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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硼酸钆锂晶体的晶体生长方法-CN200910054212.7无效
发明人：潘尚可;杨帆;任国浩;丁栋舟;陆晟;张卫东 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，涉及晶体生长领域。该方法为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li₆Ce_xGd_1-xB₃O₉，x的取值范围是0＜x≤0.1；采用提拉法生长时，选用下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为生长坩埚。本发明通过使用异型坩埚及后加热装置，克服了使用普通圆筒型坩埚的提拉法生长硼酸钆锂晶体易出现凹界面或难以长成大直径的缺点。用该方法生长出的晶体具有尺寸大、光学质量高等优点，可用于中子探测，还可以用来探测α、β、γ射线等。
硼酸晶体晶体生长方法

[发明专利]一种晶体提拉生长装置-CN201810638187.6在审
发明人：吴砺;陈燕平;卢秀爱;陈卫民;林磊 -专利权人：福州高意光学有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体提拉生长装置，应用于盛装多晶熔体以进行提拉法生长矩形晶体，其包括由铂金材料制成的主体，所述主体上设有用于搅拌多晶熔体的搅拌腔，搅拌腔的横截面呈圆形状，搅拌腔的一侧连通设有横截面呈矩形状的生长腔，搅拌腔内的多晶熔体由外设的铂金搅拌杆进行旋转搅拌，以带动生长腔内的多晶熔体形成矩形环流用于提拉法生长矩形晶体。本发明设计合理，热分布对称性好，生长晶体质量好，有利于大尺寸晶体生长。
搅拌腔多晶熔体提拉法生长矩形晶体生长腔大尺寸晶体生长提拉生长装置铂金材料旋转搅拌环流搅拌杆矩形状热分布圆形状铂金外设连通盛装生长应用

[发明专利]采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法-CN202110275439.5在审
发明人：王世武;许辉;李瑞茂;聂奕 -专利权人：青岛海泰光电技术有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明涉及激光晶体制造技术领域，尤其涉及一种采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法，采用提拉法籽晶定向生长，包括如下步骤：接种、放肩、等径生长、收尾及降温，最终得到翠绿宝石晶体，所得到翠绿宝石晶体利用率达到80本发明中当收尾结束后停止旋转和提拉并开始降温，通过P I D调节功率实现对晶体生长速率的控制，从而实现对晶体结晶速度的控制。本发明具有生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点，适合工业化生产翠绿宝石晶体。
采用提拉法生长翠绿宝石晶体方法

[发明专利]用提拉法生长铝酸锂晶体的装置-CN200810202606.8无效
发明人：周圣明;林辉;王军;滕浩 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种用提拉法生长铝酸锂晶体的装置，包括一台提拉法生长单晶炉，其特点是该单晶炉的保温罩侧壁是完整的，不设观察窗，在与观察窗口相对的炉壁上通过支架架设一块观察镜于所述的保温罩的上方，以便通过所述的观察镜的反射实现对所述的铱坩埚内熔体界面的观察本发明的优点是可以保证保温罩腔内温场的均匀性、对称性，可以有效抑制提拉法生长铝酸锂晶体过程中的组分挥发，可实现大尺寸高质量铝酸锂晶体生长。
用提拉法生长铝酸锂晶体装置

[实用新型]用提拉法生长铝酸锂晶体的装置-CN200820155745.5无效
发明人：周圣明;林辉;王军;滕浩 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种用提拉法生长铝酸锂晶体的装置，包括一台提拉法生长单晶炉，其特点是该单晶炉的保温罩侧壁是完整的，在与观察窗口相对的炉壁上通过支架架设一块观察镜于所述的保温罩的上方，以便通过所述的观察镜的反射实现对所述的铱坩埚内熔体界面的观察本实用新型的优点是可以保证保温罩腔内温场的均匀性、对称性，可以有效抑制提拉法生长铝酸锂晶体过程中的组分挥发，可实现大尺寸高质量铝酸锂晶体生长。
用提拉法生长铝酸锂晶体装置

[发明专利]掺钕的铝酸钇钙激光晶体的提拉生长方法-CN200910199327.5无效
发明人：徐晓东;李东振;吴锋;成诗恕;程艳;周大华 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种掺钕的铝酸钇钙激光晶体(以下简称为Nd:CaYAlO4)的提拉生长方法，该方法包括提拉生长Nd:CaYAlO4晶体的原料制备和采用提拉法生长Nd:CaYAlO4单晶。本发明生长的Nd:CaYAlO4晶体具有较大尺寸、晶体光学质量高、完整无开裂、物化性能较好，是一种优良的发光基质晶体材料。
铝酸钇钙激光晶体生长方法

[发明专利]在采用导模法生长片状蓝宝石过程中抑制气泡的方法-CN201210028133.0无效
发明人：曹凤凯;刘献伟 -专利权人：上海施科特光电材料有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明在采用导模法生长片状蓝宝石过程中抑制气泡的方法，采用高纯度焰熔法生长的蓝宝石碎块作为原料，选用顶端表面光洁度达到镜面效果的钼制模具，在高纯氩气气氛下化料生长，完全化料后升温20℃静置2～3小时；选用端面法线方向为m向的提拉法生长的蓝宝石单晶作为籽晶，所述籽晶的两个侧面方向为a向和c向，用a面作为主生长面，下种时等径提拉2～3cm，有效缩颈后扩肩生长，提拉速度为15mm/小时，然后视晶体生长情况实时改变功率和拉速本发明提供了一种在采用导模法生长片状蓝宝石制备过程中能有效抑制气泡的方法，制备的片状蓝宝石晶体外形规整、表面平坦、无气泡和应力条纹，为高质量的蓝宝石晶体。
采用导模法生长片状蓝宝石过程抑制气泡方法

[发明专利]顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法-CN200910196349.6无效
发明人：黄小卫 -专利权人：上海元亮光电科技有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，涉及晶体生长新工艺，将泡生法、提拉法(CZ)、热交换法(HEM)、温梯法(TGT)和坩埚下降法结合在一起，创造一个可调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉，通过装炉、抽高真空、升温化料、洗籽晶、实时温场调节、提拉法下种、多次“缩径工艺”、提拉法“放肩工艺”、泡生法“等径工艺”、HEM热交换结合TGT技术等径生长(控径技术为CZ称重)、CZ法收尾&脱坩埚、
顶部籽晶温度梯度生长尺寸高温氧化物晶体方法

[发明专利]一种铽参杂的硅酸镓镧晶体及其提拉法生长方法-CN201811192337.1在审
发明人：罗毅 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2018-10-13 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明属于磁光压电晶体生长技术领域，具体涉及一种铽参杂的硅酸镓镧晶体及其提拉法生长方法，一种铽参杂的硅酸镓镧晶体，其分子式可表示为Tb_3xLa_3（1‑x）Ga参杂的硅酸镓镧晶体的提拉法生长方法，包括以下步骤：原料混合→煅烧形成多晶原料→铱坩埚内加热→单晶提拉炉内进行拉法生长工艺提拉→切割、抛光即可获得所需尺寸的铽参杂的硅酸镓镧晶体。本发明采用价格相对便宜的氧化铽参杂到硅酸镓镧晶体内，并采用提拉法生长方法，制造出满足工业需要的且同时具有压电性能和磁光性能的Tb_3xLa_3（1‑x）Ga
硅酸镓镧提拉法生长光纤电流传感器光学隔离器激光调制器磁光开关磁光器件晶体结构系统领域信息处理转换功能电晶体光电磁光网络可用应用生长通讯

[发明专利]一种提拉法生长大尺寸碘化铯晶体的工艺-CN202010099493.4在审
发明人：张银虎 -专利权人：北京圣通和晶科技有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提拉法生长大尺寸碘化铯晶体的工艺，包括以下步骤：装炉、下籽晶、缩颈、放肩、等径生长，放肩阶段的降温速率是2‑4℃/30min，持续时间控制在30‑40分钟，不断调节加热功率，保持不变，在转速和拉速不变情况下，采用2‑4℃/2h的低降温速率降温；晶体生长到预定长度后即可收尾，通常是快速将晶体升起直至与熔体完全分离，再采用缓慢降温的方法以消除高温生长时在晶体中形成的应力，当工作电压下降至50V时即可关闭电源，本发明采用上述一种一种提拉法生长大尺寸碘化铯晶体的工艺，使用碘化铯代替碘化钠，且通过提拉法生长，提高了探测器的抗冲击性能，同时节省了成本。
一种提拉法生长尺寸碘化晶体工艺

[实用新型]单晶炉等径提拉装置-CN90210905.7无效
发明人：李晋忠 -专利权人：李晋忠
申请日： 1990-04-21 - 公布日： 1990-10-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型是等径提拉生长单晶的一种装置。由浮力提拉部分和上称重法浮筒式电子秤二部分构成。结构简单，造价低。提拉的爬行量＜1μm。微电机作为电子秤的负载，克服了上称重法电子秤旋转噪音大的问题。上称重法浮筒式电子秤稳定性好，灵敏度高，静态灵敏度可达到1000微伏/克。
单晶炉径提拉装置

[实用新型]导模提拉法用结晶装置-CN201020684539.0无效
发明人：庄乃锋;陈建中;林树坤;陈文斌;赵斌;胡晓琳 -专利权人：福州大学
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B15/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种导模提拉法用结晶装置，包括用于熔融多晶原料的坩埚。其特征在于：所述坩埚体内置放有纵向缝隙的导模模具，所述纵向缝隙要贯通导模模具上下部以利提拉结晶。该装置解决提拉法生长过程中存在掺杂浓度分布不均、熔体对流异常、易产生漂晶、尺寸难以控制等问题，以获得大尺寸的单晶。同时，该装置也可以用于非同成分熔融化合物晶体的快速生长。
导模提拉法用结晶装置

[发明专利]用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法-CN201910274689.X有效
发明人：高宇;胡建荣;傅林坚;曹建伟;夏泽杰;王小飞;倪军夫;叶钢飞;谭庆 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2019-04-07 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶体制造技术，旨在提供一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法。该方法包括：在直拉法生产硅单晶时使晶体进入等径生长过程，达到稳定状态；将晶体实际提拉速度设定为当前平均提拉速度，按照预定的变化率使实际提拉速度向设定提拉速度靠拢，直至晶体提拉速度恒定不随晶体直径波动变化；在晶体等径生长过程通过调整加热器功率控制晶体直径，具体是在当前加热平均功率基础上附加可变周期脉冲式功率输出。
用于直拉法硅单晶生长过程晶体直径控制方法

[发明专利]还原性气氛泡生法生长晶体的方法-CN200910053206.X无效
发明人：周圣明;林辉 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种还原性气氛泡生法生长晶体的方法，其特点是在感应加热提拉法生长晶体的基础上，使用钨、钼或钨钼合金坩埚，坩埚外以石墨毡作保温材料并在高温下形成还原性气氛，硬石墨毡保温罩或氧化锆砖保温罩结合钨钼后热器置于坩埚上方为坩埚内的熔体和生长出的晶体保温，观察窗设在保温罩上盖和炉壁上侧，以保证温场及温度梯度分布的均匀性、对称性，通过保温罩上盖和炉壁上侧的观察窗观察熔体，按常规提拉法工艺下籽晶并放肩，后以一定速率减小功率，同时可微量提拉晶体或不提拉晶体，即“泡生生长”，结晶结束后继续减小功率对晶体降温。本发明可低成本地生长大尺寸高质量晶体。
原性气氛泡生法生长晶体方法

[发明专利]一种xTeO₂·P₂O₅(x＝2;4)晶体的制备方法及制备装置-CN201710392231.5有效
发明人：李静;董为民;姚倩;张俊英;柳林涛 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：sub>·P₂O₅(x＝2,4)晶体的制备方法及制备装置，包括以TeO₂、P₂O₅为原料，铂丝提拉制备籽晶，提拉法生长Te₂P₂O₉和Te₄P₂O₁₃晶体。制备装置包括生长炉，生长炉顶端开口，生长炉内部底端设置有保温层，保温层上面设置有坩埚，生长炉顶端倾斜设置有观察孔，生长炉中心处设置有籽晶杆，籽晶杆连接有提拉装置。本发明克服了不一致熔融晶体不容易采用提拉法生长的技术不足，控制合适的析晶温度和提拉速率，解决了晶体生长过程中易分解或相变的问题。
一种 xteo2 p2o5 晶体制备方法装置

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