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[发明专利]一种还原铅膏湿法短流程制备碘化铅晶体的方法-CN202310750634.8在审
发明人：杨家宽;李朝阳;胡广;梁莎;仝宇昕;邹庆芳;黄亮;段华波;袁书珊;胡敬平 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01G21/16 文献下载
摘要：本发明属于废铅酸蓄电池资源化及碘化铅晶体制备技术领域，公开了一种还原铅膏湿法短流程制备碘化铅晶体的方法，包括以下步骤：S1：收集废铅酸蓄电池中废铅膏并还原得到还原铅膏；将还原铅膏置于碘盐溶液中，搅拌得到初步反应溶液；S2：向其中加入氢碘酸溶液，然后固液分离，得到的固体即为粗晶体；S3：将粗晶体置于有机溶剂中溶解后固液分离；得到的滤液即为碘化铅溶液；S4：将碘化铅溶液重结晶后进行固液分离，得到的固体即为提纯后的碘化铅晶体本发明通过对反应参与物、工艺流程的整体设计等进行改进，通过短流程即可实现碘化铅晶体的制备，能够有效解决现有工艺步骤冗长、试剂投入量大且碘化铅产品纯度不高的技术问题。
一种还原湿法流程制备碘化晶体方法

[发明专利]在磷酸钛氧钾晶体上制备准三维光子晶体的方法-CN201010258227.8无效
发明人：刘鹏;赵金花;黄庆;管婧;王雪林 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：在磷酸钛氧钾晶体上制备准三维光子晶体结构的方法，属于光电子器件制备技术领域。具体制备方法如下：首先将KTP晶体切割为10mm×10mm×2mm的样品，对表面及相对两个端面进行光学抛光；将样品放入加速器靶室中进行离子注入形成平面光波导；用去离子水、酒精及丙酮清洗样品，在样品上甩涂BP218光刻胶，经曝光、显影、坚膜后形成光刻胶条形掩模；采用Ar离子束刻蚀制成脊形波导；在KTP脊型波导表面镀导电薄膜后，应用FIB系统在脊形波导区域刻蚀亚微米级光子晶体结构，通过调整系统参数及工作条件，得到性能良好的亚微米级准三维光子晶体。该发明可实现对光束的三维约束，用于制作作光子晶体滤波器、分束器、反射器等光电器件。
磷酸钛氧钾晶体制备三维光子方法

[实用新型]温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺-CN201520150153.4有效
发明人：武红磊;郑瑞生;徐百胜;梁逸;贺姝慜 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本实用新型属于晶体制备领域，特别涉及一种氮化铝晶体的生长装置及对应的工艺。本实用新型提供温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺，具有温度场控制精确、操作性强等优点，由此发展的相应生长工艺符合氮化铝晶体的结晶特性。该制备装置包括顶加热器、中加热器、底加热器、顶保温层、侧保温层、底保温层、红外测温仪、坩埚和坩埚支架组成。装置根据三个红外测温仪返回的生长区域三个不同位置的温度信号，进行顶加热器、中加热器和底加热器加热功率的温控调节，满足了氮化铝晶体生长的合适温度场条件。本实用新型为制备大尺寸、高品质的氮化铝单晶体提供合适的生长装置及有效、可行的工艺。
温度场可控氮化晶体生长装置工艺

[发明专利]一种叶黄素固体分散体的制备方法-CN201310435782.7在审
发明人：崔景柏;吴传斌;梁华辉;张乃军 -专利权人：天津新济复兴药业科技有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： A61K9/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种叶黄素固体分散体的制备方法。采用固体分散体制备工艺，将叶黄素晶体、载体及增塑剂混合，采用热熔融、溶剂法、热熔挤出等方法，制备得到叶黄素固体分散体。本发明的方法具有高效，生产过程简单特点，根据本发明的方法制备的固体分散体具有良好溶解性，提高叶黄素的生物利用度。
一种叶黄素固体散体制备方法

[发明专利]一种多孔钨结构的晶体制备装置及氮化铝晶体制备方法-CN202111281070.5在审
发明人：武红磊;李文良;金雷;覃佐燕 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多孔钨结构的晶体制备装置，包括：坩埚盖、坩埚、锥形台、隔气环和多孔钨圆筒；其中，所述多孔钨筒放置在所述坩埚内并与所述坩埚同心，所述多孔钨简的外壁与所述坩埚的内壁围成的空间用于放置氮化铝粉所述隔气环置于所述多孔钨筒上，用于覆盖所述多孔钨筒的外壁与所述坩埚的内壁围成的空间；所述锥形台置于所述隔气环上，所述坩埚盖放置在所述坩埚上，并在所述锥形台上方粘贴氮化铝籽晶，以在加热状态下使氮化铝籽晶生长为氮化铝晶体通过对氮化铝晶体生长坩埚内部结构及材料的优化，实现了氮化铝原料升华速率稳定、蒸气输运方向为从籽晶中心向边缘的晶体生长条件，使氮化铝晶体具有更高的结晶质量。
一种多孔结构晶体制备装置氮化方法

[发明专利]对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法-CN202010715841.6在审
发明人：陈庆煌;曾暐舜;刘志成;王见明 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。对准标记的制备方法包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区；在标记形成区的鳍部上形成对准标记。该制备方法形成的对准标记的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案。该制备方法还适用于现有的鳍式场效应晶体管的制程中，具有良好的运用前景。
对准标记制备方法场效应晶体管

[发明专利]一种乳酸米力农组合物-CN201610761822.0有效
发明人：钟正明 -专利权人：海南合瑞制药股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： A61K9/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种乳酸米力农组合物，所述的乳酸米力农组合物包括米力农、乳酸、氯化钠、维生素E、谷胱甘肽，本发明还提供了一种新的米力农晶体，利用该米力农晶体制备的乳酸米力农组合物具有较好的稳定性，长期储存澄清透明度好，有关物质含量少，并且制备方法简单，生产成本低，适合大规模生产；本发明的乳酸米力农组合物中加入了维生素E和谷胱甘肽起到了更好的治疗心力衰竭的作用。
一种乳酸米力农组合

[发明专利]MXene纳米复合手性液晶光子晶体柔性膜及其制备方法和应用-CN202210866397.7在审
发明人：王玲;张璇;封伟 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C09K19/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种MXene纳米复合手性液晶光子晶体柔性膜及其制备方法和应用，将可聚合手性液晶前驱体原位交联到表面改性的MXene纳米结构薄膜和聚合物支撑层之间制备而成，具体制备过程包括MXene胶体液晶的制备，MXene纳米结构薄膜的制备，液晶盒的制备和MXene纳米复合手性液晶光子晶体柔性膜的制备。本发明所提供的MXene纳米复合手性液晶光子晶体柔性膜具有兼容的可见变色和红外变温性能，通过控制输入直流电压的大小，既可以在可见光波段实现可逆的结构色消失和回复，又可以在红外波段实现热辐射的动态按需调控
mxene 纳米复合手性液晶光子晶体柔性及其制备方法应用

[发明专利]一种镉锌硅硫晶体及其制备方法与用途-CN202010087177.5有效
发明人：武奎;杨亚 -专利权人：河北大学
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种镉锌硅硫晶体及其制备方法与用途，镉锌硅硫化学式为Cd3ZnSiS6,分子量为623.02，其为黄色透明的非中心对称结构的单晶本发明镉锌硅硫晶体制备方法简单，所得镉锌硅硫晶体具有优异的光学性能，带隙与硫镓银相当，红外透过范围宽，激光损伤阈值高，非线性光学效应强，作为新的中远红外非线性光学晶体，在高功率激光系统中具有潜在的应用价值
一种镉锌硅硫晶体及其制备方法用途

[发明专利]一种吉非替尼和布美他尼药物共晶体及其制备方法-CN202010315091.3有效
发明人：江燕斌;蒋云鹏;吴艳婷;宋阳 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C07D239/94 文献下载
摘要：本发明公开了一种吉非替尼和布美他尼药物共晶体及其制备方法；该药物共晶体中吉非替尼和布美他尼的摩尔比为1:1，其以2θ表示的X射线衍射谱图在5.08±0.2°，8.88±0.2°，10.26±0.2°，10.56细胞毒性实验结果表明该共晶体对癌细胞具有更好的抑制作用，对正常细胞的毒副作用明显减少。该共晶体制备方法绿色环保，收率稳定，易于产业化。
一种吉非替尼药物晶体及其制备方法

[发明专利]F和Er离子双掺杂的绿发光钨酸铅晶体的制备方法-CN201210193841.X无效
发明人：谢建军;刘志坤;袁晖;熊巍 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有绿发光性能的高透过性钨酸铅晶体的制备方法，属发光晶体制备技术领域。在研制过程中主要利用改进的坩埚下降法和“分层掺杂”技术来生长具有较高光学透过性的阴阳离子双掺杂钨酸铅晶体。本发明可以同时生长多根具有绿发光性能PWO晶体，可以用于批量生产。
er 离子掺杂发光钨酸铅晶体制备方法

[实用新型]制备激光晶体坯的装置-CN201921221724.3有效
发明人：刘革命;陈贻斌;钟玖平;苏发强 -专利权人：赣州虔东激光科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型制备激光晶体坯的装置，属于激光晶体制备技术领域。包括外壳(10)、夹具(20)、上保温部分、下保温部分、加热部分及支撑部分。不仅具有方便定位和组装，阻止沿各保温部件结合面间隙的热辐射产生的热量损失，还能防止炉膛内产生较强对流气体对激光晶体坯的影响，提高了激光晶体坯的成品率。
制备激光晶体装置

[发明专利]一种钕铒共掺GYAG激光晶体及其制备方法-CN201810775614.5在审
发明人：陈建玉 -专利权人：苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种钕铒共掺GYAG激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为：Nd_xEr_xGd_2xY_3‑4xAl₅O₁₂，生长工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长该晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，生长过程炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度为1960℃，提拉速度0.1～5mm/h，晶体转速5～30rpm本发明激光晶体能克服传统Nd:YAG晶体容易开裂，容易生长大尺寸和降低晶体制备成本等优点。
激光晶体烧结共掺制备焙烧炉膛惰性气体保护中频感应加热提拉法生长保温材料比例称量等静压机工艺步骤固相反应晶体生长晶体制备晶体转速生长过程压制成块生长保温罩宝石片发热体观察口晶体的氧化锆氧化铝提拉铱金坩埚保存

[发明专利]化合物氟硼酸钾锌及氟硼酸钾锌双折射光学晶体和其制备方法及用途-CN202211253971.8在审
发明人：俞洪伟;刘超世;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物氟硼酸钾锌及一种氟硼酸钾锌双折射晶体的制备方法和用途，该化合物氟硼酸钾锌及其双折射晶体化学式均为KZn3B2O6F，晶体属六方晶系，空间群均为P63/m，晶胞参数为化合物硼酸双折射光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法-CN202110302502.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨化兴软控科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决PVT法制备碳化硅晶体时碳硅比分布不均的问题，本发明提供了一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法，向石墨坩埚中加入碳化硅粉料，在碳化硅粉料中心位置插入辅助碳源，在石墨坩埚盖上粘接籽晶，组合石墨坩埚体与石墨坩埚盖，进行碳化硅晶体生长，得到碳化硅晶体；所述辅助碳源包括长条形中心基体和设置在所述中心基体外表面的若干翅片，所述翅片的长度方向与中心基体的长度方向平行，所述中心基体底部设有锥形插入部。本发明平衡了整个籽晶生长面的碳的供应，实现晶体的均衡快速的生长，抑制晶体生长平衡的逆向移动导致的石墨化。
一种通过调节分布提高晶体质量方法