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[发明专利]滑动部件、处理盒、以及成像装置-CN201510400891.4有效
发明人：中村优;太野大介;小野雅人;田中大辅;濑古真路 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G03G21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种滑动部件，包括：基材，该基材包括与被滑动部件接触的接触区域，其中，自所述接触区域的表面起的所述接触区域的厚度中的杨氏模量E1为10MPa至200,000MPa，并且所述接触区域的厚度T为10nm本发明的滑动部件能够防止接触区域中发生碎裂。
滑动部件处理以及成像装置

[发明专利]光电子半导体器件和具有光电子半导体器件的设备-CN201580061728.8在审
发明人：于尔根·莫斯布格尔;安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件(1)，其具有发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；保护二极管区域(4)，其中‑半导体器件具有用于外部电接触半导体器件(1)的接触部(6)；‑接触部具有第一接触区域(61)，所述第一接触区域与发射区域导电连接；‑接触部具有第二接触区域(62)，所述第二接触区域与第一接触区域间隔开并且与保护二极管区域导电连接；和‑第一接触区域和第二接触区域能够借助于连接线路(9)的共同的端部(95)外部电接触。
光电子半导体器件具有设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件-CN202110935939.7有效
发明人：邹富伟;魏悦;唐霞 -专利权人：成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件，该制作方法包括：形成栅极、有源层、源极和漏极的图形；有源层包括：源极接触区域、漏极接触区域和位于源极接触区域和漏极接触区域之间的沟道区域，源极接触区域和漏极接触区域包括：层叠设置的非晶硅层和非晶硅掺杂层，非晶硅层和非晶硅掺杂层通过对一非晶硅薄膜的表面进行离子注入得到，其中，非晶硅薄膜的被离子注入的上层膜层形成非晶硅掺杂层，未被离子注入的下层膜层形成非晶硅层；沟道区域包括非晶硅层，沟道区域的非晶硅层与源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层相连。本发明能够改善源漏电极和有源层之间的接触电阻，有利于非晶硅薄膜晶体管的性能的提高。
薄膜晶体管及其制作方法显示器件

[发明专利]用于制造半成品或包括所述半成品的安全文件的方法和装置-CN201080026800.0有效
发明人： P·施蒂默特;D·梅尔滕斯 -专利权人：联邦印刷有限公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：提出了一种半成品(21)，其包括至少一个衬底(1)，一个具有至少一个芯片接触区域(6)的电路结构(5)和一个具有至少一个天线接触区域(4)的天线结构(2)，其中，天线结构(2)和电路结构(5)如此施加到衬底(1)上，使得至少一个天线接触区域(4)和至少一个芯片接触区域(6)彼此相邻并且至少在部分面积上在重叠区域(8)中叠置，以及在重叠区域(8)中在至少一个天线接触区域(4)与至少一个芯片接触区域(6)之间构造电接触，其中，在重叠区域(8)中构造至少一个通孔(7)，其穿透至少一个天线接触区域(4)和至少一个芯片接触区域(6)。
用于制造半成品包括安全文件方法装置

[发明专利]形成集成组合件的方法-CN202010018254.1在审
发明人： D·C·潘迪;K·M·卡尔达;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：所述导电块中的每个导电块位于包含一对存储元件接触区域和一个数位线接触区域的组之上。所述导电块中的每个导电块被第一绝缘材料完全侧向包围。移除所述导电块的中心区域，以将所述导电块中的每个导电块分成位于所述存储元件接触区域中的一个存储元件接触区域之上的第一导电部分和位于所述存储元件接触区域中的另一个存储元件接触区域之上的第二导电部分。将数位线与所述数位线接触区域耦合，并且将存储元件与所述存储元件接触区域耦合。
形成集成组合方法

[实用新型]一种防止退接线端子-CN202222255841.X有效
发明人：海飞 -专利权人：皇裕精密技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01R4/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止退接线端子，属于电气技术领域，所述接线端子设置于电机定子组件上；所述接线端子包括夹持端和连接端，所述夹持端上开设有用于固定导线的开口，所述开口沿夹持端向连接端部分延伸；所述开口包括依次设置的导向区域、防退区域和接触区域，所述导向区域的宽度沿靠近防退区域方向逐渐收窄；所述防退区域宽度小于接触区域的宽度；所述接触区域底部闭合；所述导线依次经过导向区域和防退区域后固定于接触区域；当导线通过防退区域进入接触区域，防退区域的接线端子弹性端子回弹，抵挡住接线端子在受外力时退出接触区域，从而避免了导线与接线端子连接过程中出现滑脱。
一种防止接线端子

[发明专利]存储器装置-CN202010527845.1在审
发明人：尹敬和;郭判硕;金灿镐;姜东求 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种存储器装置，所述存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的电路元件，电路元件包括行解码器；单元阵列区域，包括字线和沟道结构，字线堆叠在外围电路区域上的第二基底上，沟道结构在与第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字线；以及单元接触区域，包括单元接触件，单元接触件连接到字线并位于单元阵列区域的在与第二基底的上表面平行的第一方向上的两侧上，单元接触区域包括第一单元接触区域和第二单元接触区域，第一单元接触区域和第二单元接触区域在第一方向上具有彼此不同的长度
存储器装置

[发明专利]校准测试装置测试频道之校准装置及测试系统-CN200410071689.3有效
发明人： G·弗兰科维斯基;T·布克施;G·布雷萨姆伦 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-07-21 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明关于校准装置用以校准测试装置之测试频道，使一衬底晶片上之集成组件可为了以电子信号测试而被接触连接，该校准装置具有一连接装置以及具有一第一接触区域及与该第一接触区域隔离之一第二接触区域之一平面接触载体，其可经由该连接装置被电连接，该连接装置适用于连接该第一及第二接触区域至该测试装置，该第一接触区域实质上由该第二接触区域包围，因此，当连接至该测试装置之一针卡被放置于该校准装置之该接触载体之上时，该针卡之连接至将被校准之测试频道之一接触连接针被设置于该第一接触区域之上，且实质上复数或所有该针卡之位于未被校准之测试频道之其它接触针被放置于该第二接触区域。
校准测试装置频道系统

[发明专利]绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管-CN200910212766.5有效
发明人：李海松;王钦;杨东林;刘侠;朱奎英;刘斯扬;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区，N型掺杂缓冲区域，器件的阳极接触区域和阴极接触区域都是由P型阳极接触区域和N型阳极接触区域在器件的宽度方向上相互交替排列形成的，当器件的栅极电压大于阈值电压后，电流既可以正向导通，也可以反向导通，并且器件的阳极接触区域和阴极接触区域是各自交叉对称的结构，缩短了器件的关断时间，减少了器件的关断功耗。
绝缘体正反横向绝缘双极晶体管

[发明专利]层叠的连接器组件-CN200710167632.7有效
发明人：理查德·E·哈姆纳;迈克尔·W·福格;埃里克·L·希梅尔赖特;贾斯廷·S·麦克莱伦 -专利权人：蒂科电子公司
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01R27/02 文献下载
摘要：该外壳在外壳下侧部分(126)之间的下接触区域(120)中具有一排触点(200)，在上接触区域(122)中具有两排触点(210)。外壳包括分隔上接触区域和下接触区域的未遮蔽的间隔部分(130)。包括覆盖物(134)的下罩(132)围绕下接触区域，侧面板(136)覆盖外壳的下侧区域，并且包括覆盖物(142)的上罩(140)围绕上接触区域。
层叠连接器组件

[实用新型]电路板测试装置-CN201721425063.7有效
发明人：桂杰;姬生伟;王宏雨;李凤利;邱新豪;秦建良 -专利权人：北京聚利科技股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电路板测试装置，包括：主控板、底托、推压装置和支架；所述主控板设置有接触区域和指示区域，所述接触区域与所述指示区域电性连接，所述指示区域用于根据所述接触区域的电信号显示结果；所述底托设置于所述接触区域的上方，所述底托通过弹性部件与所述接触区域连接，所述底托上设置有至少两个卡槽，所述卡槽用于放置待测试电路板；所述每个卡槽内设置有探针，所述探针在所述弹性部件压缩状态时与所述接触区域电性连接；所述推压装置用于在竖直方向推压所述底托，以使得所述探针与所述接触区域电性连接。
接触区域底托电路板测试装置电性连接指示区域卡槽探针本实用新型测试电路板推压装置主控板弹性部件压缩状态电信号显示测试效率弹性部件电性可用竖直推压支架

[发明专利]用于选择性光学图形补偿的方法与系统-CN200510030306.2有效
发明人：郭贵琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：该方法包括：确定第一接触区域，处理与第一接触区域相关联的信息，以及至少基于与第一接触区域相关联的信息来确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域。此外，该方法包括：如果第一光学补偿应当应用于第一接触区域，则将第一光学补偿应用于第一接触区域，处理与第一光学补偿相关联的信息，确定第一光学补偿和第二光学补偿或第二接触区域之间的第一距离，处理与第一距离相关联的信息
用于选择性光学图形补偿方法系统

[发明专利]加压装置及使用该加压装置的加压处理装置-CN202211354651.1在审
发明人：神谷昌吾;大桥孝;木村晃一;秋山真吾;粟野豊彦 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：一种加压装置及使用该加压装置的加压处理装置，其特征在于，具备：第1加压单元；第2加压单元，与所述第1加压单元对置地设置，夹持向形成于与所述第1加压单元之间的接触区域移动的媒体并进行加压；及接触区域可变单元，当将所述接触区域的接触状态设为可变时，在保持所述接触区域的出口侧的接触压力的状态下，改变沿所述媒体的移动方向的所述接触区域的宽度尺寸。
加压装置使用处理

[发明专利]一种太阳能电池及其接触结构、电池组件及光伏系统-CN202111003168.4在审
发明人：邱开富;林文杰;王永谦;杨新强;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其接触结构、电池组件及光伏系统，该接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；设置在硅衬底背面的第一电介质层，第一电介质层至少覆盖凹槽；设置在第一电介质层上，且交替设置在各个凹槽中的空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域，空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域中的至少一个为非硅接触层；设置于空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域上的导电层。本发明中提供的接触结构，解决了现有掺杂多晶硅制备时存在工艺难度高、工艺复杂、设备昂贵、及能耗高的问题。
一种太阳能电池及其接触结构电池组件系统

[实用新型]一种太阳能电池及其接触结构、电池组件及光伏系统-CN202122072582.2有效
发明人：邱开富;林文杰;王永谦;杨新强;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其接触结构、电池组件及光伏系统，该接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；设置在硅衬底背面的第一电介质层，第一电介质层至少覆盖凹槽；设置在第一电介质层上，且交替设置在各个凹槽中的空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域，空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域中的至少一个为非硅接触层；设置于空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域上的导电层。本实用新型中提供的接触结构，解决了现有掺杂多晶硅制备时存在工艺难度高、工艺复杂、设备昂贵、及能耗高的问题。
一种太阳能电池及其接触结构电池组件系统