“掺硅锗锑碲靶材”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果608864个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法-CN202310661181.1在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其步骤包括，先将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2～10％，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制得掺硅锗锑碲粉体；随后，将制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯；再将掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工，得到掺硅锗锑碲靶材，通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具有纯度高、相对密度大的特点，并且上述掺硅锗锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难以搭配和控制溅射速率的问题。
一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法

[发明专利]碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法-CN201910905550.0有效
发明人：白平平;童培云;沈文兴;朱刘;肖翀 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：以单质锗、单质锑和单质碲为原料，进行真空感应熔炼，球磨、过筛后得到锗锑碲粉体；将锗锑碲粉体和炭黑分散到含丙烯酰胺的反应体系中，经聚合反应得到均匀分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体；将分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体在无氧环境中进行煅烧，得到掺碳的锗锑碲粉体；将掺碳的锗锑碲粉体进行真空热压烧结，得到碳掺杂锗锑碲相变靶材。本发明以聚丙烯酰胺和炭黑为碳源，在聚丙烯酰胺胶体形成过程中，使锗锑碲粉体和炭黑悬浮于溶液中，促进炭黑与锗锑碲粉体充分混合，解决了现有掺碳锗锑碲靶材中碳颗粒结块导致掺杂不均匀的问题。
掺杂锗锑碲相变制备方法

[发明专利]一种锗锑碲相变靶材及其制备方法与应用-CN202310951409.0在审
发明人：姚力军;潘杰;廖培君;黄东长;张怡忠 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗锑碲相变靶材及其制备方法与应用，所述锗锑碲相变靶材的制备方法包括如下步骤：锗锑碲合金粉经装模处理、真空热压烧结处理以及机加工处理，得到所述锗锑碲相变靶材；所述真空热压烧结处理包括依次进行的第一加压处理本发明直接采用锗锑碲合金粉进行真空热压烧结，将真空热压烧结处理过程分为多级加压、升温及保温保压阶段，制得的锗锑碲相变靶材的内部组织结构优异，致密度与纯度较高，能够达到相变存储器对存储介质的要求。
一种锗锑碲相变及其制备方法应用

[发明专利]锗锑碲粉体、靶材的制备方法-CN201910664915.5在审
发明人：沈文兴;白平平;朱刘;童培云;肖翀 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗锑碲粉体的制备方法，其包括如下步骤：S1、二元合金合成；S2、粉碎制粉；S3、均质混料；S4、三元合金粉体合成。本发明同时提出一种锗锑碲靶材的制备方法。本发明提出一种锗锑碲合金、靶材的制备方法，所制备得到的锗锑碲合金的收率大于98%；所制备得到的靶材相对密度大于98%，靶材纯度为4N或以上，相对密度高、组分均匀、微观缺陷少。
制备靶材锗锑碲粉体锗锑碲合金合成靶材纯度二元合金粉碎制粉三元合金微观缺陷混料均质收率

[发明专利]锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法-CN201310250531.1有效
发明人：李宗雨;丘立安;汪晏清 -专利权人：成都先锋材料有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产制备领域，具体而言，涉及一种锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法。包括：将质量分数为13%～16%的锗，22%～25%的锑，60%～64%的碲混合，组成原料；对原料进行真空熔炼处理，得到GeSbTe金属化合物；将GeSbTe金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的GeSbTe粉末；将干燥的GeSbTe粉末进行真空热压烧结处理，得到锗锑碲相变材料溅射靶材。本发明中的锗锑碲相变材料溅射靶材生产方法，将利用真空熔炼方法，完成锗锑碲所形成稳定化合物制成粉末，使之成分均匀；后将该粉末放入热压机进行高压烧结，形成致密的靶材。
锗锑碲化合物相变材料溅射生产方法

[发明专利]基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片-CN202210591840.4在审
发明人：束方洲;吕旺泽;陶一;张冬芹 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片，包括衬底及形成于衬底表面的硅与锗锑碲复合纳米柱阵列；所述硅与锗锑碲复合纳米柱阵列包括多个周期性排布的硅与锗锑碲复合纳米柱，所述硅与锗锑碲复合纳米柱自下而上为硅、锗锑碲、硅三层纳米柱结构，所述硅与锗锑碲复合纳米柱三层的横截面都为矩形且尺寸相同；所述红外窄带滤光片的工作波长可通过锗锑碲相变动态调节。本发明在红外波段可以实现反射型窄带滤光片，并且滤光片的工作波长可以通过锗锑碲相变动态调节。
基于锗锑碲复合纳米阵列调谐红外窄带滤光

[发明专利]一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法-CN202111083905.6有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法，涉及合金靶材技术领域，所述制备方法包括如下步骤：(1)将锗颗粒、硅颗粒放入磁悬浮感应熔炼炉中加热至熔化，保温，水冷，得到锗硅合金锭；(2)破碎锗硅合金锭，球磨，得到锗硅合金粉，加入硼粉，所述硼粉占锗硅合金粉的质量分数为0.3～1.5％，均质，得到掺硼锗硅合金粉；(3)将掺硼锗硅合金粉放入模具中，在真空热压炉中预压以排除模具中的空气，得到掺硼锗硅合金坯体；关闭炉门，抽真空，升温至1300～1400℃后保温，保温30～60min后加压，压力为30～35MPa，保温保压60～90min，降压，冷却，得到所述GeSi靶材。由本发明所述方法制备的GeSi靶材的相对密度均可达到98％以上，氧含量低于500ppm，电阻率小于0.001Ω·cm，组分均匀。
一种热电材料 gesi 及其制备方法

[发明专利]一种铋锑碲合金靶材的制备方法-CN202011275607.2在审
发明人：蔡新志;朱刘;童培云;冉成义;苏紫珊 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明揭示了一种铋锑碲合金靶材的制备方法，包括：按铋锑碲合金靶材所需的配比称量铋原料、锑原料和碲原料；将铋原料、锑原料和碲原料置于玻璃管内进行抽真空后封管，并加热熔炼后得到铋锑碲合金熔体；将铋锑碲合金熔体置于拉晶炉内进行区域熔炼后得到铋锑碲合金锭；将铋锑碲合金锭进行粉碎并筛分后得到第一铋锑碲合金粉末；将铋锑碲合金粉末置于球磨机内反复研磨后得到第二铋锑碲合金粉末；将第二铋锑碲合金粉末置于石墨模具内，然后放入烧结设备中进行烧结后得到铋锑碲合金靶坯；将铋锑碲合金靶坯进行机加工后，得到铋锑碲合金靶材。本发明制备得到的铋锑碲合金靶材纯度高，相对密度大于99%，性能优异，能满足各种应用需求。
一种铋锑碲合金制备方法

[发明专利]一种高纯硫系相变合金靶材及其制备方法-CN201210066288.3有效
发明人：沈祥;王国祥;聂秋华;徐铁峰;戴世勋;陈芬;张巍;付晶 -专利权人：宁波大学
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯硫系相变合金靶材及其制备方法，特点是主要由以下各组份及其重量百分比组成：锗0-20%；锑20-40%；碲50-70%，由以上各原料组成的混合料的重量数之和为100%，再在混合料中0.1wt％添加镁条和300ppm的TeCl4，制备方法包括将纯度均为99.99%的靶材原料按上述配比混合并添加镁条和TeCl4的步骤；将上述混合料装入H形双管石英安瓿中，控制真空后封口的步骤；将双管石英安瓿放入双管蒸馏炉子中进行蒸馏提纯的步骤；最后将含有提纯后的单质锗、锑、碲的石英管放入摇摆炉中，熔制退火得到产品，优点是该合金靶材组分均匀，纯度高且操作工艺简单，无腐蚀，加工周期短、效率高。
一种高纯相变合金及其制备方法

[发明专利]一种铋锑碲合金靶材及其制备方法-CN202310405826.5在审
发明人：苏紫珊;蔡新志;熊平尚;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于靶材制备领域，具体公开一种铋锑碲合金靶材及其制备方法。本发明的铋锑碲合金靶材化学成分为BixSb2‑xTe3，x＝0.4～0.7。本发明先通过气雾化制备得到一类球形合金粉体，再通过二次热压烧结该合金粉的方式，最终可制备得到致密度高、晶粒细小且均匀的铋锑碲合金靶材。其中，本发明的铋锑碲合金靶材致密度99.3％，平均晶粒尺寸10μm。
一种铋锑碲合金及其制备方法

[发明专利]一种碲化锌掺铜靶材的制备方法-CN202110658965.X有效
发明人：周荣艳;吴彩红;文崇斌 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化锌掺铜靶材的制备方法。本发明碲化锌掺铜靶材的制备方法包括以下步骤：将碲化锌和碲化亚铜混合均匀的粉末混合物装入真空热压烧结机中的模具中进行预压；预压结束后进行真空热压烧结，即得碲化锌掺铜靶材。本发明在热压烧结前先进行预压处理，确保所得碲化锌掺铜靶材具有较高的密度；同时热压烧结在真空条件下进行，可以控制环境中的氧含量，减少杂质的引入，确保所得靶材具有较高的纯度。
一种碲化锌掺铜靶材制备方法

[发明专利]一种碲化锌掺锌平面靶材及其制备方法-CN202110913324.4在审
发明人：周荣艳;吴彩红;文崇斌;童培云;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲化锌掺锌平面靶材的制备方法，包括：S1)混料：将碲化锌粉体、锌单质粉体与碲单质粉体混合，得到混合物料；S2)烧结：将所述混合物料加热烧结，得到烧结物料；S3)球磨：将所述烧结物料进行球磨，得到球磨物料；S4)预压：将所述球磨物料进行预压，得到成型坯体；S5)热压：将所述成型坯体进行真空热压烧结，得到碲化锌掺锌平面靶材。与现有技术相比，本发明在碲化锌中掺锌以及掺碲可以使原本的碲化锌靶材的导电性得到改善，使制得的靶材纯度和密度均较高且可以提高靶材溅射的电导率，并且该制备方法工艺简单，对设备要求较低，成本较低，可批量生产。
一种碲化锌掺锌平面及其制备方法

[发明专利]一种半导体工业用靶材及其制备方法-CN202111273585.0有效
发明人：雷雨;周志宏;肖世洪;刘芳 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工业用靶材，包括以下重量份原料：锗10‑20份、碲5‑10份、硒4‑10份、改性膨润土分散剂1‑2份、修饰剂1‑6份、稀土剂改性石墨粉1‑3份、硅粉30‑40份。本发明半导体工业用靶材制备中，采用锗、碲、硒等原料配比而成，添加的改性膨润土分散剂、稀土剂改性石墨粉经过修饰剂处理后，作为预处理添加剂应用到产品中可显著改进产品的性能，继而使原料的致密度、收缩度改进。
一种半导体工业用靶材及其制备方法

[发明专利]沉积Ge－Sb－Te薄膜的方法-CN200610111535.1有效
发明人：李正旭;赵炳哲;李起薰;徐泰旭 -专利权人：株式会社整合制程系统
申请日： 2006-08-23 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供沉积锗－锑－碲薄膜的方法，其包含：锗－锑－碲薄膜形成步骤，其将包含锗、锑和碲中任一者的第一前驱体、包含锗、锑和碲中另一者的第二前驱体以及包含锗、锑和碲中其他一者的第三前驱体馈入安装晶片的反应室中并从反应室中净化，且在所述晶片上沉积所述锗－锑－碲薄膜；以及反应气体馈入步骤，其在馈入第一到第三前驱体中的任一者时馈入反应气体。
沉积 ge sb te 薄膜方法

[发明专利]一种锗砷硒碲合金靶材及其制备方法-CN201910526762.8有效
发明人：石红春;刘晓华;朱晨阳;何金江;杨海;雷继锋 -专利权人：有研新材料股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低氧大尺寸锗砷硒碲合金靶材及其制备方法，所述合金包括以下各组分及其原子百分比：锗15～25％；砷20～40％；硒30～50％；碲3～10％，上述各原料混合后原子百分比之和为100％；所述制备方法包括将靶材原料蒸馏提纯后按上述配比混合放入石英管中二次熔封后的石英管放入摇摆炉中熔制、退火得到小尺寸铸锭，经热等静压处理将小尺寸铸锭扩散连接制备成大尺寸合金靶坯，靶坯经机械加工成大尺寸锗砷硒碲合金靶材。此方法制备的合金靶材规格为Dia(150～450mm)×Th(5～30mm)，杂质氧含量小于100ppm，相对密度大于99％。
一种锗砷硒碲合金及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条