专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN202211098574.8在审
  • 糸井清一;生田敬子;樱井大辅 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2022-09-08 - 2023-03-24 - H01L21/60
  • 本公开涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置,该制造方法包括:提供具有电极端子的半导体元件的工序;在半导体元件上形成具有面向电极端子的第1面和与第1面相反的第2面的保护层的工序;提供具有第3面和从第3面突起的突起部的压印模具的工序;以压印模具的第3面与保护层的第2面对置且突起部与电极端子对齐的方式,将压印模具配置在保护层的第2面上,通过将突起部插入保护层而在保护层形成开口部的工序;向保护层施加能量而使保护层固化的工序;使保护层与显影液反应而使开口部沿径向扩展的工序;向开口部填充金属而形成凸块的工序,对保护层进行开口的工序在保护层的第2面与压印模具的第3面之间设置有间隙的状态下进行。
  • 半导体装置制造方法以及
  • [发明专利]固体摄像装置-CN201880060819.3有效
  • 糸井清一;玉利健;樱井大辅;越智正三 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2018-10-01 - 2022-09-23 - H04N5/369
  • 提供一种固体摄像装置,具备固体摄像元件和基板,该基板在上述固体摄像元件的受光面的相反侧的面上通过密封树脂而固定于上述固体摄像元件,从上述固体摄像元件的受光面侧观察到的上述基板的外缘落入上述固体摄像元件的外缘内,从上述固体摄像元件的受光面侧观察到的上述密封树脂的外缘落入上述固体摄像元件的外缘内。另外,上述密封树脂是第一密封树脂,上述固体摄像装置具有第二密封树脂,该第二密封树脂与上述第一密封树脂不接触,且密封上述部件。
  • 固体摄像装置
  • [发明专利]气体传感器装置-CN202110707483.9在审
  • 铃木慎也;糸井清一;末次大辅;野口宪路;高木宣俊 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2021-06-24 - 2022-01-04 - G01N27/12
  • 本公开涉及气体传感器装置。气体传感器装置具备:第一电极;第二电极;金属氧化物层,配置在所述第一电极与所述第二电极之间,与所述第一电极以及所述第二电极相接;层间绝缘膜,覆盖所述第一电极的一部分、所述第二电极的一部分以及所述金属氧化物层的一部分;以及氢透过膜,仅使氢透过,在所述金属氧化物层的内部设置有局部区域,所述局部区域与所述第二电极相接,并且氧不足度大于所述金属氧化物层中的其他区域,在所述层间绝缘膜,设置有使作为所述第二电极的主面的一部分的气体接触部露出的开口部,所述氢透过膜被设置为至少覆盖所述气体接触部。
  • 气体传感器装置
  • [发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202110508199.9在审
  • 玉利健;樱井大辅;糸井清一 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2021-05-10 - 2021-11-23 - H01L23/31
  • 本公开提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置(200)具备:第1基板,具有第1端面和与所述第1端面相反侧的第2端面;多个第1电极,设置在所述第1端面;第2电极,设置在所述第2端面,与贴合在所述第2端面的第2基板的电极电连接;内部布线,设置在所述第1基板的内部,与所述第2电极电连接;多个第3电极,设置在所述第1基板的内部,将所述第1电极和所述内部布线电连接;和应变传感器,设置在所述第1基板的内部,测定在所述第1基板内产生的应变,所述第3电极的线膨胀系数大于所述第1基板的线膨胀系数。
  • 半导体装置以及制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010215487.0在审
  • 糸井清一;樱井大辅 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2020-03-24 - 2020-10-27 - H01L21/60
  • 本公开提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置的制造方法能够实现稳定的形状的突起电极。半导体装置的制造方法包括:树脂形成工序,利用固化树脂覆盖包括多个电极焊盘的半导体元件的表面;突起形成工序,在电极焊盘上形成固化树脂的突起部,并且使突起部固化;树脂供给工序,通过耐镀覆液性树脂覆盖突起部;树脂露出工序,通过除去耐镀覆液性树脂的一部分,使突起部的一部分在耐镀覆液性树脂的表面上露出;溶解工序,通过除去相当于突起部的固化树脂,从而在耐镀覆液性树脂形成空洞部;镀覆工序,在空洞部填充金属;和树脂除去工序,除去耐镀覆液性树脂。
  • 半导体装置及其制造方法

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