“掺硅锗锑碲靶材”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果608864个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]存储器器件-CN201921271607.8有效
发明人： P·G·卡佩莱蒂;G·纳瓦罗 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金的层的一部分形成由锗、锑和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。
存储器器件

[发明专利]碲锌镉靶材、其制备方法及应用-CN201610836897.0有效
发明人：文崇斌;朱刘;胡智向;曾成亮;余明 -专利权人：广东先导稀贵金属材料有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括以下步骤：A)将碲化镉粉体、碲化锌粉体和碲化亚铜粉体混合均匀，得到混合粉体；B)将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明采用碲化镉粉体、碲化锌粉体和碲化亚铜粉体作为制备碲锌镉靶材的原料，通过真空热压法制得碲锌镉靶材，制备方法简单易行，易于产业化生产，由这种方法制得的碲锌镉靶材致密度较高，机械性能较好。此外，本发明制得的碲锌镉靶材可以应用于太阳能薄膜电池中。实验结果表明，本发明制备的碲锌镉靶材的密度均超过了理论密度的99％，致密度较高；同时，抗弯强度均在12MPa以上。
碲锌镉靶材制备方法应用

[发明专利]一种碲锌镉靶材的制备方法-CN202110874417.0在审
发明人：文崇斌;王英洁;朱刘;童培云 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括：将碲粉、锌粉和镉粉混合，得到混合粉体；将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明提供的碲锌镉靶材的制备方法，制备得到的碲锌镉靶材相对密度大于99％，游离镉和游离碲小于200ppm，而且工艺简单，本发明直接采用三种粉末合成碲锌镉靶材，不需合成碲化镉和碲化锌，减少工艺操作，节约成本
一种碲锌镉靶材制备方法

[发明专利]对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物-CN201110300900.4有效
发明人：威廉·杭克斯;陈天牛;许从应;杰弗里·F·罗德;托马斯·H·鲍姆;梅利莎·A·彼特鲁斯卡;马蒂亚斯·斯滕德;陈世辉;格雷戈里·T·施陶夫;布赖恩·C·亨德里克斯 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
对于金属薄膜 cvd ald 有用复合物

[发明专利]对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物-CN200780026664.3有效
发明人：威廉·杭克斯;陈天牛;许从应;杰弗里·F·罗德;托马斯·H·鲍姆;梅利莎·A·彼特鲁斯卡;马蒂亚斯·斯滕德;陈世辉;格雷戈里·T·施陶夫;布赖恩·C·亨德里克斯 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2007-05-12 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
对于金属薄膜 cvd ald 有用复合物

[发明专利]一种导电性碲化锌靶材的制备方法-CN202110445521.8在审
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云;胡智向;曾成亮 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电性碲化锌靶材的制备方法。本发明导电性碲化锌靶材的制备方法包括以下步骤：将碲化锌粉末和碲化亚铜粉末混合均匀后进行热压烧结，得到导电性碲化锌靶材；其中热压烧结过程中，在500～900℃下加压至45～70MPa，再保温保压。本发明通过在碲化锌中掺杂碲化亚铜，使所得碲化锌靶材具有非常好的导电性；采用碲化锌粉末和碲化亚铜粉末作为原料，并在较低温度下进行热压烧结，避免烧结过程出现偏析，确保所得碲化锌靶材具有良好的均匀性；同时在烧结过程中施压，使所得碲化锌靶材具有较高的密度。
一种导电性碲化锌靶材制备方法

[实用新型]相变存储器单元和存储器器件-CN201921270445.6有效
发明人： P·G·卡佩莱蒂;G·纳瓦罗 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金的层的一部分形成由锗、锑和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。
相变存储器单元器件

[发明专利]一种碲化镉靶材及其制备方法-CN201910554343.5在审
发明人：范文涛;朱刘;胡智向 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种碲化镉靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)将碲粉和镉粉混匀，得到混合粉末；B)将所述混合粉末进行热压烧结，得到碲化镉靶材。本发明将碲粉和镉粉混匀后，直接进行热压烧结即可制得碲化镉靶材。本发明中的热压烧结无需在真空条件下进行，即使在真空条件下进行，也是可以实现本发明的效果。制得的碲化镉靶材纯度和密度均较高。实验表明，本发明制备的碲化镉靶材的杂质及其含量均较少，碲化镉靶材的纯度可以达到5N，满足目前太阳能靶材的要求；同时，碲化镉靶材的密度较高，不低于理论密度的97.2％。
碲化镉靶材制备热压烧结混合粉末真空条件混匀碲粉镉粉规模化生产靶材纯度光电材料生产技术对设备太阳能

[发明专利]一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法-CN201010153604.1有效
发明人：孔金丞;孔令德;赵俊;王光华;张鹏举;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法，其特征在于采用晶态碲化镉(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通过A.确定靶材组分，B.质量计算，C.研磨，D.称量，E.混合，F.冷轧的工艺步骤，实现生长碲镉汞薄膜的靶材制备，该靶材制备方法可以在制备靶材的原材料中掺入杂质元素，实现对靶材成分的调节。通过采用本发明制备的靶材，致密性高、靶材组分均匀、成分可调、易于实现杂质原子的掺入；用该靶材制备出的薄膜均匀、光亮、附着率较好。
一种生长碲镉汞薄膜制备方法

[发明专利]双包层光纤用锗碲酸盐玻璃及其光纤的制备方法-CN201410336528.6有效
发明人：高松;胡丽丽;廖梅松;薛天峰;王龙飞;关珮雯;李夏 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C03C13/04 文献下载
摘要：一种双包层光纤用锗碲酸盐玻璃及其光纤的制备方法，双包层光纤用锗碲酸盐玻璃，包括掺铥纤芯玻璃、内包层玻璃和外包层玻璃，通过堆叠法制备成具有六角形内包层的光纤预制棒，在拉丝塔中一次拉制成光纤，拉制成具有六角形内包层的双包层光纤该光纤综合了锗酸盐玻璃和碲酸盐玻璃的优势，且玻璃中含有Al₂O₃，玻璃的热学性质较好，光谱性质较优异；纤芯掺铥，可实现～2μm激光输出。
包层光纤用锗碲酸盐玻璃及其制备方法

[发明专利]铬合金靶材及具有硬质薄膜的金属材料-CN201010185520.6无效
发明人：董寰乾;李至隆;邱军浩 -专利权人：中国钢铁股份有限公司
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及铬合金靶材及具有硬质薄膜的金属材料。具体而言涉及铬合金靶材，由铬及硅组成，或由铬及锗组成，其中铬所占的重量百分比为5％至95％，且当经由物理气相溅射工艺所产生的薄膜的厚度大于或等于2微米时，上述薄膜的维氏硬度值分别为Hv800至Hv1200上述的靶材可用来产生具有硬质薄膜的金属材料，此金属材料包含金属基板以及铬硅合金薄膜，或包含金属基板以及铬锗合金薄膜。
合金具有硬质薄膜金属材料

[发明专利]在ALD或CVD工艺中用于GST薄膜的碲前体-CN200810189883.X有效
发明人：萧满超;杨柳;T·R·加夫尼 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制造锗-锑-碲合金薄膜的方法，其中甲硅烷基碲前体被用作为合金薄膜中碲的来源，并使其在沉积过程中与醇反应。
ald cvd 工艺用于 gst 薄膜碲前体

[发明专利]碲化镉薄膜电池残靶重复利用的方法-CN202010466045.3在审
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜电池残靶重复利用的方法。本发明通过对碲化镉薄膜电池残靶进行预处理，破碎、过筛后，得到残靶粉末，并将残靶粉末掺入碲化镉薄膜电池靶材新粉中，通过真空热压烧结工艺制备得到致密度高、力学性能好、纯度高的碲化镉薄膜电池靶材。本发明在不影响碲化镉薄膜电池靶材性能的前提下，实现了碲化镉薄膜电池残靶的充分回收利用，减少了废料的产生。
碲化镉薄膜电池重复利用方法

[发明专利]二元和三元金属硫属化物材料及其制造和使用方法-CN200910149773.5有效
发明人：萧满超;杨柳 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应生成金属硫属化物。该化学方法被用来沉积用于相变存储器和光电设备的锗-锑-碲(GeSbTe)和锗-锑-硒(GeSbSe)膜或其它碲和硒基金属化合物。
二元三元金属硫属化物材料及其制造使用方法

[发明专利]二元和三元金属硫属化物材料及其制备和使用方法-CN201210195351.3有效
发明人：萧满超;雷新建;杨柳 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应生成金属硫属化物。该化学方法被用来沉积用于相变存储器和光伏设备的锗-锑-碲(GeSbTe)和锗-锑-硒(GeSbSe)膜或其它碲和硒基金属化合物。
二元三元金属硫属化物材料及其制备使用方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top