专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]传递函数高精度仿真方法、装置、存储介质及电子设备-CN202110522219.8在审
  • 宋炎侃;于智同 - 清鸾科技(成都)有限公司
  • 2021-05-13 - 2021-07-16 - G06F30/20
  • 依据直接分解法对默认的高阶传递函数进行处理,获取状态方程和输出方程;对状态方程进行求通解处理,以获取状态方程的通解表达;对输入变量进行线性拟合,以获取输入变量的线性表达;依据输入变量的线性表达对状态方程的通解进行离散化处理,以获取状态方程的离散化表达;依据状态方程的通解的离散化表达对输出方程进行处理,以获取输出方程的离散化表达;将输出方程的离散化表达和状态方程的离散化表达确定为高阶传递函数的仿真结果。通过对输入变量进行线性拟合,以获取输入变量的线性表达,从而提升输入变量的表达的准确度,从而提升仿真函数的精度。
  • 传递函数高精度仿真方法装置存储介质电子设备
  • [发明专利]本征值确定方法及装置-CN201710114280.2在审
  • 祝捍皓;郑广学;郑红;汤云峰;林建民 - 浙江海洋大学
  • 2017-02-28 - 2017-08-04 - G06F17/50
  • 本发明实施例提供了一种浅海Pekeris波导下的本征值确定方法及装置,所述方法包括将预设的反射系数表达转化为复相位函数数形式;将频散方程转化为复相位函数方程的形式,并确定复相位函数方程的实部表达和虚部表达;当所述虚部表达为预设第一数值时,计算所述本征参数的虚部数值的取值范围;计算所述复相位函数方程的实部表达的取值范围;当所述复相位函数方程的实部表达的取值为预设第二数值时,确定所述本征参数的各阶数值
  • 确定方法装置
  • [发明专利]纵波反射系数确定方法、装置、电子设备及存储介质-CN202011513807.7有效
  • 王康;彭苏萍;卢勇旭;崔晓芹 - 中国矿业大学(北京)
  • 2020-12-18 - 2021-08-24 - G01V1/30
  • 本申请提供一种纵波反射系数确定方法、装置、电子设备及存储介质,包括:获取表征岩石模型对地震波传播影响的模量表达方程组;岩石模型中的孔隙之间,以及裂缝与孔隙之间存在液体流动;模量表达方程组中包括初始纵波模量表达;基于预先确定的岩石模型的地质参数的值和模量表达方程组,得到地震波的频率趋近于0时的多个第一模量值;基于地质参数的值和模量表达方程组,得到地震波的频率趋近于无穷大时的多个第二模量值;基于地震波的真实频率、地质参数的值和初始纵波模量表达,得到第三模量值;基于多个第一模量值、多个第二模量值、第三模量值、地震波的入射角度和预先确定的纵波反射系数的表达,准确地得到纵波反射系数的值。
  • 纵波反射系数确定方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]用于模式开发的并行求解方法和系统-CN201811305089.7有效
  • 黄小猛;吴琦;王冬;杨广文 - 清华大学
  • 2018-11-05 - 2020-07-17 - G06F8/20
  • 本发明对于模式方程提供了高效的并行数值求解方法和系统,将与待求解的模式方程对应的离散形式的表达,该表达的操作数为以三维数组形式表示的物理量,该表达的运算符包括预定义的模式运算符和被重载为支持三维数组的基本运算符;根据可用的并行进程数量和三维数组的维度来划分每个物理量对应的三维数组,并保存每个三维数组在各进程间的数据分布信息;构建与所述表达对应的表达图,并基于该表达图对表达进行求解计算。
  • 用于模式开发并行求解方法系统
  • [发明专利]阻性负载碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法-CN202210028848.X在审
  • 许灏;蔡雨萌;孙鹏;赵志斌 - 华北电力大学
  • 2022-01-11 - 2022-04-15 - H02M1/088
  • 阻性负载下的碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法,包括:在上桥器件导通后,联立上桥驱动回路和主功率回路KVL方程获得上桥栅压表达;应用饱和区电流公式获得上桥漏电流表达;基于损耗守恒将下桥驱动电阻等效至漏源极支路,根据等效后下桥器件与负载组成回路的KVL方程获得下桥漏源电压表达;根据下桥驱动回路KVL方程获得串扰电压表达,对串扰电压表达求最值获得串扰电压峰值。本发明每个步骤均只存在单变量,实现了阻性负载下,上下桥器件驱动电压、母线电压量的解耦,获得了阻性负载下串扰电压峰值表达;本发明可有效评估阻性负载下串扰电压的影响因素,并对保证下桥器件安全运行的参数选取范围给出指导和建议
  • 负载碳化硅mosfet半桥串扰电压峰值计算方法

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