“晶体的”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果39391660个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]升压保护电路-CN201710142598.1有效
发明人：李玠泽;陈致均;黄正达;林俊宏 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种升压保护电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管。第一晶体管、第二晶体管及第四晶体管的第一端耦接，用以接收写入电压。第三晶体管的控制端用以接收工作电压。第四晶体管的第二端用以在第四晶体管导通时输出写入电压。当写入电压非预期地升压且工作电压未升压时，第一晶体管为导通，第二晶体管为截止，及第四晶体管为截止，以避免第四晶体管的第二端输出写入电压。
升压保护电路

[发明专利]OLED像素驱动电路及显示面板-CN201811477478.8在审
发明人：陈彩琴 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：一种OLED像素驱动电路及显示面板，所述OLED像素驱动电路由一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管、一第五晶体管、一第六晶体管、一第七晶体管、一电容器及一有机发光二极管构成一7T1C型式的像素驱动电路，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管分别具有一控制端、一第一端及一第二端，所述第七晶体管的控制端与第二端耦接，所述第四晶体管的控制端与第二端耦接，所述第四晶体管的第二端与所述第七晶体管的第二端互不连接。
晶体管驱动电路控制端显示面板耦接有机发光二极管像素驱动电路电容器互不连接第一端

[发明专利]静电防护电路及电子装置-CN202111366080.9在审
发明人：管要宾;盛健健 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：静电防护电路包含第一晶体管、第二晶体管第三晶体管。第一晶体管具有源极、栅极、及漏极，其中第一晶体管之源极连接至功率装置的第一端点，且第一晶体管之漏极连接至功率装置的第二端点，其中功率装置的第一端点为高电子迁移率晶体管之源极，且功率装置的第二端点为横向高电子迁移率晶体管之栅极第二晶体管具有源极、栅极、及漏极，其中第二晶体管之源极连接至第一晶体管之栅极，且第二晶体管之栅极连接至第二晶体管之漏极。第三晶体管具有源极、栅极、及漏极，其中第三晶体管之源极连接至第二晶体管之漏极，且第三晶体管之栅极连接至所述第三晶体管之漏极与功率装置的第二端点。
静电防护电路电子装置

[发明专利]块交叉耦合的高密度功率供应去耦电容器-CN201780033575.5有效
发明人： A·库马尔;H·党;S·邓迪加尔;V·瓦迪 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在本公开的一方面，提供了一种用于使用块交叉耦合的薄氧化物去耦电容器的MOS器件。MOS器件包括pMOS晶体管(202)和nMOS晶体管(204)。MOS器件包括与pMOS晶体管和nMOS晶体管相邻的第一晶体管体部连接集合。第一晶体管体部连接集合将第一电压源(Vdd)耦合到pMOS晶体管体部(202b)。第一晶体管体部连接集合还将第二电压源(Vss)耦合到nMOS晶体管体部(204b)。MOS器件包括与pMOS晶体管和nMOS晶体管相邻的第二晶体管体部连接集合。第二晶体管体部连接集合将nMOS晶体管栅极(204g)耦合到pMOS晶体管体部(202b)。第二晶体管体部连接集合还将pMOS晶体管栅极(202g)耦合到nMOS晶体管体部(204b)。
交叉耦合高密度功率供应电容器

[发明专利]圆柱状薄片晶体与带孔晶体侧面曲面复合方法-CN200610057130.4无效
发明人：李强;丁小艇;姜梦华;王宝华 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：目前激光晶体均为平面复合，尚无曲面复合方法的报道。本发明步骤：掺杂增益介质圆柱状薄片晶体的两底面及非掺杂晶体的两底面按晶体111方向定向并抛光；圆柱状薄片晶体加工成圆柱形，并抛光外侧面；非掺杂晶体中心粗加工成圆柱形孔，孔大小与圆柱状薄片晶体相匹配，并抛光孔内侧面；圆柱状薄片晶体再加工成圆台；非掺杂晶体内侧中心圆柱孔部分成圆台；非掺杂晶体与圆柱状薄片晶体合起对磨，使圆柱孔侧面和圆柱状薄片晶体侧面很好贴合；圆柱状薄片晶体及非掺杂晶体沿侧面按晶体110方向定向并对准，热键合；复合的薄片晶体两底面光学加工，非掺杂晶体外侧面光学加工。曲面复合的圆薄片晶体散热性能好、泵浦均匀性好、效率高。
圆柱状薄片晶体侧面曲面复合方法

[实用新型]一种人工晶体-CN202223307940.4有效
发明人：刘智博;朱杰志;吕圣诗 -专利权人：广州智圣高分子材料科技有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： A61F2/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种人工晶体，属于医疗器械技术领域，包括晶体本体结构，晶体本体结构的周侧设有支撑结构；所述晶体本体结构包括晶体内层和晶体外层，晶体内层周侧布置有若干均匀分布的轻质微体，晶体外层与晶体内层通过轻质微体连接，轻质微体、晶体外层和晶体内层之间形成若干个第一通口；所述支撑结构包括若干个端位处为光滑弧状的支撑袢，支撑袢沿晶体外层均匀布置，且与晶体外层形成第二通口；当晶体本体结构触碰到虹膜时，轻质微体可抵挡晶体内层和晶体外层与虹膜的接触，避免了人工晶体粘连在虹膜上，此外，若干第一通口成环状，保证了在晶体本体结构的边缘始终有一部分第一通口使眼球玻璃体腔内积液可以全部通过第一通口引流至前房。
一种人工晶体

[发明专利]偏置电流生成电路-CN202210217383.2在审
发明人：张维承 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本申请涉及电子技术领域，公开了一种偏置电流生成电路，具有快速启动、低温漂的特点。该电路包括：第四晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第一晶体管、第二晶体管、电容、第一电阻和第二电阻；第四晶体管的源极、第一电阻的第一端、第三晶体管的栅极和第五晶体管的栅极相耦合；第一电阻的第二端、电容的第一端、第三晶体管的源极和第五晶体管的源极耦合到电压源；第四晶体管的栅极、第三晶体管的漏极、第二晶体管的漏极和电容的第二端相耦合；第四晶体管的漏极、第一晶体管的漏极、第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极相互耦合；第二晶体管的源极耦合到第二电阻的第一端；第一晶体管的源极和第二电阻的第二端耦合到地端。
偏置电流生成电路

[发明专利]半导体装置、显示装置以及电子装置-CN201210238516.0有效
发明人：三宅博之;梅崎敦司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、显示装置以及电子装置，该半导体装置包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、以及第七晶体管，其中所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二晶体管的源极和漏极之一以及所述第五晶体管的栅极，其中所述第一晶体管的栅极电连接到所述第四晶体管的栅极，其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极之一、所述第四晶体管的源极和漏极之一、所述第六晶体管的栅极、以及所述第七晶体管的源极和漏极之一，其中所述第五晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第六晶体管的源极和漏极之一。
半导体装置显示装置以及电子

[发明专利]一种两阶段低功耗高速比较器-CN202011263273.7在审
发明人：朱勇;苏杰;徐祎喆 -专利权人：重庆百瑞互联电子技术有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：本申请的一种两阶段低功耗高速比较器包括前置放大级电路，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体以及第五晶体管；锁存级电路，其包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管以及第十四晶体管。本申请减小了两阶段低功耗高速比较器的延迟，同时提高了增益，减小了功耗。
一种阶段功耗高速比较

[发明专利]四晶体模块自复位过流保护型P管输出高边驱动电路-CN201710917605.0在审
发明人：杨明 -专利权人：佛山中锦微电科技有限公司
申请日： 2017-10-02 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：一种四晶体模块自复位过流保护型P管输出高边驱动电路，包括第一晶体模块连接电源正负极、其输出端连接第二晶体模块输入端；第二晶体模块公共端接电源正极，输出端与第四晶体模块第三端、第三晶体模块输入端连接；第三晶体模块公共端接地，输出端连接延时模块输入端；延时模块输出端连接第四晶体模块输入端；第四晶体模块第二端通过反馈模块连接第一晶体模块输入端；第一晶体模块输入端输入信号时，由第二晶体模块输出控制负载；第二晶体模块发生过流时，通过第四晶体模块和反馈模块使第一晶体模块导通从而使第二晶体模块截止并自锁，经延时模块再使电路自复位于第二晶体模块导通的状态，特点是结构简单、响应快、成本低、高可靠、应用前景好。
晶体模块复位保护输出驱动电路

[发明专利]栅极驱动电路及显示面板-CN202211627508.5在审
发明人：胡诗犇 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种栅极驱动电路及显示面板，该栅极驱动电路包括多个级联的栅极驱动单元，其中，第N级栅极驱动单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管，在上拉节点处于高电位状态下，第二晶体管、第三晶体管以及第五晶体管导通，第一低电位线依次通过第三晶体管、第五晶体管可以在第五晶体管的第一极输出更低的电位；在上拉节点处于低电位状态下，第二低电位线通过第六晶体管可以在第六晶体管的第一极提供更高的电位，从而使得第五晶体管更好地截止以改善第五晶体管的漏电流现象，进而提高了第五晶体管的第一极的高电位维持能力，这提高了由第一晶体管至第六晶体管构成的反相器的驱动能力。
栅极驱动电路显示面板

[发明专利]非挥发性存储器-CN201510620869.0有效
发明人：徐德训 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器，包括基底、浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管。浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置栅极晶体管与选择晶体管之间。所述非挥发性存储器可有效地降低选择晶体管所承受到的应力。
选择晶体管非挥发性存储器浮置栅极晶体管应力释放晶体管基底有效地串接

[发明专利]经粒化的硫酸铵颗粒-CN200980130589.4无效
发明人：斯蒂芬·赫夫曼恩;詹姆斯·富兰克林·帕金森四世;贾斯蒂斯·费恩 -专利权人：帝斯曼知识产权资产管理有限公司
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C05C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备经粒化的硫酸铵颗粒的方法，所述方法包括：提供硫酸铵晶体；从这些晶体中将包含中间尺寸晶体的级分同小尺寸晶体和大尺寸晶体分离开，从而得到包含小尺寸晶体和大尺寸晶体的剩余晶体；并通过模具将剩余晶体的至少一部分(即包含中间尺寸晶体的级分被分离出的晶体中的至少一部分)造粒，从而形成经粒化的硫酸铵颗粒。
经粒化硫酸铵颗粒

[发明专利]用于小电流的电流感测的方法和设备-CN201580033347.9有效
发明人： T·雅克;W·席曼 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：一种用于功率晶体管装置的电流检测的设备，其具有功率晶体管、第一串联电路、第二串联电路和控制单元，第一串联电路具有第一晶体管和第一电阻，第二串联电路具有第二晶体管和第二电阻，当第一晶体管接通时第一电阻与第一晶体管导电连接，当第二晶体管接通时第二电阻与第二晶体管导电连接，当功率晶体管接通时，第一晶体管的栅极连接端与功率晶体管的栅极连接端导电连接，控制单元控制功率晶体管、第一和第二晶体管，控制单元接通功率晶体管和第一晶体管，控制单元检测第一电压电势并根据第一电压电势和第一电阻确定电流，当电流小于预先确定的阈值时，控制单元断开功率晶体管和第一晶体管并接通第二晶体管，使得电流基本上流过第二晶体管。
用于电流流感方法设备

[发明专利]电荷泵电路及电源管理芯片-CN202211394367.7在审
发明人：孙志松;谭小平;党鹏乐 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：该电荷泵电路包括：电容器、串联的第一晶体管及第二晶体管、串联的第三晶体管及第四晶体管，电容器的一端连接于第一晶体管及第二晶体管的第一公共节点，电容器的另一端连接与第三晶体管及第四晶体管的第二公共节点连接，第一晶体管的控制端及第三晶体管的控制端用于接入第一控制信号，第二晶体管的控制端及第四晶体管的控制端用于接入第二控制信号，死区配置电路，与第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端、第三晶体管的控制端及第四晶体管的控制端连接，以消除第一晶体管与第二晶体管之间、第三晶体管与第四晶体管之间的直通时间。本申请可避免输出电压与地直通，从而延长电荷泵电路的使用寿命。
电荷电路电源管理芯片