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[实用新型]红外探测器-CN202023338997.1有效
发明人：刘志方;杨晓杰 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本公开提供了一种红外探测器，其包括衬底、外延层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极、第二电极以及读出电路。外延层设置于衬底上，外延层配置为被刻蚀形成探测器台面；所述第一钝化层设置于所述探测器台面的表面上；所述第二钝化层设置于所述第一钝化层上；所述第一电极和所述第二电极设置于所述探测器台面的表面上，且所述第一电极和所述第二电极与所述读出电路连接通过第一钝化层和第二钝化层构成复合钝化层结构实现探测器台面的稳定钝化，提升红外探测器的钝化质量，有效抑制探测器台面的表面的漏电流，因此通过复合钝化层结构能够抑制红外探测器台面表面的漏电流并提升台面的整体钝化效果，从而有效提高红外探测器的可靠性和稳定性。
红外探测器

[发明专利]一种集成增透膜层的紫外探测器及其制备方法-CN201910837330.9在审
发明人：周幸叶;谭鑫;吕元杰;王元刚;宋旭波;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种集成增透膜层的紫外探测器及其制备方法，其中，所述增透膜层覆盖于所述紫外探测器的入射面；所述增透膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口。本申请提供的集成增透膜层的紫外探测器，可以减小入射光在紫外探测器的入射面上的反射，从而可以增加进入紫外探测器的有源区的入射光子量，达到提高紫外探测器的量子效率的目的。
紫外探测器增透膜层电极窗口入射半导体技术领域量子效率电极层光子量入射光入射面减小源区反射申请制备穿过覆盖

[发明专利]一种Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构及其制备方法、Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器-CN202211361980.9在审
发明人：薛建凯;张培峰;雷宇;宫联国;许多;苏莹;李斌;文晋;冯伟;朱坤;赵毅;徐文艾 -专利权人：太原国科半导体光电研究院有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构及其制备方法、Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器，属于红外探测技术领域。Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构，其包括红外探测器外延片、金属接触层和金属连接柱。金属接触层包括依次层叠布置的粘附层、反射层、连接层、第一保护层和第二保护层，粘附层连接于红外探测器外延片。金属连接柱连接于第二保护层。本申请的Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构在金属接触层中增加反射层，即将接触电极和反射电极融合，在形成良好欧姆接触的同时，能够通过光反射实现部分损失光的二次吸收，从而提升制作的红外探测器的量子效率，进而优化红外探测器的成像效果
一种晶格红外探测器单元结构及其制备方法红外平面探测器

[发明专利]多波段拼接红外探测器封装结构-CN202310488264.5在审
发明人：王青;黄一彬;魏超群;孙鸿生;陈军;任海;程增赐 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的多波段拼接红外探测器封装结构包括：读出电路、支撑层薄膜、探测器芯片、滤光片、键合点、基板、冷平台和铟柱，基板固定在冷平台上，读出电路固定在基板上，至少二个探测器芯片通过若干个铟柱互联在读出电路上，探测器芯片彼此平行排列，若干个键合点设置在探测器芯片外侧的读出电路上，支撑层薄膜包括：横支撑层薄膜，至少二个横支撑层薄膜设置在探测器芯片外侧的或者设置在探测器芯片外侧和两个探测器芯片之间的读出电路上，上述横支撑层薄膜平行于探测器芯片，所述滤光片粘接固定在读出电路上方的横支撑层薄膜上，横支撑层薄膜的厚度大于铟柱高度与探测器芯片的厚度之和；滤光片平行于读出电路并覆盖住所有探测器芯片。
波段拼接红外探测器封装结构

[发明专利]光探测器件及光探测器-CN201910236278.1在审
发明人：梁永晔;杨庭斌;邢贇;白俊娴;王江 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光探测器件及光探测器。该光探测器件包含铟锡氧化物阳极层、光活性层、界面层以及金属阴极层；其中所述光活性层位于所述铟锡氧化物阳极层的上层，所述光活性层由包含电子给体材料和电子受体材料的混合物形成；所述界面层位于所述光活性层的上层本发明还提供了一种包含该光探测器件的光探测器。本发明提供的光探测器器件以及光探测器，能够提高高分子光探测器的探测率。
光探测器光探测器件光活性层界面层铟锡氧化物阳极层金属阴极层上层电子给体材料电子受体材料混合物形成探测率

[发明专利]半导体探测器-CN201610797083.0有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料
半导体探测器

[实用新型]脉冲中子储层评价测井仪-CN202022898073.0有效
发明人：王振;梁国武;张峰;张兰兰;张守林;高舒婷;王祥;周清 -专利权人：中国海洋石油集团有限公司;中海油田服务股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： E21B47/00 文献下载
摘要：本文公开了一种脉冲中子储层评价测井仪，包括：依次连接的脉冲中子发生器控制器、脉冲中子发生器、短源距探测器、中源距探测器、远源距探测器和采集控制电路总成，所述短源距探测器、所述中源距探测器和所述远源距探测器均为用于探测伽马射线的掺铈三溴化镧晶体探测器该脉冲中子储层评价测井仪中，采用三个不同源距的探测器，可增加脉冲中子储层评价测井仪的氧活化水流测量功能、气饱和度测量功能、孔隙度测量功能及元素测量功能，使得脉冲中子储层评价测井仪的功能多样化，可全面评价储层特性使用掺铈三溴化镧晶体探测器，可提高探测计数率，提高测量速度和测量精度。
脉冲中子评价测井

[发明专利]一种全悬浮型小电容探测器、控制方法及应用-CN202010166051.7在审
发明人：李正;张新望;刘曼文 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种全悬浮型小电容探测器、控制方法及应用。探测器阵列设置有多个阵列分布的探测器单元；探测器单元设置有N型轻掺杂硅基体，硅基体上表面设置有P型重掺杂阴极层、与阴极层间隔设置有P型重掺杂漂浮电极层，硅基体下表面设置有N型重掺杂阳极层；漂浮电极层上表面铺设有二氧化硅层；阴极层和阳极层表面铺设有Al电极层。本发明实现了具有超高的能量分辨率和位置分辨率以及超快的时间响应能力的探测器阵列。采用漂浮电极设计，大幅度减小电极面积，从而减小探测器电容，降低噪声。同时减小探测器阵列死区，提高电荷收集率和探测效率。
一种悬浮电容探测器控制方法应用

[实用新型]一种全悬浮型小电容探测器-CN202020294096.8有效
发明人：李正;张新望;刘曼文 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型属于光电探测器技术领域，公开了一种全悬浮型小电容探测器。探测器阵列设置有多个阵列分布的探测器单元；探测器单元设置有N型轻掺杂硅基体，硅基体上表面设置有P型重掺杂阴极层、与阴极层间隔设置有P型重掺杂漂浮电极层，硅基体下表面设置有N型重掺杂阳极层；漂浮电极层上表面铺设有二氧化硅层；阴极层和阳极层表面铺设有Al电极层。本实用新型实现了具有超高的能量分辨率和位置分辨率以及超快的时间响应能力的探测器阵列。采用漂浮电极设计，大幅度减小电极面积，从而减小探测器电容，降低噪声。同时减小探测器阵列死区，提高电荷收集率和探测效率。
一种悬浮电容探测器

[发明专利]显示面板-CN202010271183.6有效
发明人：杜建华;罗超;关峰;袁广才;徐国良;王忠国;王政焱;陈明;杨春雷;强朝辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本申请提供一种光电探测器及其制备方法、显示面板，以通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节。所述光电探测器包括沿厚度方向依次层叠设置的背电极层、吸收层、缓冲层、复合膜、透明电极层和顶电极；其中，复合膜包括混合均匀的PVDF和ZnO，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1。所述制备方法用于制备所述光电探测器。所述显示面板包括上述的光电探测器、以及沿厚度方向依次叠设于基底上的像素控制电路层、平坦层和发光结构层；光电探测器位于平坦层的开口内，且位于像素控制电路层上，光电探测器的背电极层与像素控制电路层的源极电连接
显示面板

[发明专利]光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法-CN202010908886.5有效
发明人：王忠国;陈明;王宗朋;王政焱;易成汉;徐国良;贾美玲;汪智伟;周长著;刘宇;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52，通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流，从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器，相对于整面探测器降低了有效接触面积，进一步提升了光电探测性能。
光电探测器阵列及其制备方法

[实用新型]半导体探测器-CN201621033858.9有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料本实用新型能够进一步提高场增强线电极探测器的能量分辨率，减少暗电流的影响。
半导体探测器

[发明专利]一种紫外光的光电探测器及其制备方法-CN201910059648.9有效
发明人：杨斌;张浩;张子寒 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器领域，特别是涉及一种可探测紫外光的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器的结构为：导电基材/PEDOT：PSS层/PVK层/量子点:PMMA层/PCBM层/C60层/BCP层/Al层。其先通过设计结构，然后逐层叠加的方式制得无需带通滤波器的紫外光电探测器；这种探测器在反向偏压为‑7V时，对320‑380nm波段紫外光的探测度达1011Jones，线性动态范围为60dB，探测器响应速度为1163μs。
一种紫外光光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种纽扣式能量鉴别多功能个人剂量计-CN202022580333.X有效
发明人：李秀芹;谢鹏;李青凤;杜志辉;李学峰 -专利权人：中国人民解放军中部战区疾病预防控制中心
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G01T1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纽扣式能量鉴别多功能个人剂量计，包括盒体和探测器片，盒体包括上盖、下盒和内衬，上盖可分离地设置在下盒上，内衬设置在下盒内，探测器片凹槽一和探测器片凹槽二分别嵌入放置两个6LiF(Mg,Cu,P)热释光探测器片；探测器片凹槽三和探测器片凹槽四分别嵌入放置两个7LiF(Mg,Cu,P)热释光探测器片；辅助装置凹槽层覆盖在探测器片凹槽层上，辅助装置凹槽层内嵌入放置金属片，探测器片凹槽层包括探测器片凹槽五和探测器片凹槽六，探测器片凹槽五和所述探测器片凹槽六分别嵌入放置两个7LiF(Mg,Cu,P)热释光探测器片。
一种纽扣能量鉴别多功能个人剂量计

[发明专利]一种量子点红外探测器及其制备方法-CN202210991162.0在审
发明人：高亮;邓城洁;刘宇轩;唐江;张建兵 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点红外探测器及其制备方法，所述量子点红外探测器包括：底电极层、电子阻挡层、p型层、有源层、电子运输层、强n型层、顶电极层，所述的量子点红外探测器的结构方式为由下到上依次为底电极层、电子阻挡层、p型层、有源层、电子运输层、强n型层、顶电极层。所述的量子点红外探测器制备方法，包括制备电子阻挡层、制备p型层、制备有源层、制备电子传输层、制备n型层、制备顶电极层。所述的量子点红外探测器可将红外探测器波段拓展至1700nm范围，截止区域达到1900nm，极大提升了探测范围，在短波红外光探测领域有着良好的应用前景。
一种量子红外探测器及其制备方法