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[发明专利]一种铝酸锂晶体的生长方法-CN200710073268.8无效
发明人：陈盈君 -专利权人：深圳市淼浩高新科技开发有限公司
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种铝酸锂晶体的生长方法，用综合熔体法生长晶体，其中使用提拉法下种、收颈、放肩，在等径生长时采用泡生法和/或温梯法。本方法使用的设备和加热方式没有严格限制，通常使用一般的提拉设备；无论感应加热还是电阻加热都能使用。本方法具有提拉法，泡生法和温梯法的优点：可生长大尺寸晶体，污染少，能观察液面和晶体生长情况；还可使用原有提拉法设备。同时该工艺克服了提拉法和温梯法生长晶体的色心和位错率高的缺点，晶体质量优异，应力小，无滑移带和孪晶缺陷，位错密度低，晶体完整性和光学均匀性好，易于产业化。
一种铝酸锂晶体生长方法

[发明专利]一种R面蓝宝石晶体的生长方法-CN200710073286.6无效
发明人：陈盈君 -专利权人：深圳市淼浩高新科技开发有限公司
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种R面蓝宝石的生长方法，用综合熔体法生长晶体，其中使用提拉法下种、收颈、放肩，在等径生长时采用泡生法和/或温梯法。本方法使用的设备和加热方式没有严格限制，通常使用一般的提拉设备；无论感应加热还是电阻加热都能使用。本方法具有提拉法，泡生法和温梯法的优点：可生长大尺寸晶体，污染少，能观察液面和晶体生长情况；还可使用原有提拉法设备。同时该工艺克服了提拉法和温梯法生长晶体的色心和位错率高的缺点，晶体质量优异，应力小，无滑移带和孪晶缺陷，位错密度低，晶体完整性和光学均匀性好，易于产业化。
一种蓝宝石晶体生长方法

[发明专利]一种大尺寸紫外级氟化钙单晶的生长方法及装置-CN201110055752.4无效
发明人：柳祝平;黄小卫 -专利权人：元亮科技有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种大尺寸紫外级氟化钙单晶的生长方法及其装置，将提拉法(CZ)、坩埚下降法、泡生法和温梯法(TGT)各优点结合在一起，采用顶部籽晶中心可调提拉结构、双加热纯金属发热体、双控温加热系统，创造一个可动态调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉，通过装炉、抽高真空、升温化料、洗籽晶、提拉法下种、提拉法“缩径工艺”、提拉法“放肩工艺”、泡生法“等径工艺”、TGT法等径生长(控径技术为CZ称重)、CZ法收尾&脱坩埚、退火，生长出大尺寸高品质紫外级氟化钙单晶
一种尺寸紫外氟化钙生长方法装置

[发明专利]综合熔体法生长晶体-CN200310112171.5无效
发明人：陈迎春;肖俊;李明远 -专利权人：陈迎春;肖俊;李明远
申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种生长晶体的综合熔体法，其中使用提拉法下种、收颈、放肩，在等径生长时采用泡生法和/或温梯法。该方法能生长大尺寸优质的各类晶体，特别是氧化物晶体如兰宝石衬底晶体，掺杂或不掺杂氧化铝，铝酸盐晶体，石榴石晶体(YAG，GGG，GsGG)，铌酸盐晶体等。本方法具有提拉法，泡生法和温梯法的优点：可生长大尺寸晶体，污染少，能观察液面和晶体生长情况；还可使用原有提拉法设备。同时该工艺克服了提拉法和温梯法生长晶体的色心和位错率高的缺点，晶体质量优异，应力小，无滑移带和孪晶缺陷，位错密度低，晶体完整性和光学均匀性好，易于产业化。
综合熔体法生长晶体

[发明专利]提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4-CN202010406016.8有效
发明人：肖学峰;张学锋;张欢;韦海成;魏同利;张莎;雷玉玺;李维银 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体的方法，该方法采用提拉法生长硅酸铋单晶，在硅酸铋晶体生长过程中，调整硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定，或调整硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定，以使生长的硅酸铋晶体组分均匀，采用本发明的方法，在提拉法生长硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)非一致熔融晶体过程中，依照一定的曲线改变晶体生长过程中的提拉速度、旋转速度，使得硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定，或硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定，可有效改善硅酸铋晶体成分的不均匀性。
提拉法生长组分均匀硅酸 bi base sub

[发明专利]模块化设计多用途晶体生长系统-CN200910196351.3无效
发明人：黄小卫 -专利权人：上海元亮光电科技有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：一种模块化多用途晶体生长系统，涉及晶体生长，其特征在于：包括提拉机构，生长机构、下拉机构和真空装置，提拉机构安装在生长机构的上端，在生长机构的一侧和真空装置相连通，底端通过下水冷杆和下拉机构相连，在生长机构中通过和提拉机构、下拉机构的连接实现提拉法、温度梯度法(TGT)、热交换法(HEM)、熔盐法、泡生法(Kyropoulos)和坩埚下降法生产晶体，并可以实现顶部籽晶温度梯度法(TSTGT)生产晶体。有益效果是通过调节梯度来调节温场，可以方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，提高设备的利用率。
模块化设计多用途晶体生长系统

[发明专利]熔盐提拉法生长BBO晶体-CN02104917.3无效
发明人：王国富;林州斌;胡祖树;何美云 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2002-03-08 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：熔盐提拉法生长BBO晶体涉及一种生长BBO(β－BaB2O4，低温相偏硼酸钡)晶体的新工艺技术。采用一种改进的助熔剂生长方法——熔盐提拉法，即用助熔剂法结合提拉技术来生长BBO晶体。％Na2O或NaF或BaF2或它们的组合为助熔剂，降温速率为0.5～3℃/天，转速为5～30转/分钟，提拉速度为0.3～3mm/天。生长周期比传统的BBO生长方法缩短了约30％，在100×80mm的铂坩埚中长出的BBO晶体最大尺寸达φ80×40mm，生长成本降低了30％以上。
熔盐提拉法生长 bbo 晶体

[发明专利]一种提拉法生长晶体过程中保护铱金坩埚的方法-CN201510678412.5在审
发明人：董永军;华伟;陈伟 -专利权人：南京光宝光电科技有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种提拉法生长晶体过程中保护铱金坩埚的方法，属于晶体生长技术领域。其晶体生长后期的降温过程中，保持晶体与剩余熔体接触，通过边降温边提拉的方法，使铱金坩埚内的剩余熔体结晶收缩，使得生长余料不撑大坩埚。采用本发明进行提拉法晶体生长时，通过边降温边提拉的方法，使铱金坩埚内的剩余熔体结晶收缩，使得剩余的生长余料不撑大坩埚，便于取出余料，大大延长了铱金坩埚的使用寿命，降低了损耗，节约了成本。
一种提拉法生长晶体过程保护坩埚方法

[发明专利]熔盐提拉法生长LBO晶体-CN02104916.5无效
发明人：王国富;林州斌;胡祖树;何美云 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2002-03-08 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：熔盐提拉法生长LBO晶体涉及一种生长LBO(LiB3O5，三硼酸锂)晶体的新工艺技术。采用一种改进的助熔剂生长方法——熔盐提拉法，即用助熔剂法结合提拉技术来生长LBO晶体。该方法采用30～80wt.％的LiF或KF或NaF或Li2MoO4等为添加剂，降温速率为0.5～3℃/天，转速为5～30转/分钟，提拉速度为0.3～3mm/天。生长周期比传统的LBO生长方法缩短了约50％，得到的晶体最大尺寸达φ80×35mm，生长成本降低了30％以上。
熔盐提拉法生长 lbo 晶体

[发明专利]一种模块化的复合晶体制备系统-CN201810288258.4在审
发明人：董春明 -专利权人：济南金曼顿自动化技术有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种模块化的复合晶体制备系统，包括炉架、炉腔、晶体生长温场模块、旋转提拉称重单元和升降机构，炉腔设置在炉架上，炉腔前侧设置有前门，炉腔侧面设有通光窗口，晶体生长温场模块设置于炉腔内，旋转提拉称重单元设置在炉腔的上部，旋转提拉称重单元的下部连接提拉杆，晶体生长温场模块为微下拉法模块、提拉法模块和激光基座加热法模块之一。该系统一机多用，主体部分对于不同的晶体生长方法通用，方便地更换晶体生长温场模块，实现不同方法的晶体生长，制备不同种类的功能晶体，能够满足高校科研院所对于多品种晶体的探索研究，也能够满足工业生产的小批量晶体生长需求
晶体生长炉腔温场称重单元提拉复合晶体制备系统模块化炉架高校科研功能晶体模块设置升降机构通光窗口多品种加热法晶体的提拉法提拉杆统一机下拉法小批量制备前门激光侧面通用探索研究

[实用新型]一种模块化的复合晶体制备系统-CN201820460519.1有效
发明人：董春明 -专利权人：济南金曼顿自动化技术有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种模块化的复合晶体制备系统，包括炉架、炉腔、晶体生长温场模块、旋转提拉称重单元和升降机构，炉腔设置在炉架上，炉腔前侧设置有前门，炉腔侧面设有通光窗口，晶体生长温场模块设置于炉腔内，旋转提拉称重单元设置在炉腔的上部，旋转提拉称重单元的下部连接提拉杆，晶体生长温场模块为微下拉法模块、提拉法模块和激光基座加热法模块之一。该系统一机多用，主体部分对于不同的晶体生长方法通用，方便地更换晶体生长温场模块，实现不同方法的晶体生长，制备不同种类的功能晶体，能够满足高校科研院所对于多品种晶体的探索研究，也能够满足工业生产的小批量晶体生长需求
晶体生长炉腔温场称重单元提拉复合晶体制备系统模块化炉架高校科研功能晶体模块设置升降机构通光窗口多品种加热法晶体的提拉法提拉杆统一机下拉法小批量制备前门激光侧面通用探索研究

[发明专利]一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法-CN202010146317.1有效
发明人：齐小方;王艺澄;姚亮;黄振华 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法。该方法首先采用有限体积法建立提拉法单晶硅生长炉的二维全局传热数值模型；开展各工艺参数下的数值模拟，收集单晶硅生长的模拟数据并整理成数据集。再将数据集划分为训练集和测试集两部分，进行归一化处理，确定机器学习算法，建立提拉法单晶硅质量的预测模型，并评估该模型的可靠性。然后，利用预测模型计算单晶硅生长质量，并在测试集上评价预测结果。最后，预测出最优生长条件。本发明可快速找出影响提拉法单晶硅质量的关键因素，并准确预测关键因素下的晶体质量，从而获得合适的生长条件，提高研发效率，节省经费，生长出大尺寸、高品质的单晶硅。
一种基于 ann 提拉法单晶硅界面预测方法

[发明专利]两段加热提拉法生长大尺寸钨酸钇钠晶体的方法与装置-CN200910112711.7无效
发明人：游振宇;涂朝阳;李坚富;王燕;朱昭捷 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用两段加热提拉法生长大尺寸钨酸钇钠晶体的方法与装置。其特点是采用两个加热区域提拉法生长大尺寸钨酸钇钠晶体单晶的技术与装置，该技术使得各种钨酸盐晶体在提拉法生长时，不会发生晶体开裂的现象。本发明技术能够克服大尺寸钨酸钇钠晶体生长和退火过程中由于轴向温度梯度过高所产生的大量的热应力，从而避免了开裂现象，使得钨酸钇钠晶体能够生长到尺寸达到Φ20×100mm。
加热提拉法生长尺寸钨酸钇钠晶体方法装置

[发明专利]一种掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法及其生长装置-CN200610123988.6无效
发明人：陈振强;王如刚;林浪;胡国勇 -专利权人：暨南大学
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得大尺寸高质量掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法。该方法通过复合助熔剂的配比变化，结合化学式进行化学组分的配比，通过调节提拉速率、旋转速率和等径生长过程，获得所需要的大尺寸高光学质量单晶体。本发明还公开了上述激光晶体的生长装置。本发明通过改善复合助熔剂的特性、改进生长工艺、结合现有熔盐法与提拉法设备的各自优势，生长出了高质量的激光晶体。本发明结合了助熔剂法和提拉法生长晶体的各自优点，避免了非一致熔融材料生长周期过长、生长方法单一的缺点。
一种掺钕钨酸钇钾激光晶体生长方法及其装置

[发明专利]一种压电晶体的制造方法-CN201710455512.0在审
发明人：徐秋峰;张寒贫;张忠伟;张鸿;张坚;陈晓强;沈礼东;陈铖;沈晓燕 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电晶体的制造方法，使用泡生法来生长压电晶体，晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒,所述泡生法是在长晶过程进入等径段时，采用停止向上提拉或微提拉的方式让晶体自然生长，所述提拉速度<0.1mm本发明晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒，来满足声表面波滤波器（SAW）设计时各种晶体轴向的要求，特别是解决一些传统提拉法（CZ）无法生长的晶体轴向。
一种压电晶体制造方法

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