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[发明专利]一种非易失性查找表存储单元结构及查找表电路实现方法-CN201510015043.1在审
发明人：叶勇;亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种非易失性查找表(nvLUT)存储单元结构及查找表电路实现方法，非易失性查找表存储单元包括：感应模块和非易失存储模块。非易失存储模块连接到感应模块，从而可由其感应出非易失存储模块中所存储的数据。感应模块由一对以正反馈形式连接的NMOS或PMOS晶体管构成。非易失存储模块为2T2R结构，即一对控制开关晶体管和一对互补的电阻型存储器。进一步的，为了降低芯片面积，若干个非易失存储模块可以公用一个感应模块。本发明还包括基于非易失性查找表存储单元的查找表电路实现方法。本发明能够克服传统查找表的缺点，并且功耗低、面积小，同时能够兼容标准的CMOS工艺，有利于大规模集成和应用。
一种非易失性查找存储单元结构电路实现方法

[发明专利]为易失性存储器中的引导式库刷新提供无缝自刷新的方法和系统-CN200580021926.8有效
发明人：佩里·威尔曼·小雷马克吕思;罗伯特·迈克尔·沃克 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2005-05-26 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器系统。所述系统包括：一易失性存储器，其具有若干库且经配置以进入包括一自动刷新模式和一自刷新模式在内的若干操作模式中的一者；和一存储器控制器，其经配置以引导所述易失性存储器进入所述操作模式中的一者。一旦所述存储器控制器引导所述易失性存储器进入所述自刷新模式，所述存储器控制器进一步经配置以向所述易失性存储器提供一入口库地址，所述入口库地址对应于要在所述自刷新模式期间刷新的第一个库。一旦所述易失性存储器退出所述自刷新模式，所述易失性存储器就进一步经配置以使一出口库地址可由所述存储器控制器使用，所述出口库地址对应于在所述易失性存储器退出所述自刷新模式之前被刷新的最后一个库。
易失性存储器中的引导刷新提供无缝方法系统

[发明专利]一种分布式存储的方法、装置、设备及可读介质-CN202010112923.1有效
发明人：王晓飞 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式存储的方法，包括以下步骤：基于数据域值对非易失性内存进行分区，并将非易失性内存的分区与硬盘对应；基于数据写入请求，以内存映射的方式将数据写入非易失性内存中；以及响应于非易失性内存中已写入数据达到数据域值，将非易失性内存中的数据合并写入对应的硬盘；以及将非易失性内存中已写入数据删除。本发明还公开了一种串口调试信息的输出装置、计算机设备和可读存储介质。本发明通过使用非易失性内存，使WAL通过内存映射方式写入非易失性内存，既保证了WAL的非易失性，又拥有了内存级的带宽和延迟，大大提高了WAL的写入效率，从而提高分布式存储系统的写入性能。
一种分布式存储方法装置设备可读介质

[发明专利]基于PCIE接口的非易失性存储方法及系统-CN201711468569.0在审
发明人：徐方;姜淇;邹风山;刘世昌;白宏生;王宇卓 -专利权人：沈阳新松机器人自动化股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PCIE接口的非易失性存储方法及系统，其中，方法包括如下步骤：步骤一、X86主板关机时，X86主板使用的内存数据经PCIE接口传递到非易失性存储装置；步骤二、将数据从PCIE接口写入到非易失性存储装置中本发明提供掉电后能够保存数据的一种非易失性存储方案。
非易失性存储非易失性存储装置保存数据内存数据关机掉电写入传递

[发明专利]用于更大范围的操作温度产品的非线性温度补偿-CN202110567621.8在审
发明人：李世忠;佐野源毅 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：一种用于操作本文中所公开的非易失性存储装置的方法。所述方法包括对一组非易失性存储元件执行操作。对所述组非易失性存储元件的所述操作包含基于所述组非易失性存储元件的操作温度提供温度补偿。
用于更大范围操作温度产品非线性补偿

[发明专利]基于三维异质集成的存储器件以及存储系统-CN202111198508.3有效
发明人：樊世杰;周骏 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于三维异质集成的存储器件以及存储系统，该存储器件包括易失存储芯片、非易失存储芯片、接口芯片以及存储控制器，其中，接口芯片用于与上位机通信连接，接口芯片还用于检测易失存储芯片的工作电压，在工作电压小于第一预定值的情况下，接口芯片生成第一信息；在工作电压大于第二预定值的情况下，接口芯片生成第二信息；存储控制器包括缓存一致性接口，存储控制器用于通过缓存一致性接口与接口芯片进行数据传输，存储控制器还用于在接收到第一信息的情况下，将易失存储芯片中的数据保存至非易失存储芯片，在接收到第二信息的情况下，将非易失存储芯片中的数据回写到易失存储芯片。该存储器件兼顾了缓存一致性以及非易失功能。
基于三维集成存储器件以及存储系统

[实用新型]一种存储芯片和带有存储芯片的墨盒-CN200920133709.3有效
发明人：丁励 -专利权人：珠海纳思达电子科技有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：本实用新型涉及存储芯片和带有存储芯片的墨盒。将存储芯片中的存储单元设置为包括在被停止供电时丢失数据的易失性存储器和给易失性存储器持续供电的电池。由于电池在耗尽后即不能给易失性存储器供电，易失性存储器在被停止供电时就会丢失数据，使存储芯片具有数据保存期限，对应的存储芯片和带有存储芯片的墨盒也就因此具有数据保存的期限和可使用的期限。
一种存储芯片带有墨盒

[发明专利]使用非易失性存储器的崩溃恢复-CN201480060820.8有效
发明人： D·P·布拉德肖;P·瑟利斯 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：描述了在包括易失性存储器(它因崩溃而丢失了内容)、中间非易失性存储器、以及非易失性存储的计算系统的上下文中的计算系统的崩溃恢复，其中中间非易失性存储器(与该易失性存储器一起)构成计算系统的活跃存储器。恢复通过标识在崩溃时处于易失性存储器中的页来进行。对于这些页中的每一个页，恢复确定将页从中间非易失性存储器还是存储中恢复到易失性存储器中，并且随后执行恢复。在其中中间非易失性存储器的存取速度可比存储的存取速度快得多、并且大部分页是从中间非易失性存储器中恢复的实施例中，恢复时间可被缩短。
使用非易失性存储器崩溃恢复

[发明专利]实现多位单元的非易失性半导体存储元件及其制造方法-CN200710140700.0无效
发明人：金东郁 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种实现多位单元的非易失性半导体存储元件及其制造方法包括：制造能够在一个单个存储单元中存储多位数据，例如4位数据的非易失性半导体存储元件，从而提高或非型非易失性半导体存储元件的集成度。
实现单元非易失性半导体存储元件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器-CN02143725.4有效
发明人：丹沢徹;梅沢明;高野芳德;志贺仁;渥美滋;田浦忠行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储器，具有第1和第2非易失性存储片、读取用数据线以及写入校验用数据线、读取用传感放大器、写入校验用传感放大器、以及写入电路。上述各数据线设置在第1和第2非易失性存储片间的区域。分别选择性连接到第1非易失性存储片的位线和第2非易失性存储片的位线。上述读取用传感放大器连接到读取用数据线。写入校验用传感放大器和上述写入电路分别连接到写入校验用数据线。
非易失性半导体存储器

[发明专利]易失性存储设备持久化过程中的数据更新方法及装置-CN201180003627.7有效
发明人：岳银亮;张敬亮;王凤 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明提供一种易失性存储设备持久化过程中的数据更新方法及装置。该方法包括：将易失性存储设备中快照数据周期性持久化到非易失性存储设备过程中，接收更新快照数据块中数据的写请求；将新数据写入所述快照数据块，并在日志文件中记录所述快照数据块中数据更新为所述新数据的操作日志本发明在持久化过程中减少了对易失性存储设备中空间的占用，克服了易失性存储设备中空间的占用随更新操作的增加而线性增加的缺陷。
易失性存储设备持久过程中的数据更新方法装置

[发明专利]集成的存储单元及存储阵列-CN202110803438.3有效
发明人：袁庆鹏;蔡晓波;张思萌;张新龙 -专利权人：上海亿存芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成的存储单元，所述存储单元包括静态随机访问存储单元；非易失性存储单元，非易失性存储单元包括第一存储晶体管和第二存储晶体管；选通单元，选通单元包括第一选通NMOS管和第二选通NMOS管，第一选通NMOS管和第二选通NMOS管用于使所述非易失性存储单元内的数据加载至所述静态随机访问存储单元，采用第一选通NMOS管和第二选通NMOS管作为非易失性存储单元的控制管，节省了存储器的总体面积，兼容非易失性存储单元的擦除、编程和读取操作，静态随机访问存储单元和非易失性存储单元之间数据转移可靠性高。本发明还提供一种存储阵列，所述存储阵列包括至少一个所述集成的存储单元。
集成存储单元阵列

[发明专利]信息处理设备和信息处理设备的控制方法-CN202011142815.5在审
发明人：小林阳 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：该设备包括：非易失性半导体存储装置，其存储标识信息和与输出信号有关的第一设置信息；存储器，用于保持非易失性半导体存储装置的标识信息和与非易失性半导体存储装置的标识信息相关联的与输出信号有关的设置信息，该标识信息包括非易失性半导体存储装置的标识信息，设置信息至少包括与输出信号有关的第二设置信息；以及处理器，用于从获取非易失性半导体存储装置的标识信息。
信息处理设备控制方法

[发明专利]一种卫星在轨数字基带平台-CN202111679269.3在审
发明人：宣寅佳;丁晟;陈毅君 -专利权人：浙江时空道宇科技有限公司;浙江吉利控股集团有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B64G1/24 文献下载
摘要：本申请提供一种卫星在轨数字基带平台，包括：主控单元、多个卫星控制单元、至少一个第一非易失性存储单元、至少一个第二非易失性存储单元；第一非易失性存储单元，用于存储控制卫星控制芯片单元运行的原始程序；卫星控制单元，用于执行卫星在轨任务；主控单元，用于接收地面站发送的对于原始程序的重构程序，将重构程序写入第二非易失性存储单元，以及控制卫星控制单元重新启动，并加载第二非易失性存储单元存储的重构程序控制卫星控制单元工作
一种卫星数字基带平台

[发明专利]计算系统中的选择性数据存留-CN201780028548.9在审
发明人： H·加布里杰尔斯基 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本文中公开了计算设备中选择性数据存留以及操作的相关联方法的实施例。在一个实施例中，方法包括接收命令以发起：当前被包含在易失性存储器模块中的数据到混合存储器设备的非易失性存储器模块的存留。方法还包括，确定易失性存储器模块中的数据是否为有效数据。响应于确定当前被包含在易失性存储器模块中的数据是有效数据，使得数据被从易失性存储器模块复制到非易失性存储器模块。响应于确定数据并非有效数据，丢弃当前被包含在易失性存储器模块的数据。
易失性存储器有效数据非易失性存储器模块选择性数据混合存储器计算设备计算系统接收命令响应丢弃复制关联