面相互紧贴的闪烁晶体条组成，闪烁晶体条均是长宽高一致的长方体；硅光电倍增管阵列单元是由M个硅光电倍增管阵列排列而成的俯视截面为矩形的阵列集合体。
一种减少光电倍增管用量 pet 探测器探测方法

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池组件-CN201120103340.9有效
发明人：李正茂 -专利权人：浙江正欣光电科技有限公司
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：包括晶体硅太阳能电池(3)，晶体硅太阳能电池(3)上下分别设有钢化玻璃层(1)和PET背板材料层(5)，钢化玻璃层(1)和晶体硅太阳能电池(3)之间设有高透射率EVA胶膜层(2)，PET背板材料层(5)和晶体硅太阳能电池(3)之间设有隔紫外线EVA胶膜层(4)。本实用新型既可最大限度地提高晶体硅太阳能电池组件的光电转化效率，又可以有效地保护太阳能电池组件的PET背板。
一种晶体太阳能电池组件

[发明专利]一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构-CN201810198915.6有效
发明人：袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成；钝化‑进光区域由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由重掺杂晶体硅、金属栅线II构成。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
一种具有局域发射极特性 si 双面太阳电池结构

[发明专利]半导体装置-CN200510078845.3有效
发明人：玉置德彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：为了在具有双栅极构造的MIS型晶体管中，防止双栅极中的硅化部分的断线引起的延迟劣化，从而防止工作不良，本发明的半导体装置，具有有上部被硅化的栅极(22)的P型MOS晶体管(100)及N型MOS晶体管(200)，栅极(22)中的P型MOS晶体管(100)部分包含掺入P型杂质的多晶硅，其N型MOS晶体管(200)部分包含掺入N型杂质的多晶硅。P型MOS晶体管(100)及N型MOS晶体管(200)的相互的漏极通过包含被硅化的多晶硅的共有布线(23)连接。共有布线(23)的线宽设定为比栅极(22)的线宽要宽。
半导体装置

[实用新型]一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构-CN201820330910.X有效
发明人：袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成；钝化‑进光区域由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由重掺杂晶体硅、金属栅线II构成。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化重掺杂光区域晶体硅太阳电池双面太阳电池发射极特性导电区域减反射层金属栅线背电场本实用新型短路电流发电能力发射极层发射极面晶体硅层开路电压场钝化发射极光特性晶体硅基底

[实用新型]一种新型太阳能路灯-CN201220523176.1有效
发明人：朱志平 -专利权人：衢州逗号工业设计有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： F21S9/03 文献下载
摘要：一种新型太阳能路灯，其特征在于：节能灯设在支杆上的灯罩中，支杆固定在灯杆的上端，灯杆的顶端设有一个球形结构的晶体硅太阳能电池，在晶体硅太阳能电池的表面设有一层透明的光触媒涂层；本实用新型通过在晶体硅太阳能电池上设置圆孔，增大了晶体硅太阳能电池与光的接触面,实现节约材料和充分利用光能的目的，其次，在球形的晶体硅太阳能电池上设置一层透明的光触媒涂层，可帮助球形晶体硅太阳能电池分解污渍、杀菌防霉实现自洁的功能，减少灰尘或者细菌对晶体硅太阳能电池的影响
一种新型太阳能路灯

[实用新型]一种高功率晶体硅太阳能组件-CN201721579880.8有效
发明人：邵海洋 -专利权人：浙江晟泰光伏有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高功率晶体硅太阳能组件，包括太阳能基板、铝合金边框、晶体硅、传输银线、接线盒、绒面钢化玻璃、导电膜、聚合物薄膜层、晶体硅封装层、防水层、不锈钢背板和密封硅胶，太阳能基板外侧设置有铝合金边框，所述太阳能基板上方设置有绒面钢化玻璃，所述绒面钢化玻璃下方设置有导电膜，所述导电膜下方设置有聚合物薄膜层，所述聚合物薄膜层下方设置有晶体硅封装层，所述晶体硅封装层内部设置有晶体硅。本实用新型结构简单，设计新颖，通过设置的导电膜和聚合物薄膜层，能够给太阳能基板带来较强的防护性能的同时增加太阳能基板的导电效率，大大增加晶体硅太阳能组件的发电效率，增加实用价值。
晶体硅太阳能基板聚合物薄膜层导电膜绒面钢化玻璃太阳能组件封装层本实用新型铝合金边框高功率不锈钢背板导电效率发电效率防护性能密封硅胶内部设置外侧设置防水层接线盒银线传输

[实用新型]一种具有高承载力的晶体硅电池组件-CN201920164906.5有效
发明人：刘湘武 -专利权人：无锡英富光能有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高承载力的晶体硅电池组件，包括设有安装槽的组件边框和粘结安装在安装槽内的晶体硅电池组件本体，所述晶体硅电池组件本体包括由上至下依次设置的钢化玻璃层、第一EVA层、晶体硅电池层、第二本晶体硅电池组件，在电池组件本体与安装槽底面之间设置真空腔，并通过微型气泵对真空腔内气体进行抽出，使真空腔与外界大气之间形成压力差，从而利用大气压的压力使晶体硅电池组件牢牢固定在安装槽内，提高晶体硅电池组件的牢固度和承载能力
晶体硅电池组件安装槽真空腔微型气泵底面高承载力背板本实用新型钢化玻璃层晶体硅电池承载能力电池组件控制器电外界大气依次设置组件边框牢固度压力差抽气粘结抽出