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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]温度辅助的NAND闪存管理-CN202011260215.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：英韧科技（上海）有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：提供了用于在非易失性存储系统中进行温度辅助的非易失性存储设备管理的系统、装置和方法。在一个实施例中，一种非易失性存储系统可以包括温度传感器、非易失性存储设备和处理器。该处理器可以被配置为从温度传感器获取读出，基于该读出为非易失性存储设备生成预测的实时片内温度，基于该预测的实时片内温度生成用于读取存储在非易失性存储设备中的数据的估计的阈值电压，并使用该估计的阈值电压为起点进行参考电压的局部扫描以获得具有最小读取比特误码率的最终读取参考电压
温度辅助 nand 闪存管理

[发明专利]非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质-CN202210318852.X有效
发明人：赵东艳;王于波;潘成;陈燕宁;邵瑾;吴峰霞;薛晓勇;周芝梅;庞振江;甄岩;姜静雯;郭之望 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;复旦大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间
非易失性存储单元数据处理方法装置介质

[发明专利]芯片中非易失性存储空间的数据存储方法和可信芯片-CN201610998449.0有效
发明人：付颖芳 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片中非易失性存储空间的数据存储方法和可信芯片。其中，该方法包括：在芯片中创建非易失性存储空间，其中，非易失性存储空间的属性至少包括：用于表征在非易失性存储空间中存储属主数据的参数，属主数据的存储地址范围；其中，属主数据的存储地址范围用于表征允许向芯片请求数据时的最大数据长度本发明解决了现有技术从可信安全芯片的非易失空间中读取原始数据时，读取到的原始数据准确性差的技术问题。
芯片中非易失性存储空间数据存储方法可信

[实用新型]由存储器与非易失性缓存装置进行协同存储的系统-CN201120363624.1有效
发明人：祝夭龙;严杰;周娟娟 -专利权人：北京邦诺存储科技有限公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：提供一种用于由存储器与非易失性缓存装置进行协同存储的系统，所述系统包括：存储器，用于存储数据，其中，在没有进行用户数据读写或数据转移期间，所述存储器处于休眠状态；非易失性缓存装置，用于与存储器协同地存储数据；以及分别与存储器和非易失性缓存装置连接的协同存储控制设备，所述协同存储控制设备用于控制存储器与非易失性缓存装置进行协同存储。
存储器非易失性缓存装置进行协同存储系统

[发明专利]一种非易失静态随机存储器单元-CN202310535408.8在审
发明人：蔡磊;刘祥远;傅祎晖;陈强;杨国庆;谈斌 -专利权人：湖南融创微电子有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开实施例中提供了一种非易失静态随机存储器单元，属于信息存储技术领域，具体包括：易失性SRAM存储器，易失性SRAM存储器包括锁存器和选通管；伪差分非易失NVM存储器，伪差分非易失NVM存储器包括一个大尺寸N型晶体管构成的耦合电容器、一个N型晶体管复用为电荷隧穿管和读取管，一个P型晶体管构成的读取管、并和N型复用读取管一起构成差分读取电路，三个晶体管的多晶栅连接在一起构成非易失存储数据的浮栅；两个隔离保护管，两个隔离保护管设置于易失性SRAM存储器和伪差分非易失NVM存储器之间。通过本公开的方案，降低了生产成本，提高了兼容性、存储密度和容量。
一种非易失静态随机存储器单元

[发明专利]改进密集读取工作负载的NAND闪存性能的方法和存储设备-CN202210397386.9在审
发明人：图沙尔.图卡拉姆.帕蒂尔;阿南莎.夏尔马;沙拉思库马尔.科达斯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供了一种用于读取存储设备中的数据的方法。该方法包括：从主机设备接收读取命令，其中该读取命令指示存储设备中存储的数据和存储的数据的逻辑块地址(LBA)；基于LBA和逻辑到物理(L2P)映射获得物理块号(PBN)；确定PBN是否与存储设备的易失性存储器相对应；基于与易失性存储器相对应的PBN，直接从易失性存储器读取存储的数据；基于直接从易失性存储器读取的存储的数据，递增与PBN相关联的读取计数器；以及基于与易失性存储器不相对应的PBN，从存储设备的非易失性存储器读取存储的数据
改进密集读取工作负载 nand 闪存性能方法存储设备

[发明专利]一种串行易失性存储器的控制方法-CN201711243664.0有效
发明人：陈磊;田星星;李龙龙;焦来宾 -专利权人：科大智能电气技术有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种串行易失性存储器的控制方法，可解决传统串行易失性存储器使用时需要固定地分配地址和长度的技术问题。包括以下步骤：动态分配操作、动态释放操作、基于动态分配的写操作、基于动态分配的读操作。本发明所述的一种串行性易失性存储器的控制方法，有效解决了现有技术中存在的在对串行易失性存储器使用之前需要固定地分配数据存取地址和长度问题。本发明将串行易失性存储器以页的方式访问，并按照页的方式去分配、访问和管理，有效提高了串行易失性存储器使用灵活性。
一种串行易失性存储器控制方法

[发明专利]电子设备的文件排布方法、启动方法及电子设备-CN201010261143.X有效
发明人：冯晓毅 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明实施例公开了电子设备的文件排布方法、启动方法及电子设备，所述电子设备具有一非易失性存储介质，所述非易失性存储介质中存储有所述电子设备的操作系统文件以及基于操作系统的软件程序文件，文件排布方法包括：在所述电子设备的开机过程中，监测写入到易失存储介质的多个文件的文件信息；根据所述多个文件的文件信息将所述多个文件在所述非易失性存储介质上所对应的数据进行重新排布，使所述对应的数据连续排布在所述非易失性存储介质上本申请实施例将需要写入易失性存储介质，且原来在非易失性存储介质上随机排列的文件重新顺序排列，因此再次读取这些文件时，可以按照其排列顺序一次进行读取，由此节约了电子设备读取文件的时间。
电子设备文件排布方法启动

[发明专利]一种异步电路及系统-CN202110102087.3有效
发明人：邓尔雅;魏少芊;赵巍胜;康旺 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种异步电路及系统，采用多个非易失性存储单元和多个完成检测单元；其中，每个完成检测单元与相邻的上一个非易失性存储单元和相邻的下一个非易失性存储单元进行数据交互，所述数据交互包括：在所述相邻的下一个非易失性存储单元中的计算单元完成内存计算后，该非易失性存储单元向所述完成检测单元发送完成响应信号，以及在所述完成检测单元对所述请求信号进行处理后，所述完成检测单元向相邻的上一个非易失性存储单元发送寄存应答信号，本发明采用了非易失性器件作为存储单元，减少了系统的静态功耗，具有低功耗存储的特点，并且由于根据每个单元实际的运行时间来进行时间分配，节省了大量不必要的等待功耗。
一种异步电路系统

[发明专利]用于异构存储器系统的信令-CN202080090910.7有效
发明人：詹姆斯·R·马格罗;凯达尔纳特·巴拉里斯南 -专利权人：超威半导体公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：一种存储器控制器通过异构存储器通道与非易失性存储类存储器(SCM)模块对接，并且包括用于接收存储器访问命令的命令队列。存储器接口队列耦合到命令队列以保存导出命令。非易失性命令队列耦合到命令队列以用于存储置于存储器接口队列中的非易失性读取命令。仲裁器从命令队列中选择条目，并将它们置于存储器接口队列中以在异构存储器通道上传输。控制电路耦合到异构存储器通道以用于从非易失性SCM模块接收就绪响应，所述就绪响应指示响应数据可用于非易失性读取命令，并且响应于接收到就绪响应，导致发送命令被置于存储器接口队列中以用于命令非易失性SCM模块发送响应数据
用于存储器系统

[发明专利]数据储存设备和包括数据储存设备的数据处理系统-CN201410337185.5有效
发明人：申东才;朴承镇 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：一种数据处理系统包括：主机接口，其包括第一易失性存储器件；以及数据储存设备，其包括第二易失性存储器件和非易失性存储器件，并且适于储存要被主机设备访问的数据。在处于正常模式的数据储存设备进入节能模式之前，数据储存设备将储存在第二易失性存储器件中的数据上传至第一易失性存储器件。
数据储存设备包括数据处理系统

[发明专利]用于多级缓存利用的设备和方法-CN200980110592.X有效
发明人： R·S·特特里克;D·朱内曼;R·布伦南 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G06F13/14 文献下载
摘要：在一些实施例中，非易失性缓存存储器可以包括：多级非易失性缓存存储器，被配置成位于电子系统的系统存储器和大容量储存器装置之间；以及耦合到多级非易失性缓存存储器的控制器，其中控制器被配置成控制对多级非易失性缓存存储器的利用
用于多级缓存利用设备方法

[发明专利]格式化非易失性半导体存储器的文件存储装置、主机设备、方法，以及在非易失性半导体存储器中写数据的方法-CN200580030998.9无效
发明人：伊藤隆文;坂本广幸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种文件存储装置，包括由主机设备的文件系统存取的非易失性半导体存储器。所述非易失性半导体存储器具有用户数据区域。所述用户数据区域可由所述文件系统存取。装置信息指示所述非易失性半导体存储器是非易失性半导体存储器并且被写入所述用户数据区域。
格式化非易失性半导体存储器文件存储装置主机设备方法以及数据

[发明专利]具有集成位线电容的NAND闪存-CN201080001812.8有效
发明人： C·郑;H·刘;B·李;Y·陆;D·塞迪亚蒂 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：用于从具有排列成行和列的多个非易失性存储单元的存储器阵列输出数据的方法和装置。根据多个实施例，电荷被储存于连接到存储器阵列的易失性存储单元中，且所存储的电荷然后从易失性存储单元通过选定的列释放。在一些实施例中，易失性存储单元是来自所述单元的行的动态随机存取存储器(DRAM)单元，其中沿该行的各个DRAM单元被耦合到存储器阵列中相应的列，且非易失性存储单元的各个列包括以NAND结构连接的闪存单元
具有集成电容 nand 闪存

[发明专利]液体存放容器、液体供给系统、记录装置及电路板-CN200510135045.0有效
发明人：林崎公之;渡边显二郎;畑佐延幸;山崎龙彦 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：在可以在打印机上拆装的墨箱上设置非易失性的存储元件和LED。而且，通过将存储元件中所存储着的信息对打印机进行通信，可进行与墨剩余量等各墨箱的状态对应的处理，并可由LED报知墨箱的状态。进而，存储元件的存储内容不会被破坏，且直到卸下之前使LED仍可以发光从而有助于用户的作业。为此，除非易失性存储元件外还设置了易失性存储元件。当用户可以进行墨箱的拆装时，在这之前预先将非易失性存储元件保持的墨箱状态信息传送到易失性存储元件。在进行墨箱的拆装时，只访问易失性存储元件，进行LED的点亮/熄灭控制。
液体存放容器供给系统记录装置电路板

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