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[发明专利]一种物理气相沉积镀膜用靶材及其制备方法与应用-CN202310346001.0在审
发明人：莫伟铭;胡健;陈成;屈建国 -专利权人：深圳市金洲精工科技股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种物理气相沉积镀膜用靶材及其制备方法与应用，所述物理气相沉积镀膜用靶材包括靶面上设置有至少一个凹槽的基体靶材，每个所述凹槽内嵌入有镶嵌靶材；所述基体靶材与镶嵌靶材中的一种为石墨靶材。本发明提供的物理气相沉积镀膜用靶材的基体靶材靶面上可以镶嵌不同形状、尺寸与数量的镶嵌靶材，实现靶材成分的多元化；所述镶嵌靶材通过机械的方式镶嵌于所述基体靶材靶面上的凹槽中，使物理气相沉积镀膜用靶材的结构更加稳定，避免了分层与裂纹等缺陷的产生；所述基体靶材靶面上镶嵌靶材的面积与基体靶材的靶面面积之比可以根据实际生产需要进行调控，从而制备出具有不同成分占比的碳基涂层。
一种物理沉积镀膜用靶材及其制备方法应用

[发明专利]磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法-CN200910105321.7无效
发明人：田小智;姜翠宁;黄启耀 -专利权人：田小智
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法，该磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法包括如下的步骤：a.测试磁控溅射镀膜系统中所用的平面靶材溅射区域的宽度；b.根据磁控溅射用平面靶材的溅射区域的宽度设置新靶材的宽度尺寸，该新靶材的宽度尺寸比磁控溅射用的平面靶材溅射区域的宽度尺寸略大；c.在磁控溅射用平面靶材的非溅射区设置旧靶材。此方法在不影响生产工艺、产品质量，以及在不需要任何设备改进的前提下，能够立竿见影的节省新靶材的使用量，从而提高平面靶材的利用率。
磁控溅射镀膜系统提高平面利用率方法

[发明专利]一种加工圆形靶材用的刀具、设备及其方法-CN202210819201.9在审
发明人：刘佰玲;胡智向;童培云;余芳;钟小华;周桂媚 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B23B51/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种加工圆形靶材用的刀具，包括刀具主体；刀具主体的下段为切割段，刀具主体开设有从切割段的底面向上凹陷的筒状的成型槽；成型槽的槽口用于盖设在外部靶材的表面内；切割段用于通过与外部靶材摩擦以在外部靶材上摩擦切割出横截面形状与成型槽相适配的圆形靶材本发明的加工圆形靶材用的刀具能提高加工出圆形靶材的效率。本发明还公开了一种加工圆形靶材用的加工设备和方法。
一种加工圆形靶材用刀具设备及其方法

[发明专利]制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材的方法及靶材-CN201210174287.0无效
发明人：寇浩 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材的方法及靶材，所述制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材包括如下步骤：步骤1、提供铜粉及放电等离子体活化烧结装置；步骤2、将铜粉添加入放电等离子体活化烧结装置中进行烧结，制得制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材。本发明制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材的方法，通过放电等离子体活化烧结装置将铜粉烧结为靶材，其制程简单，效率高，且能有效控制靶材晶面取向，提升靶材性能，进而使得用该靶材形成的铜导线电阻率低，薄膜应力小
制备 tft lcd 阵列基板铜导线用靶材方法

[发明专利]一种旋转靶材退绑方法及夹具-CN202110420643.1在审
发明人：王英洁;文崇斌;胡智向;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及溅射镀膜技术领域，公开了一种旋转靶材退绑方法及夹具，其中，旋转靶材退绑方法包括以下步骤：用高温胶纸将需退绑的靶材下方包裹；用硅胶垫圈塞到需退绑的靶材下方缝隙的三个点上，将靶材进行旋转加热，使铟从靶材缝隙流出；待铟不再外流，再持续保温一段时间；将适配的退绑夹具固定在靶材正中间，将靶材从背管上端口取下。通过本方法退绑的靶材可最大限度提高良品率，退绑后的靶材经扫描后无裂纹等问题可重新利用并绑定，减少了废品产生。另外，本方法直接采用退绑夹具固定在靶材的中间将靶材取下，方便操作。
一种旋转靶材退绑方法夹具

[发明专利]清洗靶材的方法、靶材的制造方法、再循环铸锭的制造方法及再循环铸锭-CN201810266231.5在审
发明人：西冈宏司;塚田洋行 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C23G1/22 文献下载
摘要：本发明涉及清洗靶材的方法、靶材的制造方法、再循环铸锭的制造方法及再循环铸锭。本发明提供一种清洗靶材的方法，所述方法包括下述工序：从用接合材料将主要由金属构成的靶材与支承构件结合而形成的溅射靶分离靶材的工序；以及，用碱对靶材的与上述支承构件的结合面进行处理的工序。
靶材再循环铸锭清洗支承构件制造接合材料溅射靶结合面对靶金属

[实用新型]一种旋转靶材烧结用支架-CN202221286791.5有效
发明人：刘文杰;李帅;王梓通;钟小华;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： F27D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种旋转靶材烧结用支架，旨在可为旋转靶材的内腔供氧，提高旋转靶材的烧结质量，其技术方案：一种旋转靶材烧结用支架，包括底板，所述底板上设有一用于供旋转靶材套设的支撑柱，所述支撑柱的外径小于旋转靶材的内径，所述支撑柱的外壁和旋转靶材的内壁之间形成一腔室，所述支撑柱和/或底板上设有若干个与腔室连通的供氧孔，属于靶材加工技术领域。
一种旋转烧结支架

[发明专利]靶材的清洗方法、靶材的制造方法以及循环铸块的制造方法-CN202080009480.1有效
发明人：西冈宏司;塚田洋行;德永真喜 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供靶材的清洗方法、用该清洗方法处理的靶材的制造方法、及将通过该方法得到的靶材作为原料的循环铸块的制造方法，所述靶材的清洗方法能够通过喷砂处理从使用过的靶材简便且充分地去除来源于构成接合层的接合材料及支承部件的杂质本发明中的靶材的清洗方法是清洗从溅射靶分离出的靶材的方法，所述溅射靶将靶材与支承部件用接合材料接合而构成，所述靶材的清洗方法包括：对于所述靶材中的、所述靶材与所述支承部件接合而成的第1面喷射新莫氏硬度为
清洗方法制造以及循环

[发明专利]清洗使用过的靶材的方法、靶材的制造方法、再循环铸锭的制造方法及再循环铸锭-CN201810266212.2在审
发明人：西冈宏司;塚田洋行 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及清洗使用过的靶材的方法、靶材的制造方法、再循环铸锭的制造方法及再循环铸锭。本发明提供清洗溅射靶的靶材的方法，其是对在溅射中使用后的溅射靶的靶材进行清洗的方法，所述溅射靶是用接合材料将主要由金属构成的靶材与支承构件结合而形成的，所述方法包括下述工序：将上述靶材从上述溅射靶分离的工序；以及，将由上述工序得到的靶材的与上述支承构件的结合面用酸处理后、进一步用碱处理的工序。
靶材溅射靶再循环铸锭清洗支承构件制造接合材料碱处理结合面酸处理溅射金属

[发明专利]溅射系统-CN201710861105.X有效
发明人：王辰;王一鸣;王光东;胡力凡;潘敏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射系统，包括：溅射腔室；设置于所述溅射腔室内的靶材固定件，所述靶材固定件具有用于将溅射用的气体导入所述溅射腔室内的靶材侧进气孔，所述靶材固定件用于固定靶材；气体供给装置，所述气体供给装置与所述靶材侧进气孔相连通，所述气体供给装置用于供给溅射用的气体。本发明的溅射系统，与现有技术相比，解决了现有的溅射系统因靶材周围的溅射用的气体补充的较慢导致的溅射的膜的均匀性不良的技术问题。
靶材溅射系统溅射气体供给装置固定件溅射腔进气孔室内溅射腔室气体补充固定靶均匀性

[发明专利]一种环形高钪铝钪合金靶材及其制备方法-CN202210677383.0在审
发明人：张俊飞;蔡新志;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形高钪铝钪合金靶材及其制备方法，属于靶材技术领域，环形高钪铝钪合金靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)将铝钪靶材用胶带保护；(2)将靶材准备腐蚀穿孔的位置的胶带去除，露出需要穿孔的圆形靶材表面，将腐蚀容器垂直于圆形靶材表面，并固定，将圆形靶材表面的背面与腐蚀容器对应的位置的胶带去除，并将背面露出部分与胶带的接触处密封；(3)将靶材放置于容器中，冰水混合物没过靶材，将酸液加入到腐蚀容器中，隔0.5～2小时将酸液吸出，用水清洗腐蚀位置并吸出，再加入酸液，重复操作，直至靶材腐蚀穿孔。本发明用酸液对靶材进行定向腐蚀，能够制备出完整性好、不存在碎裂风险的环形高钪铝钪合金靶材。
一种环形高钪铝钪合金及其制备方法

[实用新型]一种用于真空溅镀的靶材-CN201220296909.2有效
发明人：郑志铭 -专利权人：浙江柏腾光电科技有限公司
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种靶材，尤其涉及一种用于真空溅镀的靶材。一种用于真空溅镀的靶材，所述靶材为金属靶A和金属靶B两两交错固定连接。本实用新型解决了真空溅镀需要两块靶材的成本浪费的问题，用一块靶材达到了两块靶材所达到的效果。
一种用于真空

[发明专利]靶材组件的焊接方法-CN201010002332.5无效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;陈勇军;刘庆 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：一种靶材组件的焊接方法，包括：提供铬或铬合金靶材坯料、背板和焊料；用焊料覆盖铬或铬合金靶材坯料的结合面，在真空环境下对所述铬或铬合金靶材坯料预热并实施保温，使得焊料与铬或铬合金靶材坯料的结合面充分融合，去除多余的焊料；对所述背板的结合面进行打磨处理，用焊料覆盖背板的结合面，在真空环境下预热并实施保温；对铬或铬合金靶材坯料和背板进行钎焊，将铬或铬合金靶材坯料焊接至背板形成靶材组件；冷却靶材组件。本发明能够增强铬或铬合金靶材坯料与背板在钎焊后的结合强度，并避免焊接过程中背板等发生氧化，确保靶材组件的性能稳定，符合产品品质要求。
组件焊接方法

[发明专利]靶材组件及其制备方法-CN201610257409.0在审
发明人：肖世文;黄建威 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及国际专利分类C23C用金属材料对材料的镀覆技术，具体涉及一种靶材组件及其制备方法；靶材组件包括基管和靶材本体，在所述基管上喷涂有与所述靶材本体形成过渡的靶材复合层；靶材组件的制备方法包括去除基管表面杂质的步骤，在基管上喷涂形成靶材复合层的步骤，然后将靶材本体与靶材复合层喷涂结合为一体；采用本发明技术方案的靶材组件及其制备方法，使得靶材与基管牢固结合，靶材不容易变形、移位、脱靶，且靶材制造方便。
组件及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法-CN202011417290.1在审
发明人：王冬振;常艳超;丁静仁;尤小磊;周振坤 -专利权人：爱发科电子材料（苏州）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法，包括以下步骤：s1、给定背板和钎料难润湿材质的靶材；s2、对背板和靶材均采取粗化处理，s3、对背板和靶材均采取预处理；s4、对背板和靶材均采取焊接处理，将背板和靶材焊接为一体形成靶材组件；s5、对焊接为一体的背板和靶材采取冷却处理；s6、对焊接为一体的背板和靶材均采取缺陷检查处理；s7、对焊接为一体的背板和靶材均采取后续处理，本发明的目的在于提供一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法，整体工艺简单，省去了镀膜处理，使得靶材组件可以直接进行焊接。
一种集成电路溅射靶材高绑定制作方法

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