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[发明专利]具有改良光吸收效率的前感光式半导体结构及其制作方法-CN201410704352.5在审
发明人：黄森煌;潘焕堃;张义昌;陈经纬 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种具有改善光吸收效率的前感光式半导体结构，其可通过在前感光式半导体结构底层附加一层光反射层来提高光吸收效率；其中，该反射层可在封装过程或半导体工艺中制作。
具有改良光吸收效率感光半导体结构及其制作方法

[发明专利]背照式影像传感器及其制造方法-CN202111018910.9在审
发明人：苏俊铭;锺志平;何明祐 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种背照式影像传感器及其制造方法，其中该背照式影像传感器包括半导体层、第一栅极结构与感光元件。半导体层具有相对的第一表面与第二表面。第一栅极结构设置在第二表面上。感光元件位于半导体层中。感光元件从第一表面延伸至第二表面。
背照式影像传感器及其制造方法

[发明专利]互补式金属氧化物半导体感光组件、防护玻璃模块及制法-CN201910108543.8在审
发明人：李远智;李家铭 -专利权人：同泰电子科技股份有限公司
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种互补式金属氧化物半导体感光组件、防护玻璃模块及制法，其包括一斗状的壳体、一互补式金属氧化物半导体感光芯片、一防护玻璃及一遮光干膜圈，该壳体具有一开口部，该互补式金属氧化物半导体感光芯片设于该壳体内，该防护玻璃密封该壳体的开口部，且该防护玻璃具有一光入射面，该遮光干膜圈设于该防护玻璃的光入射面，且该遮光干膜圈中界定一光学区，该光学区正对该互补式金属氧化物半导体感光芯片。
互补金属氧化物半导体感光组件防护玻璃模块制法

[实用新型]互补式金属氧化物半导体感光组件及防护玻璃模块-CN201920187550.7有效
发明人：李远智;李家铭 -专利权人：同泰电子科技股份有限公司
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种互补式金属氧化物半导体感光组件及防护玻璃模块，其包括一斗状的壳体、一互补式金属氧化物半导体感光芯片、一防护玻璃及一遮光干膜圈，该壳体具有一开口部，该互补式金属氧化物半导体感光芯片设于该壳体内，该防护玻璃密封该壳体的开口部，且该防护玻璃具有一光入射面，该遮光干膜圈设于该防护玻璃的光入射面，且该遮光干膜圈中界定一光学区，该光学区正对该互补式金属氧化物半导体感光芯片。
防护玻璃互补式金属氧化物半导体干膜遮光感光芯片壳体感光组件光入射面光学区开口部本实用新型斗状界定圈设正对成型密封损伤体内

[发明专利]背照式像元结构及其制备方法-CN202211377505.0在审
发明人：李梦 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式像元结构及其制备方法，该背照式像元结构包括半导体衬底，感光单元设于半导体衬底内，且靠近半导体衬底的正表面；金属互连层及介质层叠加覆盖于半导体衬底的正表面；光线入射层覆盖于半导体衬底的背表面；微透镜覆盖于光线入射层；深槽隔离位于半导体衬底内，且位于感光单元旁侧，并靠近半导体衬底的背表面；光线入射层包括金属栅格，且金属栅格与深槽隔离对应设置，金属栅格沿着由底部指向顶部的方向，金属栅格的关键尺寸逐渐缩小因金属栅格的关键尺寸沿着由底部指向顶部的方向逐渐缩小，所以可以有效地将感光单元四周的入射光线折射至微透镜，进而提高微透镜的入射光量，提高量子效率。
背照式像元结构及其制备方法

[发明专利]阵列基板和显示面板-CN202110147331.8有效
发明人：汤富雄;龚帆;艾飞;宋继越 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括衬底基板、开关元件以及感光元件。所述感光元件与所述开关元件相邻设置在所述衬底基板上。所述开关元件包括第一半导体，所述第一半导体设置在所述衬底基板上。所述感光元件包括第二半导体和感光电极，所述第二半导体与所述第一半导体相连且同层设置，所述感光电极设置在所述第二半导体远离所述衬底基板的一侧，且与所述第二半导体连接。其中，所述感光电极与所述第二半导体形成肖特基结。本申请增大了感光元件的有效光敏面积，从而提高了感光元件的灵敏度。
阵列显示面板

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置-CN200880101115.2无效
发明人：内田诚一;小川裕之 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供设置有平坦化层、同时使半导体层上的加工容易的半导体装置的制造方法。通过该方法提供适当地制造的半导体装置以及适当地使用于该制造方法中的曝光装置。本发明的半导体装置的制造方法，其为在基板上具有半导体层、和平坦化层的半导体装置的制造方法，当俯视基板时所述平坦化层为包围半导体层的形状，所述制造方法包括：在基板上形成半导体层的工序；在半导体层上形成感光性有机膜的工序，所述感光性有机膜具有与半导体层的光吸收波段重复的感光波段；和将该感光波段的光从基板侧对感光性有机膜曝光，并对感光性有机膜进行显影而形成平坦化层的工序。
半导体装置制造方法以及曝光

[发明专利]背照式图像传感器及其制备方法-CN202310658626.0在审
发明人：李梦 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式图像传感器及其制备方法，包括具有正表面和背表面的半导体衬底，第一介质层叠加覆盖于所述半导体衬底的正表面，金属互连层设于所述第一介质层中；第二介质层覆盖于所述半导体衬底的背表面；微透镜覆盖于所述第二介质层，且微透镜位置与感光单元相对应；所述感光单元设于所述半导体衬底内，且靠近所述半导体衬底的正表面，所述感光单元的注入深度浅于所述第二介质层的位置；全通隔离沟槽设于所述半导体衬底内，从半导体衬底的正表面向背表面延伸，且位于所述感光单元的旁侧，全通隔离沟槽的注入深度深于所述第二介质层的位置。
背照式图像传感器及其制备方法

[发明专利]一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板-CN202110324963.7有效
发明人：龚帆;艾飞;宋继越 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该阵列基板包括基板和感光元件。所述感光元件设置在所述基板上，所述感光元件包括依次层叠设置的掺杂半导体层、本征半导体层以及透明电极层；其中，所述掺杂半导体层为N型掺杂半导体，所述透明电极层为P型透明电极，或所述掺杂半导体层为P型掺杂半导体通过改进感光元件的内部结构，能够增强本征半导体层入射界面对光线的吸收，从而增强感光元件的灵敏度。
一种阵列基板制程方法显示面板

[实用新型]影像集成电路组合结构-CN200620165761.3无效
发明人：庄培松 -专利权人：庄培松
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种影像集成电路组合结构，其包括感光讯号层及半导体线路层，感光讯号层接收物像影像的光源并转换成相对的影像感光电气讯号输出，该感光讯号层下方设有数个导体接脚，导体接脚供导引输出感光电气讯号；一半导体线路层，其连接于感光讯号层下方，且与感光讯号层下方的各导体接脚连接，以将感光讯号输入至半导体线路层，并通过半导体线路层处理影像电气感光讯号后输出数字影像讯号或资料，具有将物像影像光源行程缩短至最小的功效，降低成本
影像集成电路组合结构

[发明专利]显示设备及其制造方法-CN202210651744.4在审
发明人：朱在焕;姜美在;金根佑;金斗娜;金相燮;金太辉;李度炅;李镕守 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述制造显示设备的方法包括：在有源层上形成具有不同厚度的第一感光图案和第二感光图案；通过使用第一感光图案和第二感光图案作为掩模以蚀刻有源层来形成驱动半导体层和补偿半导体层；通过蚀刻第一感光图案来暴露驱动半导体层的上表面并且通过蚀刻第二感光图案的至少一部分来形成第三感光图案；在驱动半导体层和第三感光图案上形成第一绝缘层；通过剥离第三感光图案来暴露补偿半导体层的上表面；以及在第一绝缘层和补偿半导体层上形成第二绝缘层。
显示设备及其制造方法

[发明专利]多芯片晶圆级封装-CN201210063795.1有效
发明人：余俊辉;董志航;邵栋梁;余振华;史达元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种多芯片晶圆级封装件包括三个堆叠的半导体管芯。第一半导体管芯内嵌在第一感光材料层中。在第一半导体管芯顶面上堆叠第二半导体管芯，其中，第二半导体管芯面对面连接至第一半导体管芯。第三半导体管芯背对背附接至第二半导体管芯。第二半导体管芯和第三半导体管芯内嵌均在第二感光材料层中。多芯片晶圆级封装件进一步包括形成在第一感光材料层和第二感光材料层中的多个通孔。
芯片晶圆级封装

[发明专利]光动能指纹识别模块-CN201510140443.5有效
发明人：巫仁杰;洪浚郎 -专利权人：金佶科技股份有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光动能指纹识别模块，其包括至少一发光单元以及半导体感光阵列。发光单元用以发出感测光束至手指，手指及指纹将感测光束反射为信号光束。半导体感光阵列包括多个排成阵列的半导体感光单元，这些半导体感光单元用以接收自手指反射回来的信号光束并产生多个电信号。每个半导体感光单元自靠近手指的一侧依次包括有抗反射结构、第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层。第一型掺杂半导体层堆叠于抗反射结构及第二型掺杂半导体层之间。
动能指纹识别模块

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201910057957.2有效
发明人：李世平;林以秾;庄志豪;叶益诚;黄国芳;黄文澔;蔡博安 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器，其包括基底、感光元件、半导体层、第一栅极与遮光层。感光元件设置在基底中。半导体层设置在感光元件的一侧的基底上。第一栅极设置在感光元件与半导体层之间的基底上。遮光层覆盖半导体层。基底具有第一导电型，且半导体层具有第二导电型。
影像传感器及其制造方法

[实用新型]光电式空气颗粒物传感器-CN201720344630.X有效
发明人：张伟;张磊 -专利权人：上海雷尼威尔物联网有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光电式空气颗粒物传感器，包括半导体激光器、浓度感光元件、浓度输出运放电路，所述半导体激光器与浓度感光元件对应设置，所述半导体激光器与浓度感光元件之间设置有被测空气腔，所述浓度感光元件的输出端连接至浓度输出运放电路，其特征在于，还包括分布控制电路、分布感光元件阵列、时序电路、分布运放电路、垂直位移器、水平位移器、分布控制器和无线通讯模块。采用透射式结构加遮光结构，既能检测到被测颗粒物的浓度又能通过CMOS摄像器件成像，将数据通过无线通讯模块上传到数据处理中心。
光电空气颗粒传感器

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