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[实用新型]一种钽酸锂晶棒粘棒治具-CN202320821880.3有效
发明人：孔辉;徐秋峰;沈浩;张寒贫;张瑞超;王鸿晨;王紫铭 -专利权人：天通凯巨科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种钽酸锂晶棒粘棒治具，包括底板，所述底板上方固定有限位槽，所述限位槽单侧设有一定数目、同一高度的定位螺丝，所述底板上方、限位槽外侧左右对称安装两根定位螺栓，所述定位螺栓配有可上下转动的调节螺母，所述定位螺栓和调节螺母用于调整固定调节块位置，所述调节块上设有顶杆，所述底板上设有竖向挡板，挡板上设有一定数量定位块，定位块上方设有滑块，滑块通过连杆与千分表连接。本实用新型设计的的钽酸锂晶棒粘棒治具结构简单，使用方便，通过调节块、定位块和千分表快速完成晶棒定位，提高粘棒效率，保证晶棒与玻璃条粘接精度，降低钽酸锂切片时崩边概率，提升加工良率。
一种钽酸锂晶棒粘棒治具

[发明专利]一种钽酸锂晶体的生长方法-CN202311176957.7在审
发明人： 徐秋峰;张忠伟;钱煜;张鸿;汪万盾;张坚;钱陈强 -专利权人：天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种钽酸锂晶体的生长方法，包括以下步骤：a）原料填加：将需要填加的回用晶体原料进行粉碎、打磨处理后，覆盖在已填好的多晶粉上，最后再使用多晶粉对晶体碎块间隙进行填充；b）化料控温：将原料升温后，观察温度变化曲线，调控温度至第一个温度曲线波峰值高5‑10℃，稳定保温1‑2h后，完成原料熔融；c）晶体生长：下降籽晶与熔融液接触，籽晶缩颈后保温，进入晶体自动生长，观察晶体棱线变化，对分叉和较细的棱线进行回融重塑处理；d）晶体收尾：当晶体重量的增加量呈下降趋势，且晶体重量的增加速度低于10g/min后进行切离收尾，按30‑50mm/min的速率脱离液面。
一种钽酸锂晶体生长方法

[发明专利]一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法-CN202311014792.3在审
发明人： 徐秋峰;张忠伟;汪万盾;钱煜;濮思麒;曹焕 -专利权人：天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B24C1/06 文献下载
摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法，包括以下步骤：a）将钽酸锂晶片正面进行贴膜保护；b）加热喷砂磨料，对喷砂磨料进行烘烤；c）开启喷砂平台旋转，调整喷砂枪口与钽酸锂晶片间距离，调整喷砂压力至0.2‑0.3Mpa，对晶片背面进行第一次粗糙化加工，d）完成第一次粗糙化加工后，清除晶片表面附着的喷砂颗粒残留，重新调整喷砂压力至0.1‑0.15Mpa，对晶片背面进行第二次粗糙化加工；e）第二次粗糙化加工完成后，置于氢氟酸和硝酸混合溶液槽中浸泡，再置于温水槽中进行超声清洗，然后置于常温槽中进行超声清洗，最后置于溢流槽中，完成晶片清洗。
一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙加工方法

[发明专利]一种真空吸附贴蜡装置及方法-CN202311042396.1在审
发明人：张伟明;汪万盾;浦一枫;丁孙杰;朱海瀛;钱煜;徐秋峰 -专利权人：天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明属于一种晶圆贴蜡加工技术领域，具体涉及一种真空吸附贴蜡装置及方法。该真空吸附贴蜡装置包括贴蜡装置和真空吸附装置，贴蜡装置包括可转动的陶瓷盘、晶圆和蜡层，真空吸附装置包括真空吸附膜、真空吸附装置上部、真空吸附装置下部、真空输入口、密封圈和螺丝。采用该装置进行晶圆贴蜡的方法主要为利用抽真空，使大气压挤压真空吸附膜，再通过真空吸附膜变形对晶圆进行均匀加压贴蜡，贴蜡更均匀；在晶圆加压贴蜡的同时又将空气抽走，能够防止气泡产生；冷却定型完成前，持续对晶圆加压，晶圆定型后才去除贴蜡压力，移除贴蜡装置，防止晶圆回弹，提高贴蜡的质量；对整个陶瓷盘上的晶圆同时加压贴蜡，提高了贴蜡的效率。
一种真空吸附装置方法

[发明专利]数据处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品-CN202310927561.5在审
发明人：张功贯;胡满超;徐秋峰;杨晓峰;蒋杰;陈鹏;刘煜宏 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F16/2458 文献下载
摘要：本申请提供了一种数据处理方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品；所述方法应用于数据仓库，所述数据仓库包括原始数据层以及虚拟数据应用层，所述虚拟数据应用层用于维护至少一个数据计算逻辑，所述原始数据层用于维护原始数据，方法包括：获取查询语句的计算逻辑标识；基于所述计算逻辑标识从所述虚拟数据应用层中查询对应所述查询语句的目标数据计算逻辑以及数据位置信息；从所述原始数据层获取对应所述数据位置信息的目标原始数据，并对所述目标原始数据执行对应所述目标数据计算逻辑的数据计算处理，得到用于响应所述查询语句的查询结果。通过本申请，能够提高数据仓库的计算效率并节约存储空间。
数据处理方法装置设备存储介质程序产品

[发明专利]一种大尺寸铌酸锂晶体的制备方法-CN202310500341.4有效
发明人： 徐秋峰;张忠伟;钱煜;张鸿;汪万盾 -专利权人：天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸铌酸锂晶体的制备方法，包括以下步骤：a）籽晶加工：将籽晶晶体进行定向后切割成籽晶，切割时使籽晶引晶面避开脉理缺陷；b）调配原料：先按照氧化铌和碳酸锂的质量比1000：261~263调配原料，再考虑长晶炉中上一炉长晶后的残留底料对下一炉长晶的影响，通过计算的居里温度预估值进一步调节原料配比；（c）晶体生长：将调配好的原料放入热场中的坩埚内，升温使原料熔融，对熔融液进行保温预热后，下降籽晶与熔融液接触，籽晶缩颈后保温，进入晶体自动生长；d）晶体收尾：调整温度、转数进行长晶收尾，再提拉晶体脱离液面；e）晶体退火：当晶体脱离液面后，在炉内进行原位退火，再降至常温。
一种尺寸铌酸锂晶体制备方法

[发明专利]基于物联网的办公建筑电气设备管理方法-CN202211056403.9在审
发明人：王小科;范艳丽;徐秋峰;贠松娇;李晓静 -专利权人：王小科
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于物联网的办公建筑电气设备管理方法，构建可视化的建筑电气设备模型；对建筑电气设备模型构建实际运行层模型和预警运行层模型；获取电气设备的实际运行参数，并将实际运行参数作为实际运行层模型的各参数；将实际运行的输入参数作为预警运行层模型的输入参数；将实际运行参数与预警运行层模型的运行参数进行对比，若差异超出预设范围则进行预警提醒。该发明通过建立建筑电气设备模型，对电气设备的自身参数和运行参数进行整理分类管理，并通过模拟运行对电气设备的监测数据进行动态利用，以方便及时发现设备的异常或预见可能发生的异常，充分提高对电气设备的管理作用。
基于联网办公建筑电气设备管理方法

[发明专利]一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法-CN202211718730.6在审
发明人：孔辉;徐秋峰;张忠伟;钱煜;沈浩;濮思麒;曹焕 -专利权人：天通凯巨科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法，包括如下步骤：将钽酸锂晶片进行碱性清洗溶液超声清洗；将钽酸锂晶片用甩干机甩干；将保护膜均匀涂覆于钽酸锂晶片正面并固化；将钽酸锂晶片进行喷砂处理；将钽酸锂晶片放入脱膜剂溶液中加热超声清洗进行脱膜，最终得到表面无残胶的钽酸锂晶片。本发明通过工艺改进，有效解决了传统工艺撕膜后晶片表面留有残胶的问题，同时提高了生产效率，降低了生产成本，保证了生产良率。
一种超薄钽酸锂晶片保护膜方法

[发明专利]一种生长6英寸钽酸锂晶体的方法-CN202210714460.5有效
发明人： 徐秋峰;张忠伟;沈浩;钱煜;张伟明;曹焕;濮思麒 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种生长6英寸钽酸锂晶体的方法，包括以下步骤：a）将钽酸锂原料装入铂铱合金坩埚内，抽真空后，充氮气至正压；b）升温加热至1600～1645℃，使原料熔融；c）按下降籽晶，当籽晶下降至坩埚口0位时停止下降，将称重重量清零；d）根据籽晶重量变化调整引晶温度，及籽晶的下降或上升速率，完成引晶后，晶体进入自动生长；e）通过实时调整放肩生长和等径生长的提拉速度控制晶体结晶速率，完成晶体生长后上拉晶体，使其脱离熔融液。
一种生长英寸钽酸锂晶体方法

[发明专利]一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法-CN202210620244.4有效
发明人： 徐秋峰;濮思麒;沈浩;张忠伟;钱煜;张伟明;汪万盾;曹焕 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L41/337 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，包括如下步骤：将铌酸锂单面抛光片进行检验，将检验出背面不良的晶片进行标记；将标记的晶片放入碱性清洗液中超声清洗；将清洗后的晶片抛光面进行贴膜；将两片贴膜后晶片的贴膜面粘合，获得粘合工件；将粘合工件进行双面研磨；将研磨后的粘合工件清洗并脱膜。本发明通过工艺改进，提高产品良品率，返工后的单面抛光片具有背面粗糙度一致性好、平坦度指标高、加工效率高、生产成本低、工艺易实现和易监控等特点，能够满足产业化大规模批生产的要求。
一种铌酸锂单面抛光背面不良返工方法

[发明专利]一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法-CN202210407079.4有效
发明人： 徐秋峰;曹焕;沈浩;张忠伟;钱煜;张伟明;濮思麒 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法。包括：将铌酸锂晶片进行氟化氢铵浸泡清洗；将晶片进行有机溶剂清洗液超声清洗；将晶片进行去离子水冲洗；将晶片进行双面毛刷刷洗；将晶片进行单面毛刷刷洗，最终可以得到一种碎片率低、洁净度高的铌酸锂晶片。
一种铌酸锂单面抛光清洗方法

[发明专利]一种钽酸锂晶体头尾切割方法-CN202210250511.3有效
发明人： 徐秋峰;张忠伟;沈浩;钱煜;张伟明;汪万盾;张坚 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种钽酸锂晶体头尾切割方法，包括以下步骤：a）对钽酸锂晶体侧面做喷砂粗糙化处理；b）使用夹具对钽酸锂晶体进行固定，采用定向仪对晶体进行定向，通过夹具侧面螺丝进行晶体位置调节以便确定晶向；c）将定向完成后的夹具安装到内圆切割机机头上，通过水平仪调整内圆切割机机头倾角，使夹具底面处于水平状态，切割晶体头部端面；d）切割完成晶体头部端面后从夹具上卸下晶体，倒置晶体后重新固定，通过水平仪调整内圆机机头倾角，使晶体头部端面达到水平状态，切割晶体尾部端面，最终获得的晶体无端面线痕、断差不良，无开裂、崩边不良，晶体晶向偏差在6′以内。
一种钽酸锂晶体头尾切割方法

[发明专利]一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法-CN202111291705.X有效
发明人：沈浩;徐秋峰;朱海瀛;宋岩岩;张伟明;汪万盾;张芹 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法。包括：采用边缘倒角对晶片边缘加工成R型角；采用硝酸和氢氟酸的混合溶液对铌酸锂晶片进行化学腐蚀；将腐蚀后的晶片层叠在边缘抛光夹具内，采用水松皮纸间隔晶片；将层叠好的晶片进行边缘粗抛光加工，所采用的抛光液由水，二氧化硅，乙二胺四乙酸盐，氧化半胱氨酸，三聚磷酸钠组成的混合溶液；将边缘粗抛光好的晶片进行边缘精抛光加工，所采用的精抛光液由水，二氧化硅，亚甲基二膦酸，异白氨酸，三乙基己基磷酸组成的混合溶液最终可以得到一种大尺寸超薄铌酸锂晶片，边缘光洁高，真圆度好，良率高。
一种尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法

[发明专利]一种大尺寸钽酸锂晶体的制备方法-CN202010913670.8有效
发明人：张忠伟;徐秋峰;张鸿;陈晓强;张坚 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体的制备方法，包括以下步骤：a)将配制好的钽酸锂原料通过等静压压机成型为尺寸Φ220*50mm的圆饼；b)将成型好的钽酸锂原料放入坩埚内，升温速率控制在300‑400℃/h，加热至1450～1500℃使钽酸锂原料熔化形成熔融液；c)将籽晶下降到与熔融液接触，转数控制在10‑12rpm/min，籽晶缩颈至2‑3mm，进入自动生长；d)晶体的降温速率控制在50‑60℃/h，在晶体降温至100℃时，通过除静电装置对晶体进行除静电处理。
一种尺寸钽酸锂晶体制备方法

[发明专利]一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法-CN202011104786.3有效
发明人：张忠伟;徐秋峰;张鸿;陈晓强;张坚;顾建生 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法，包括以下步骤：a)将钽酸锂晶体放于高温炉内，升温至1350℃，保温4h，完成晶体退火，降至常温；b)将碳酸锂原料粉末、粘结剂按1：0.8～1：1的比例混合制成极化浆液，涂抹于退火完钽酸锂晶体的极化两端，再把极化用黄金丝埋于极化浆液内，迅速烘干，制成极化晶帽；c)将退火完的钽酸锂晶体按50‑60℃/h的升温速率升温，并使用电阻测试仪记录钽酸锂晶体电阻变化，当温度超过600℃，电阻变化速率变小，达到2Ω/10℃时，暂停升温，PLC施加电流对钽酸锂晶体进行极化操作，当极化电流达到要求值时，停止加电流，保温4h，按50‑60℃/h的降温，当温度低于600℃时，关闭极化电流，继续降至常温。
一种尺寸钽酸锂晶体单畴化方法

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