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[发明专利]旋涂材料层的平坦化方法及光致抗蚀剂层的制造方法-CN200410033401.3无效
发明人：卢俊男;蔡念谕;杨淑卿 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种旋涂材料层的平坦化方法，此方法提供基底，此基底中已形成有多个开口。然后，于基底上形成旋涂材料层，此旋涂材料层填满开口。接着，进行等离子体蚀刻工艺，移除部分旋涂材料层直到暴露出基底表面。其中在此等离子体蚀刻工艺中，冷却基底，使基底表面与开口内的旋涂材料层维持一蚀刻选择比，以得到一平坦化的旋涂材料层。
材料平坦方法光致抗蚀剂层制造

[发明专利]一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202110668725.8有效
发明人：王生浩;代鹏飞;宋彦磊;吴兴龙 -专利权人：上海大学;滨州裕能化工有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，是对导电玻璃FTO进行预处理；在导电玻璃表面旋涂TiO2电子传输层；制备的电子传输层表面旋涂CsPbI3钙钛矿前驱体溶液，再涂覆三（2‑羟乙基）异氰脲酸三丙烯酸（THEICTA）的氯苯溶液，并在210℃下退火5min，制得界面处理后的CsPbI3薄膜；在CsPbI3薄膜表面旋涂沉积空穴传输层；在空穴传输层表面沉积Ag金属电极。
一种无机钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种具有(NbOx/TiO₂)_n梯度薄膜的自清洁玻璃及其制备方法-CN201210226820.3有效
发明人：张娜;房永征 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开一种具有(NbOx/TiO2)n纳米片薄膜的自清洁玻璃及其制备方法。所述的具有(NbOx/TiO2)n梯度薄膜的自清洁玻璃包括基体层普通玻璃、纳米片溶胶层，纳米片熔胶层位于基体层上面；所述的纳米片溶胶层，即从基体层向上依次为NbOx纳米片溶胶涂层、TiO2纳米片溶胶涂层交替排列而构成其制备方法即以普通玻璃为基体，通过层层旋涂自组装方式，将TiO2、NbOx纳米片溶胶涂覆在普通玻璃基体上，所得的具有(NbOx/TiO2)n梯度薄膜的自清洁玻璃，膜基结合力高、硬度高、耐刮擦性能好，玻璃的光学透过率高
一种具有 nbox tio sub 梯度薄膜清洁玻璃及其制备方法

[发明专利]喷墨印头的结构及其制程-CN02130224.3无效
发明人：林刘恭 -专利权人：飞赫科技股份有限公司
申请日： 2002-08-15 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：一种喷墨印头的结构及其制程，其中喷墨印头由基板、阻隔层及喷孔片所构成，其中阻隔层的组成成分为旋涂式玻璃(即含有二氧化硅的材料)。值得注意的是，由于旋涂式玻璃对于墨水的抗蚀性较佳，故当喷墨印头采用旋涂式玻璃作为其阻隔层时，可有效提升其阻隔层对于墨水的抗蚀性。此外，还由于旋涂式玻璃的抗热性较佳，故当喷墨印头采用电阻加热组件作为其致动组件时，可降低阻隔层受到高热的影响，以避免受到高热而发生扭曲变形。
喷墨结构及其

[发明专利]一种硫化铅量子点太阳能电池及其制备方法-CN202011634966.2在审
发明人：邢美波;魏玉瑶;王丹丹;王瑞祥 -专利权人：北京建筑大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种硫化铅量子点太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1：在导电玻璃基底上制备电子传输层；S2：在电子传输层上采用一步旋涂法制备量子点吸光层；S3：在量子点吸光层上采用旋涂法制备空穴传输层；S4：在空穴传输层上采用蒸镀法沉积金属电极，本发明采用一步法制备量子点太阳能电池的吸光层，以获得高性能硫化铅量子点太阳能电池。
一种硫化铅量子太阳能电池及其制备方法

[发明专利]旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质-CN202111311561.X在审
发明人：郭帅;刘忠明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开提供一种旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质。所述旋涂模拟的方法应用于对非平面半导体结构的旋涂膜层的形状进行模拟，所述方法包括：获取旋涂工艺参数信息；基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。本公开实施例所提供的旋涂模拟的方法中，根据预设模拟模型和旋涂工艺参数信息模拟旋涂膜层的形状，从而为旋涂步骤之后的其他工艺步骤提供参考依据，以保证制备出的半导体产品的质量。
模拟方法装置设备存储介质

[发明专利]一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法-CN201910565247.0有效
发明人：陈静;钱建平;汪丽茜;潘江涌;刘城君;雷威 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法，所述全无机QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、经表面处理的NiO空穴传输层、CdZnSeS/ZnS量子点层、ZnMgO电子传输层和Al阴极。所述制备方法包括以下步骤：(a)分别采用去离子水、丙酮、异丙醇，清洗ITO导电玻璃；(b)将清洗后的ITO导电玻璃吹干，紫外处理；(c)取出处理后的ITO导电玻璃，旋涂经表面处理的NiO纳米颗粒溶液；(d)取量子点溶液旋涂到步骤(c)所得物上，退火；(e)取ZnMgO纳米颗粒溶液旋涂到步骤(d)所得物上，退火；(f)将步骤(e)所得物抽真空并蒸镀铝膜。本发明通过构建修饰空穴传输层，降低界面电荷猝灭几率，提高载流子浓度，平衡电子与空穴，提高器件性能。
一种表面处理 nio 薄膜无机 qleds 器件及其制备方法

[实用新型]一种倒置可溶液旋涂的杂化钙钛矿太阳电池装置-CN201520913675.5有效
发明人：卢珍 -专利权人：山西大同大学
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳能电池技术领域，本实用新型为了提高电池装置的光电转化效率、增加太阳能电池稳定性，提供了一种倒置可溶液旋涂的杂化钙钛矿太阳电池装置，采用平面结构，由下至上逐层层叠，包括导电透明玻璃电极层、空穴传输层、电子传输层和金属对电极层，所述空穴传输层与电子传输层之间设有钙钛矿液旋涂而成的吸光层。该电池装置的空穴传输层、电子传输层和吸光层都是通过溶液旋涂而成。电池的性能关键是由吸收层的成膜质量决定的，通过对空穴传输层(PEDOT:PSS)界面进行修饰，使用质子型溶剂对其处理、优化来改变钙钛矿吸光层的晶型结构和形貌，改善钙钛矿吸光层成膜质量，达到了提高光电效率
一种倒置溶液杂化钙钛矿太阳电池装置

[发明专利]一种基于钙钛矿电致发光的白光LED及其制备方法-CN201911058230.2有效
发明人：王坚;俞丹牡;王娟红;麦超晃;李妙姿;黎佳立;寸阳珂;张斌斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿电致发光的白光LED制备方法，包括步骤：(1)对阳极进行清洗，清洗后进行烘干，将烘干后的阳极进行预处理；(2)采用旋涂工艺沉积空穴注入层，并进行热处理；(3)制备黄光钙钛矿溶液和蓝光聚合物溶液，并依次旋涂黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层，每旋涂一层后均进行热处理加工；加工后的黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层组成发光活性层；(4)将器件传入真空蒸镀仓中，进行电子注入层与阴极的蒸镀；(5)将器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装
一种基于钙钛矿电致发光白光 led 及其制备方法

[发明专利]在玻璃基板上化学镀铜的方法-CN201310596259.2在审
发明人：孙瑜;于中尧 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种在玻璃基板上化学镀铜的方法，该方法包括：在玻璃基板上涂覆一层有机薄膜，晾干后再采用传统化学镀铜工艺方法沉积铜层。其中有机薄膜制备方法包括以下步骤：（1）将有机薄膜材料以0.1%-20%体积百分比溶解于易挥发有机溶剂中；（2）将所述有机溶剂以旋涂、喷涂、浸泡或涂刷方法涂覆于玻璃基板上；（3）待涂覆了所述有机溶剂的玻璃基板烘干或晾干（4）将玻璃基板采用有机薄膜材料的材料特性进行亚胺化或者高温固化。本发明解决了现有工艺与基板工艺不兼容的问题，提高了铜与玻璃基板之间的粘附性，减小基板上线路对高频电性能的影响，并提高线路与基板的结合力。
玻璃基板上化学镀铜方法

[发明专利]基于纳米晶界面层的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201910548129.9有效
发明人：贺本林;苏国栋 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了基于无机钙钛矿纳米晶界面层的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，本发明具体是采用多步旋涂技术先将溴化铅旋涂于导电玻璃负载的二氧化钛电子传输层表面，再多步旋涂溴化铯制备高纯度的CsPbBr3吸光层，然后将无机钙钛矿纳米晶的正己烷溶液旋涂至CsPbBr3层进行界面修饰，最后刮涂碳背电极组装成全无机钙钛矿太阳能电池
基于纳米界面无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高质量稳定的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202210375025.4在审
发明人：龚秀;殷桂林;陈艳丽 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种高质量稳定的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：步骤一、FTO玻璃片的清洗和等离子体处理；步骤二、电子传输层的旋涂；步骤三、CsPbI3前驱体溶液的配置；步骤四、功能化苯乙胺盐前驱体溶液的配置；步骤五、CsPbI3前驱体溶液的旋涂；步骤六、功能化苯乙胺盐前驱体溶液的旋涂；步骤七、空穴传输层的旋涂；步骤八、金属阳极的蒸镀。本发明适用于一种高质量稳定的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，以旋涂2mg/ml的功能化苯乙胺盐的CsPbI3钙钛矿薄膜作为光吸收层，提高了钙钛矿太阳能电池的开路电压
一种质量稳定无机钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种半导体领域阻变存储器的制备方法-CN202111272903.1在审
发明人：郑维亮 -专利权人：深圳茂源新材料科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：MOF；将聚合物聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯加入到N,N‑二甲基甲酰胺中，然后在室温条件下搅拌使其充分溶解，然后加入氧化石墨烯和晶体MOF，将温度升至80～95℃搅拌2～5h，备用；将正方形的导电玻璃分别在丙酮、无水乙醇和去离子水中分别超声清洗，然后在真空干燥箱中干燥，然后将其放置在旋涂机上，然后将混合液滴加旋涂，在90～96℃下烘干；将涂有基质膜的导电玻璃放置在旋涂机上，然后在基质膜上面旋涂一层金属银电极层
一种半导体领域存储器制备方法

[发明专利]一种栅极沟槽形成方法及DRAM制造方法-CN202110205549.4在审
发明人：具德滋;李相龙;金大镇;郑宇现;李俊杰;周娜;杨红 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：方法包括：在半导体衬底上方依次形成栅极掩模层、第一旋涂硬掩模层和光刻掩模层；对第一旋涂硬掩模层进行刻蚀以形成图案化的第一旋涂硬掩模层；沉积氧化物层，以及形成第二旋涂硬掩模层；对第二旋涂硬掩模层进行刻蚀以形成图案化的第二旋涂硬掩模层；去除氧化物层中的部分以形成组合硬掩模图案；以及将组合硬掩模图案转移至半导体衬底以形成栅极沟槽，第一旋涂硬掩模层的材料与第二旋涂硬掩模层的材料相同。
一种栅极沟槽形成方法 dram 制造

[发明专利]一种基于SiO₂介孔薄膜的隔热玻璃及其制备方法-CN201510225974.4有效
发明人：赵高凌;张馨文;赵翔宇;李金;孟伟杰;詹凌曈;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SiO2介孔薄膜的隔热玻璃，该材料是在玻璃基底上具有SiO2介孔薄膜层，所述的介孔孔径为2‑10nm，SiO2介孔薄膜层中的介孔孔道平行于玻璃基底。其制备方法是在常温下进行如下步骤：先配置TEOS、乙醇和稀盐酸的混合溶液并陈化，再配置CTAB与乙醇的混合溶液，将上述两种混合溶液混合陈化获得旋涂液，最后旋涂获得基于SiO2介孔薄膜的隔热玻璃。本发明的基于SiO2介孔薄膜的隔热玻璃，与其他隔热材料相比，在同等厚度下具有更好的隔热性能，且其制备方法简单，在常温下即可实现，成本较低，具有很好的应用前景和推广价值。 1
介孔薄膜隔热玻璃混合溶液制备玻璃基常温下乙醇隔热材料隔热性能混合陈化介孔孔道介孔孔径稀盐酸旋涂液再配置陈化旋涂平行配置应用