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[发明专利]成膜方法-CN201980094711.0有效
发明人：柴山博久;镰田恒吉;田井中直也;内海贵人;松山秀信;盐谷英尔;荻谷俊夫;铃木晴彦 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：一种成膜方法，在该成膜方法中，一边使具有不相互连续的多个被成膜部(16c)的工件(3)和冷喷装置(2)的喷嘴(23d)沿着由相对于所述多个被成膜部的轨迹(T)和连结该相对于多个被成膜部的轨迹(T)的连接轨迹(CT)构成的连续的移动轨迹(MT)相对地移动，一边从所述喷嘴连续地喷射原料粉末，利用冷喷法向所述多个被成膜部分别喷射原料粉末而形成覆膜，其中，将所述移动轨迹中的所述工件与所述喷嘴之间的相对速度变低的折返点(TP1)设定于所述连接轨迹之上。
方法

[发明专利]气缸盖毛坯和气缸盖的制造方法-CN202080106455.5在审
发明人：野上盛之;井野口雅敏;松山秀信;柴山博久;熨斗良次;镰田恒吉;田井中直也 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F01L3/02 文献下载
摘要：一种被成膜部，其形成在沿着进气口(16)的开口部(16a)或排气口(17)的开口部(17a)的环状缘部，将利用冷喷涂法喷射原料粉末而形成金属膜(5)的该被成膜部的沿着进气口(16)或排气口(17)的径向的截面形成为包含平坦的底面(G1)和与该底面相邻的一对侧面(G2)的槽形状。
缸盖毛坯和气制造方法

[发明专利]冷喷装置-CN201980094774.6有效
发明人：柴山博久;镰田恒吉;铃木晴彦;盐谷英尔;松山秀信 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：至少具备：基座(45)，其以预定的姿势载置气缸盖(12)；底板(26)，其配置到与气缸盖分开的位置；旋转部件(29)，其使底板以旋转轴线(C)为中心旋转；喷枪(23)，其以喷射方向朝向旋转轴线的方式安装固定到底板；高压配管(21b)，其向喷枪引导工作气体；以及旋转接头(21k)，其设置到所述高压配管的基端，高压配管沿着旋转轴线布置。
装置

[发明专利]成膜方法-CN201880097787.4有效
发明人：柴山博久;松山秀信;盐谷英尔;熨斗良次;镰田恒吉;冈本尚树;藤川雅仁;滨崎淳一;井野口雅敏 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：当在设置到气缸盖毛坯(3)的缸体安装面(12a)的进气口(16)的开口部(16a1～16a8)形成气门座膜的情况下，冷喷装置的喷嘴一边继续原料粉末的吹送，一边在设定到多个开口部(16a1～16a8)之间的进气用喷嘴移动路径(Inp1)移动。另外，当在排气口(17)的开口部(17a1～17a8)形成气门座膜的情况下，喷嘴一边继续原料粉末的吹送，一边在设定到多个开口部(17a1～17a8)之间的排气用喷嘴移动路径(Enp1)移动。
方法

[发明专利]成膜方法-CN201980094769.5有效
发明人： 镰田恒吉;柴山博久;田井中直也;内海贵人;松山秀信;盐谷英尔;荻谷俊夫;铃木晴彦 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：一种成膜方法，在该成膜方法中，使具有作为被成膜部的环状气门座部(16c)的气缸盖毛坯(3)和冷喷装置(2)的喷嘴(23d)沿着所述被成膜部的成膜起点(P2)与成膜终点(P5)重叠而形成重叠部的成膜轨迹(T)相对移动，一边从所述喷嘴连续地喷射原料粉末，一边在所述被成膜部形成覆膜，其中，以所述重叠部的成膜起点处的、覆膜相对于被成膜部的面的端部倾斜角(θ)成为45°以下的方式成膜。
方法

[发明专利]冷喷用喷嘴和冷喷装置-CN201880095417.7有效
发明人：藤川雅仁;松山秀信;盐谷英尔;熨斗良次;柴山博久;镰田恒吉;冈本尚树;滨崎淳一 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B05B7/16 文献下载
摘要：在冷喷装置(2)中使用的冷喷用喷嘴(25)由筒状的喷嘴主体(252)和冷却套(253)构成，该冷却套(253)围绕喷嘴主体(252)而与喷嘴主体(252)之间形成有制冷剂(R)的流路(25e)，在冷却套(253)设置有对流路(25e)的O形密封圈(253b)进行保持的密封保持部(253c)，并且，使该密封保持部(253c)和喷嘴主体(252)承插结合。
冷喷用喷嘴装置

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201280028713.8无效
发明人：滨口纯一;小平周司;坂本勇太;佐野昭文;镰田恒吉;门仓好之;广石城司;沼田幸展;铃木康司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。
半导体装置制造方法

[发明专利]成膜装置-CN201080026236.2有效
发明人：小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间通过；第三磁场产生部(18)，从所述第二磁场产生部(13)来看，相比于所述靶被配置在上游侧。
装置

[发明专利]成膜装置-CN201080026409.0有效
发明人：小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。
装置

[发明专利]成膜装置-CN201080027811.0无效
发明人：小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种采用溅射法在被处理体的表面形成覆膜的成膜装置，包括：腔室，收纳以相互对置的方式配置的所述被处理体与作为所述覆膜之母材的靶；排气单元，对所述腔室内进行减压；磁场产生单元，在所述靶的溅射面的前方产生磁场；直流电源，向所述靶施加负的直流电压；气体导入单元，向所述腔室内导入溅射气体；以及防止溅射粒子向所述被处理体入射，直到在所述靶与所述被处理体之间产生的等离子体成为稳定状态为止的单元。
装置

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201080026167.5无效
发明人：小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，具有第一产生部(13u)和第二产生部(13d)，以满足关系式Id＜Iu的方式向所述第一产生部(13u)和所述第二产生部(13d)施加电流，产生垂直磁场以使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间以规定的间隔通过，所述第一产生部(13u)被施加用Iu定义的电流值并被配置在离所述靶(3)近的位置，所述第二产生部(13d)被施加用Id定义的电流值并被配置在离所述被处理体近的位置。
装置以及方法

[发明专利]溅射装置及溅射方法-CN200980123959.1无效
发明人：森本直树;近藤智保;镰田恒吉;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种建设装置，该装置结构简单，成本低廉，在该溅射装置中，可以对具有大高径比的微孔上以良好的覆盖特性成膜。该溅射装置具有设置在真空室2内的一靶3和衬底W，该靶与该衬底相对设置；在所述靶的溅射面3a前方产生隧道状磁场的磁铁组件4、将溅射气体导入于所述真空室内的气体导入装置7，以及对所述靶施加负的电位的溅射电源5。还具备有用以产生一垂直磁场的磁场产生装置11u，11d，该磁场的磁力线M垂直的通过所述靶的溅射面及整个衬底的表面，且磁力线之间有规定的间距。
溅射装置方法

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