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[发明专利]一种无基岛框架封装结构及其工艺方法-CN201810544416.8在审
发明人：殷炯;章春燕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种无基岛框架封装结构及其工艺方法，所述结构包括无基岛框架(1)，所述无基岛框架(1)正面设置有镂空金属片(2)，所述镂空金属片(2)上设置有芯片(3)，所述芯片(3)与无基岛框架(1)通过电性连接部(4)进行电性连接，所述无基岛框架(1)、镂空金属片(2)、芯片(3)和电性连接部件(4)外均包封有塑封料(5)。本发明一种无基岛框架封装结构及其工艺方法，它在无基岛框架上装镂空金属片形成基岛作用的支撑芯片的结构，镂空金属片能够解决固化膜作为基岛会阻碍塑封料对固化膜下方区域填充的问题，从而改善模流填充及空洞；且金属的强度优于树脂材料(固化膜)，装片及打线会比树脂材料(固化膜)更稳定。
基岛镂空金属片固化膜框架封装芯片电性连接树脂材料塑封料电性连接部区域填充正面设置包封打线模流填充装片空洞金属阻碍支撑

[实用新型]一种无基岛框架封装结构-CN201820839176.X有效
发明人：殷炯;张益青;钟昭文;钱丹雁;沙洁 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用涉及一种无基岛框架封装结构，它包括无基岛框架(1)，所述无基岛框架(1)正面设置有镂空金属片(2)，所述镂空金属片(2)上设置有芯片(3)，所述芯片(3)与无基岛框架(1)通过电性连接部(4)进行电性连接，所述无基岛框架(1)、镂空金属片(2)、芯片(3)和电性连接部件(4)外均包封有塑封料(5)。本实用一种无基岛框架封装结构，它在无基岛框架上装镂空金属片形成基岛作用的支撑芯片的结构，镂空金属片能够解决固化膜作为基岛会阻碍塑封料对固化膜下方区域填充的问题，从而改善模流填充及空洞；且金属的强度优于树脂材料(固化膜)，装片及打线会比树脂材料(固化膜)更稳定。
基岛镂空金属片固化膜框架封装芯片电性连接树脂材料塑封料电性连接部区域填充正面设置包封打线模流填充装片空洞金属阻碍支撑

[实用新型]一种无电辐射石墨烯电热膜-CN202022203913.7有效
发明人：滕洪福;滕翔升;张迎迎 -专利权人：山东绿品佳智能科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H05B3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无电辐射石墨烯电热膜，由下基发热片、绝缘片、上基屏蔽片组成，其特征在于：下基发热片包含下基绝缘片、石墨烯发热层和电源连接片，先将石墨烯发热层喷涂在下基绝缘片上侧，再将2个电源连接片固定在下基绝缘片上侧两端，并且要分别与石墨烯发热层小电阻接触；上基屏蔽片包含上基绝缘片、导电材料和屏蔽连接片，先将导电材料喷涂在上基绝缘片下侧，再将屏蔽连接片固定在上基绝缘片下侧中间位置，并且要与导电材料小电阻接触；最终将下基发热片、绝缘片、上基屏蔽片压合在一起，而形成无电辐射石墨烯电热膜，这种电热膜就可解决石墨烯电热膜的电磁辐射问题。
一种辐射石墨电热

[发明专利]无卤阻燃性树脂组合物及其应用-CN201010602778.1有效
发明人：陈勇;苏民社 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种无卤阻燃性树脂组合物及其应用，该无卤阻燃性树脂组合物包括如下组分：双官能或多官能无卤环氧树脂、反应性聚膦酸酯以及氰酸酯树脂。该无卤阻燃性树脂组合物应用于半固化片，半固化片包括基料及通过含浸干燥之后附着在基料上的无卤阻燃性树脂组合物。该无卤阻燃性树脂组合物应用于印制电路用层压板，印制电路用层压板包括数个叠合的半固化片、及设于叠合后的半固化片的单面或双面的金属箔，每一片半固化片包括基料及通过含浸干燥之后附着在基料上的无卤阻燃性树脂组合物本发明的无卤阻燃性树脂组合物具有高耐热性、阻燃性和耐浸焊性，从而可以用于树脂片材、树脂复合金属箔、半固化片、层压板、以及印制线路板的制作。
阻燃树脂组合及其应用

[实用新型]一种无电辐射石墨烯电热膜的接线结构-CN202022108103.3有效
发明人：滕翔升;滕洪福;张迎迎 -专利权人：山东绿品佳智能科技有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H05B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无电辐射石墨烯电热膜的接线结构，由下基发热片、绝缘片、上基屏蔽片和电源线组成，其中电源线由火线、零线和地线构成，所述的下基发热片包含下基绝缘片、石墨烯发热层和2个电源连接片，所述石墨烯发热层喷涂在下基绝缘片上侧，2个所述的电源连接片分别固定在下基绝缘片上侧两端，且分别与石墨烯发热层小电阻接触；所述的上基屏蔽片包含上基绝缘片、导电材料和屏蔽连接片，所述导电材料喷涂在上基绝缘片下侧，所述屏蔽连接片固定在上基绝缘片下侧中间位置，且与导电材料小电阻接触；所述的下基发热片、绝缘片、上基屏蔽片压合在一起形成无电辐射石墨烯电热膜，利用这种技术可解决石墨烯电热膜的电磁辐射问题。
一种辐射石墨电热接线结构

[发明专利]一种系统级封装结构及其制作方法-CN202111223302.1在审
发明人：李重 -专利权人：上海闻泰信息技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种系统级封装结构，包括：至少一裸片、若干第一焊盘、至少一无源器件、导电框架、基岛和封塑层；所述导电框架复用为所述无源器件和所述基岛；所述裸片设置在所述基岛上，所述第一焊盘设置在所述裸片上，所述裸片与所述第一焊盘电连接；所述第一焊盘与所述无源器件电连接；所述封塑层包覆所述裸片、所述第一焊盘、所述无源器件、所述导电框架和所述基岛。本发明提供的系统级封装结构，省去封装实体无源器件到芯片当中，一方面可以提高生产效率，另一方面还可以实现系统级封装结构的小型化。
一种系统封装结构及其制作方法

[发明专利]一种抗膨胀硅基负极极片及其制备方法-CN202310253480.1在审
发明人：何欢;李阳兴;朱朋辉 -专利权人：安徽得壹能源科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗膨胀硅基负极及其制备方法，自内向外包括箔片、附着于箔片两侧的补锂层、附着于补锂层外侧的硅基活性材料层、附着于硅基活性材料层外侧的无定型碳层以及最外侧的石墨层；所述箔片为多孔箔片，补锂层将多孔箔片的孔填充；无定型碳层的厚度为20～100μm，无定型层的面密度为硅系负极涂层面密度的0.2～5倍。
一种膨胀负极及其制备方法

[发明专利]一种无基岛框架封装结构及其制备方法-CN202010063785.2在审
发明人：卢建 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种无基岛框架封装结构及其制备方法，其中，所述无基岛框架封装结构的框架具有贯穿所述框架的通孔，并且将装片胶和芯片均沉在通孔中设置，使得装片胶和芯片无需额外占用竖直方向上的空间，从而实现了对无基岛框架封装结构的优化，缩小了无基岛框架封装结构的尺寸。
一种无基岛框架封装结构及其制备方法

[发明专利]一种无电辐射石墨烯电热膜的接线方法-CN202011028078.6在审
发明人：滕翔升;滕洪福;王倩 -专利权人：山东绿品佳智能科技有限公司
申请日： 2020-09-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种无电辐射石墨烯电热膜的接线方法，由下基发热片、绝缘片、上基屏蔽片和电源线组成，其特征在于：下基发热片包含下基绝缘片、石墨烯发热层和电源连接片，先将石墨烯发热层喷涂在下基绝缘片上侧，再将2个电源连接片分别固定在下基绝缘片上侧两端，并且要分别与石墨烯发热层小电阻接触；上基屏蔽片包含上基绝缘片、导电材料和屏蔽连接片，先将导电材料喷涂在上基绝缘片下侧，再将屏蔽连接片固定在上基绝缘片下侧中间位置，并且要与导电材料小电阻接触，最终将下基发热片、绝缘片、上基屏蔽片压合在一起，而形成无电辐射石墨烯电热膜，电源线中的火线和零线分别与二个电源连接片电连接，电源线中的地线与屏蔽连接片电连接，利用这种技术可解决石墨烯电热膜的电磁辐射问题
一种辐射石墨电热接线方法

[实用新型]一种构成气流通道的H型翅片管-CN202123021391.X有效
发明人：邹建东;苏厚德;文晓龙;何义明;赵明明;冯栩迟;赵昕;余建永;王丕宏;张鹰 -专利权人：上海蓝滨石化设备有限责任公司;甘肃蓝科石化高新装备股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： F28F1/28 文献下载
摘要：本实用新型提出一种构成气流通道的H型翅片管，包括基管、翅片，基管为圆管，翅片沿基管长度方向排列，翅片为多个折边金属板材依次连接而成，相邻的翅片形成封闭基管外气流通道，从基管轴向看，两侧翅片以过基管中心线的垂直剖面呈对称布置，翅片内侧边设有圆弧段，圆弧段与基管外表面相适配构成面接触连接。管外气流不流过无翅片区域，管外气流方向和速度变化幅度小，节约了气体流动的动力消耗；而且由于气体流动方向和速度变化小、无流动死区，不容易造成杂质运动停滞，进而避免杂质堆积结垢，垢阻系数小。
一种构成气流通道型翅片管

[发明专利]单量子比特完备互相无偏基的实现装置-CN201410475937.4有效
发明人：侯志博;项国勇;李传锋;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种单量子比特完备互相无偏基的实现装置。该实现装置由一个波片和偏振片构成：波片的相位为δ，入射光正入射波片；偏振片位于波片的光路后端，用于将由波片入射光中的沿水平方向偏振的成分与沿竖直方向偏振的成分分离；其中，定义波片的光轴相对于水平方向的角度为θ，当该θ取值分别为θ₁，θ₂，θ₃时，实现单个量子比特的三个测量基，该三个测量基构成完备互相无偏基。本发明中仅仅采用了一个波片来实现量子比特完备互相无偏基，与传统的两波片实现方法相比，不仅节省了一个波片，而且平均误差减小到原来的一半。
量子比特完备互相无偏基实现装置

[发明专利]一种基于纱架供纱的无交织压榨毛毯及其制备方法-CN201910720093.8有效
发明人：谢宗国;戴永君;周兴富;谢元松 -专利权人：四川环龙技术织物有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： D21F7/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纱架供纱的无交织压榨毛毯及其制备方法，包括如下步骤：(1)将尼龙6单丝合股成经纱，再经过络子纱架供纱并制得纱片；(2)将锦纶短纤维进行梳理并铺叠成毛网，再进行预刺处理，得纤维毛网絮片；(3)分别将纱片和纤维毛网絮片，在针刺机上进行复合，得复合纱片；(4)将复合纱片卷绕拼接，再进行针刺复合得无交织压榨毛毯。所述无交织压榨毛毯无低熔点纤维与低熔点纱线，因此避免了成形过程中可能出现的黏连结块和基网不稳定的现象；另外，所采用的无交织基网宽度窄，在螺旋绕制成环压榨毛毯时，与基网片较宽的相比，斜率会减小，即毛毯在受纵向张力时
一种基于纱架供纱交织压榨毛毯及其制备方法

[发明专利]一种基于整经工艺的无交织压榨毛毯及其制备方法-CN201910720094.2有效
发明人：谢宗国;戴永君;周兴富;谢元松 -专利权人：四川环龙技术织物有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： D21F7/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于整经工艺的无交织压榨毛毯及其制备方法，包括如下步骤：(1)将尼龙6单丝合股成经纱，经整经平行卷绕于经轴，得整经纱片；(2)将锦纶短纤维进行梳理并铺叠成毛网，再进行预刺处理，得纤维毛网絮片；(3)分别将纱片和纤维毛网絮片，在针刺机上进行复合，得复合纱片；(4)将复合纱片卷绕拼接，再进行针刺复合得无交织压榨毛毯。所述无交织压榨毛毯无低熔点纤维与低熔点纱线，因此避免了成形过程中可能出现的黏连结块和基网不稳定的现象；另外，所采用的无交织基网宽度窄，在螺旋绕制成环压榨毛毯时，与基网片较宽的相比，斜率会减小，即毛毯在受纵向张力时
一种基于工艺交织压榨毛毯及其制备方法

[实用新型]一种KNN基压电陶瓷剪切形加速度传感器的子组件-CN202021629308.X有效
发明人：谭祥虎;吴超峰;徐高翅 -专利权人：佛山（华南）新材料研究院
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G01P1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种KNN基压电陶瓷剪切形加速度传感器的子组件，包括KNN基无铅压电陶瓷制备的剪切形传感器子组件，包括具有两串电极本体、八片绝缘片、质量块、支架、螺杆、螺母以及四片铌酸钾钠基无铅压电陶瓷片，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷片、两块质量块与支架通过螺母和螺杆固定连接。本实用新型通过支架、螺杆、质量块、绝缘片、电极本体、铌酸钾钠基无铅压电陶瓷片和螺母，可使装置达到使用安全环保的功能，解决了现有PZT压电陶瓷含铅，对环境污染大；中心压缩结构容易出现横向灵敏度大，环形剪切结构中粘结方式在高温下容易失效
一种 knn 压电陶瓷剪切加速度传感器组件

[发明专利]GaN基高电子迁移率晶体管的低温无金欧姆接触的制作方法-CN201310632276.7无效
发明人：黄森;刘新宇;王鑫华;魏珂;刘果果;章晋汉;郑英奎;陈向东;张昊翔;封飞飞;万远涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基高电子迁移率晶体管的低温无金欧姆接触的制作方法，包括：在GaN基高电子迁移率晶体管外延片上涂覆光刻胶，并光刻形成欧姆接触图形；利用低损伤刻蚀技术从欧姆接触图形的开孔区域刻蚀减薄GaN基HEMT的势垒层；对刻蚀区域进行湿法表面处理，并在处理后的外延片上沉积多层无金欧姆金属；剥离GaN基高电子迁移率晶体管外延片表面的光刻胶及该光刻胶之上沉积的多层无金欧姆金属；以及退火形成低温无金欧姆接触利用本发明，降低了GaN基HEMT的工艺温度，解决了GaN基HEMT与Si-CMOS工艺兼容的技术瓶颈，有助于降低GaN基HEMT的制造成本，加快GaN基功率电子器件的产业化进程。
gan 电子迁移率晶体管低温欧姆接触制作方法

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