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[发明专利]芯片与静电放电保护组件及其制造方法-CN201310542131.8有效
发明人：陈哲宏 -专利权人：创杰科技股份有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片与静电放电保护组件及其制造方法，静电放电保护组件包括N型阱、P型掺杂区、第一N型掺杂区、多个N型子掺杂区、第一N+型掺杂区、第一P+型掺杂区、第二N+型掺杂区与第二P+型掺杂区。P型掺杂区配置于N型阱中。第一N型掺杂区配置于P型掺杂区中。多个N型子掺杂区并列配置于P型掺杂区中。第一N+型掺杂区配置于第一N型掺杂区中。第一P+型掺杂区配置于第一N型掺杂区中。第二N+型掺杂区配置于P型掺杂区中。第二P+型掺杂区配置于P型掺杂区中。
芯片静电放电保护组件及其制造方法

[发明专利]双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构-CN201910143716.X在审
发明人：蔡小五;赵海涛;刘海南;罗家俊;曾传滨;卜建辉;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：深N型掺杂区内设置第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区、第二P型掺杂区和第三N型掺杂区；在第一P型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，第二N型重掺杂区位于第一P型掺杂区和第二N型掺杂区的交界处；在第二P型掺杂区内从左到右依次设置有第三N型重掺杂区、第四N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，第三N型重掺杂区位于第二N型掺杂区和第二P型掺杂区的交界处；第一浅槽隔离区设置于第一P型掺杂区内且位于第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区之间；第二浅槽隔离区设置于第二N型掺杂区内且位于第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区之间。
静电放电保护结构浅槽隔离区双向可控硅交界处依次设置

[发明专利]双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构-CN201910138042.4有效
发明人：蔡小五;曾传滨;赵海涛;刘海南;卜建辉;陆江;罗家俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在P衬底内设置有第一N型掺杂区、P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一N型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，且，第二N型重掺杂区位于第一N型掺杂区和P型掺杂区的交界处；在第二N型掺杂区内从左到右依次设置有第三N型重掺杂区、第四N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，第三N型重掺杂区位于P型掺杂区和第二N型掺杂区的交界处；栅氧化层覆盖在P型掺杂区的表面且位于第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区之间；第一引出电极的一端分别与第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区连接，第二引出电极的一端分别与第四N型重掺杂区和第二P型重掺杂区连接。
双向可控硅静电放电保护结构 soi

[发明专利]掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法-CN201110095579.0有效
发明人：钱锋;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂单元，包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域；形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域；形成于该N型重掺杂区域周围的N型轻掺杂区域；该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域以及该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触，该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触，其中所述P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明中P型重掺杂区域与N型重掺杂区域之间具有N型基底材料、P型轻掺杂区域和N型轻掺杂区域作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此形成的P+/P-/N/N-/N+结构的PN结使得载流子的迁移更均匀，速率更稳定，由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。
掺杂单元晶片方法太阳能电池制作方法

[发明专利]一种新型的槽栅型MOS器件及其制备方法-CN202110346031.2在审
发明人：陈利 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的槽栅型MOS器件及其制备方法，包括：N型衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型重掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；N型衬底的下面做漏极电极，N型衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区和N型重掺杂区，N型重掺杂区在P型阱区之间，N型重掺杂区上有P型掺杂区，P型掺杂区上有N型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区中间有槽型栅结构区，槽型栅结构区贯穿N型重掺杂源极区和P型掺杂区，并延伸到N型重掺杂区，P型阱区上有P型重掺杂源极区，在源极区做源极电极，栅极多晶硅区做栅极电极。
一种新型槽栅型 mos 器件及其制备方法

[实用新型]一种新型的槽栅型MOS器件-CN202120653161.6有效
发明人：陈利 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的槽栅型MOS器件，包括：N型衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；N型衬底的下面做漏极电极，N型衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区在P型阱区之间，N型轻掺杂区上有P型掺杂区，P型掺杂区上有N型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区中间有槽型栅结构区，槽型栅结构区贯穿N型重掺杂源极区和P型掺杂区，并延伸到N型轻掺杂区，P型阱区上有P型重掺杂源极区，在源极区做源极电极，栅极多晶硅区做栅极电极。
一种新型槽栅型 mos 器件

[实用新型]一种超结IGBT的半导体功率器件-CN202022095317.1有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结IGBT的半导体功率器件，该器件包括：P型重掺杂衬底，P型重掺杂衬底上的N型重掺杂缓冲区，N型重掺杂缓冲区上的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，N型重掺杂区上的N型轻掺杂沟道区，该区设置在P型阱区中间，在P型阱区且靠近N型重掺杂区的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，N型重掺杂源区相邻接的P型重掺杂源区，P型阱区和N型轻掺杂沟道区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出发射极，栅结构引出栅极，P型重掺杂衬底下表面引出集电极。该器件通过N型轻掺杂区可以减小栅沟道的比导通电阻，通过超结可以提高该器件的开关速度。
一种 igbt 半导体功率器件

[发明专利]瞬时电压抑制装置-CN202210907230.0在审
发明人：陈致维;林冠宇;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种瞬时电压抑制装置，其包括至少一个P型轻掺杂结构与至少一个静电放电结构。静电放电结构包括一N型轻掺杂阱区、一N型阱区、一第一P型重掺杂区与一第一N型重掺杂区。N型轻掺杂阱区位于P型轻掺杂结构中，N型阱区位于N型轻掺杂阱区中，N型轻掺杂阱区的掺杂浓度小于N型阱区的掺杂浓度。第一P型重掺杂区位于N型阱区中，第一N型重掺杂区位于P型轻掺杂结构中。
瞬时电压抑制装置

[发明专利]静电保护结构、芯片-CN202110793560.7在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护结构、芯片，静电保护结构包括：半导体衬底、第一P型阱、第一N型阱、第一N型掺杂部、第一P型掺杂部、第二N型掺杂部、第二P型掺杂部、第三掺杂阱、第三P型掺杂部、第三N型掺杂部。第一P型阱、第一N型阱、第三掺杂阱位于半导体衬底内；第一N型掺杂部、第一P型掺杂部位于第一N型阱内且间隔设置；第二N型掺杂部、第二P型掺杂部位于第一P型阱且间隔设置；第三P型掺杂部、第三N型掺杂部位于第三掺杂阱内且间隔设置；第二N型掺杂部、第二P型掺杂部、第三N型掺杂部电连接，第一N型掺杂部与第三P型掺杂部电连接。
静电保护结构芯片

[发明专利]用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构-CN201610970759.1有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构，包括：提供包括NMOS区域的基底；在基底上形成栅极结构；在NMOS区域栅极结构两侧基底内形成N区凹槽；在N区凹槽的侧壁和底部上依次形成至少一层N型底部掺杂外延层和N型顶部掺杂外延层，N型顶部掺杂外延层的掺杂浓度大于N型底部掺杂外延层的掺杂浓度；N型底部掺杂外延层为多层时，依次形成多层N型底部掺杂外延层的步骤中，多层N型底部掺杂外延层中各层的掺杂浓度逐渐增加；N型底部掺杂外延层和N型顶部掺杂外延层构成N型掺杂外延层。本发明形成具有浓度梯度的N型掺杂外延层，因此N型掺杂外延层靠近器件沟道区位置处的掺杂浓度较小，从而改善了器件的短沟道效应。
用于改善沟道效应方法以及半导体结构

[发明专利]双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构-CN201910138049.6在审
发明人：蔡小五;罗家俊;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在深N型掺杂区内设置有第一N型掺杂区、第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一P型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区；在第二P型掺杂区内设置有第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区；在第三P型掺杂区内设置有第四N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；在第一N型掺杂区和第二N型掺杂区的上方均设置有浅槽隔离区；第一引出电极的一端分别与第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区连接，第二引出电极的一端分别与第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区连接，第三引出电极的一端分别与第四N型重掺杂区和第三P型重掺杂区连接。
引出电极静电放电保护结构双向可控硅浅槽隔离区

[发明专利]一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法-CN202110566933.7在审
发明人：陈利;陈彬;陈译 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区；漏极电极设在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区、N型轻掺杂区和槽栅结构区，N型轻掺杂区和槽栅结构区设在P型阱区之间，N型轻掺杂区上设P型掺杂区，P型掺杂区上设N型重掺杂源极区；另一个P型阱区上设N型重掺杂源极区，在P型阱区上设P型重掺杂源极区；槽栅结构区包括高K绝缘层和栅极多晶硅区，栅极多晶硅区上设栅极电极，P型重掺杂源极区和N型重掺杂源极区上设源极电极。
一种新型高压 mos 器件及其制备方法

[实用新型]一种新型的高压槽栅MOS器件-CN202121123899.8有效
发明人：陈利;陈彬;陈译 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的高压槽栅MOS器件，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型多晶硅源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，氧化层，栅极多晶硅区；漏极电极设在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区、N型轻掺杂区和槽栅结构区，N型轻掺杂区和槽栅结构区设在P型阱区之间，N型轻掺杂区上设P型掺杂区，P型掺杂区上设N型重掺杂源极区；另一个P型阱区上设N型重掺杂源极区，在P型阱区上设P型多晶硅源极区；槽栅结构区包括氧化层和栅极多晶硅区，栅极多晶硅区上设栅极电极，P型多晶硅源极区和N型重掺杂源极区上设源极电极。
一种新型高压 mos 器件

[发明专利]场截止型绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201210439400.3有效
发明人：杨文清;赵施华;邢军军 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种场截止型绝缘栅双极晶体管，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、N型轻掺杂基区、N+型缓冲层、背面P型掺杂区，还包括一附加N型轻掺杂区；金属氧化物半导体场效应晶体管的下面为N型轻掺杂基区，N型轻掺杂基区的下面为N+型缓冲层，附加N型轻掺杂区，位于N+型缓冲层及背面P型掺杂区之间；N型轻掺杂基区的N型掺杂浓度小于附加N型轻掺杂区的N型掺杂浓度小于N+型缓冲层的N型掺杂浓度。本发明还公开了该种场截止型绝缘栅双极晶体管的两种制造方法。本发明能提高使场截止型绝缘栅双极晶体管的发射效率。
截止绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]静电放电保护元件-CN201910306149.5在审
发明人：陈永初;陈哲宏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护元件，包括以下构件：第一PNP型双极结晶体管包括P型区、第一N型阱区、第二N型阱区、第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区与N型区。NPN型双极结晶体管包括第一P型阱区、第三N型阱区、第二N型掺杂区、第三P型掺杂区与第三N型掺杂区。第二PNP型双极结晶体管包括第一P型阱区、第三N型阱区、第三P型掺杂区、第三N型掺杂区与第四P型掺杂区。第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、第三N型掺杂区与第四P型掺杂区耦接至高压端。第一P型掺杂区、第二N型掺杂区与第三P型掺杂区耦接至低压端。
静电放电保护元件

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