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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜方法与成膜装置-CN200980157890.4无效
发明人：松山秀昭;和田雄人 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在沉积室中的衬底上执行成膜过程。第一电极设置在沉积室中并接地。在沉积室中设置面对第一电极的第二电极。射频电源向第二电极提供射频功率。DC电源向第二电极提供DC偏压电压。以此方式，有可能在防止沉积过程中膜沉积速率减小的同时改进膜质量。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201080016867.6无效
发明人：松本贤治;三好秀典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置，在能够抽真空的处理容器内，使用有机金属原料气体在被处理体表面形成薄膜的成膜装置中，其特征在于，在暴露在所述处理容器内的气氛的部件的表面，设置疏水层。
装置方法

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201080026167.5无效
发明人：小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(13u)和第二产生部(13d)，以满足关系式Id＜Iu的方式向所述第一产生部(13u)和所述第二产生部(13d)施加电流，产生垂直磁场以使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间以规定的间隔通过
装置以及方法

[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201080021651.9无效
发明人：森本直树;滨口纯一;堀田和正;武田直树 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种在被处理体的表面形成覆膜的成膜方法。在腔室内对置配置靶与所述被处理体，产生使垂直的磁力线从所述靶的溅射面朝向所述被处理体的被成膜面以规定的间隔局部通过的磁场，所述靶成为所述覆膜的母材；并且向所述腔室内导入溅射气体，将所述腔室内的气压控制在以下的范围内，且向所述靶施加负的直流电压，从而在所述靶与所述被处理体之间的空间产生等离子体；控制通过对所述靶进行溅射而产生的溅射粒子的飞行方向，并且将所述溅射粒子向所述被处理体诱导并使其沉积，以形成所述覆膜。
方法以及装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN02816482.2无效
发明人：三好秀典;杉浦正仁;柏木勇作;香川惠永;太田与洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。
方法装置

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN200680001233.7无效
发明人：龟嶋隆季;川村刚平;小林保男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内，导入含有无机硅烷气体的处理气体，在包含上述载置台表面的上述处理容器内壁上，预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200780017818.2无效
发明人：立花光博;西森崇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，上述成膜方法的特征在于，包括：将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和向所述处理容器内供给含钨气体和还原气体，并且利用已加热的催化剂体使该还原气体活化，在所述被处理体的表面形成钨膜的成膜工序
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200780013893.1无效
发明人：松本贤治;佐藤浩;大平达也;町田英明;石川真人 -专利权人：东京毅力科创株式会社;TRICHEMICAL研究所股份有限公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种利用CVD法在被处理体表面形成锰膜的成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：能够形成真空的处理容器(14)；载置台(16)，其设置在上述处理容器(14)内，用于载置上述被处理体；和原料气体供给部(18)，其与上述处理容器(14)连接，向上述处理容器(14)内供给包含含锰的有机金属材料或含锰的金属配位化合物材料的原料气体成膜方法包括：将被处理体收容在能够形成真空的处理容器(14)内部的工序；和在上述处理容器(14)内部，使用包含含锰的有机金属材料或含锰的金属配位化合物材料的原料气体，利用CVD法在上述被处理体表面形成锰膜的工序
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200680000633.6无效
发明人：吉井直树;松泽兴明;小岛康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200680008202.4无效
发明人：千田二郎;大岛元启;石田耕三;富永浩二 -专利权人：学校法人同志社;株式会社堀场制作所
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明所涉及的成膜装置可以高速且重现性良好地形成减少氧欠缺的金属氧化膜或金属氮化膜，同时实现装置的小型化。本发明所涉及的成膜装置，具有将基板(2)保持在内部的成膜室(3)和将液体原料直接喷射到成膜室(3)内的喷射阀(4)，上述液体原料为含有金属化合物和低沸点有机化合物的混合溶液，使上述成膜室(3)内的压力大于与上述低沸点有机化合物混合前的上述金属化合物的蒸气压
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200680006297.6无效
发明人：中村和仁;山崎英亮;河野有美子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，具备向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；向上述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于上述处理容器内的被处理体表面，形成由高熔点金属的氮化物、硅化物、碳化物中的任一种或多种构成的金属化合物膜的薄膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200680033249.6无效
发明人：后藤谦次;川岛卓也;田边信夫;铃木康雄 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及成膜方法，该成膜装置具备：生成粒径受到控制的液态微粒的机构A，由对所生成的上述液态微粒一边进行温度控制一边进行引导的空间所构成的机构B，对所引导的上述液态微粒进行喷出的机构C，以及由使雾状喷出的上述液态微粒涂敷于被处理体而形成透明导电膜的空间构成的机构
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200680031423.3无效
发明人：山崎英亮;河野有美子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明是一种成膜方法，该方法包括向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体和含氮气体，在载置于该处理容器内的被处理体表面形成高熔点金属的金属化合物膜的薄膜的成膜工序。为了提高薄膜中所含碳的浓度，在成膜工序中的含氮气体的分压为17％以下。
方法装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200480010572.2无效
发明人：寒川诚二;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社;寒川诚二
申请日： 2004-09-14 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的成膜装置(10)包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室(14)；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室(20)；和具有多个孔且分离等离子体产生室(14)与成膜室(20)的分离板(17)。分离板(17)的孔的直径是使得等离子体产生室(14)的压力比成膜室(20)的压力高2.0倍以上的尺寸。成膜装置(10)进一步包括在等离子产生室(14)与成膜室(20)之间施加规定的偏压的装置。
装置方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200480000795.0无效
发明人：能势功一;笹川孝市;古塚毅士;泷川志朗;小泉康浩 -专利权人：新明和工业株式会社
申请日： 2004-05-25 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。
装置方法

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