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[发明专利]一种高功率LED驱动电路-CN200710041817.3无效
发明人：戚成洲 -专利权人：灿瑞半导体（上海）有限公司
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功率LED驱动电路，一种高功率LED驱动电路，包括采样电阻、旁路滤波电容、振荡频率调整电容、驱动IC、快恢复二极管、储能电感，所述的采样电阻、旁路滤波电容、振荡频率调整电容均与驱动IC的输入端连接，所述的快恢复二极管、储能电感均与驱动IC的输出端连接。
一种功率 led 驱动电路

[发明专利]一种快恢复硅整流二极管芯片的制造方法-CN200710078012.6无效
发明人：程勇;孙建华 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复硅整流二极管芯片的制造方法，涉及硅整流二极管，尤其涉及其芯片的制造方法，方法包括以下工序：选取硅单晶片、硅片清洗、磷扩散、磨片、硼扩散、二次磷扩散、磷面蒸金、金扩散、硼面轻喷砂、蒸铝本发明的快恢复硅整流二极管芯片的制造方法，在工艺流程中加入二次磷扩散、磷面蒸金、金扩散3个工序，使得N型硅中扩散杂质浓度发生改变，使N型硅与铝接触形成几乎完全的欧姆接触，并提高了生产的芯片性能；用本方法制造的玻璃钝化快恢复硅整流二极管芯片，在大电流下，正向压降得到降低的同时，恢复时间可达到30ns以下，并使产品的可靠性得到保证，能使正向压降小于0.875V；生产出的芯片体积小、重量轻、可靠性高、耐温度冲击。
一种恢复整流二极管芯片制造方法

[发明专利]一种光纤模拟量传输装置-CN201510147911.1有效
发明人：唐臻宇;周新志 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：本发明涉及信号传输领域，特别涉及一种光纤模拟量传输装置，包括发送装置、接收装置以及分光器；所述发送装置包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、发光二极管以及第一光敏二极管；所述发光二极管、第一光敏二极管和分光器均设置有光纤接口；所述接收装置包括第二光敏二极管、第三电阻以及电压跟随器；所述第二光敏二极管设置有光纤接口；本发明提供的模拟量传输装置采用全模拟电路，受干扰后恢复快，电路简单；同时发送装置与接收装置之间采用光纤连接，可根据实际需要调整光纤长度
一种光纤模拟传输装置

[发明专利]半导体电路-CN202111097863.1在审
发明人：冯宇翔;谢荣才;张土明;左安超 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体电路，包括散热基板、绝缘层、线路层和多个电子元件，多个电子元件包括PFC驱动芯片、整流电路、PFC开关管、续流二极管和快恢复二极管，其中线路层分为强电区和弱电区，PFC驱动芯片设置于弱电区，整流电路、PFC开关管和快恢复二极管设置于强电区。通过将PFC电路独立设置于半导体电路的模块中，并且在线路层分成强电区和弱电区，二者独立区分，以此有效的减少强电区域对弱电区域的干扰，且可以独立的设置针对PFC电路的各种保护功能，以此有效的减少PFC电路的占用体积
半导体电路

[实用新型]半导体电路-CN202122269983.7有效
发明人：冯宇翔;谢荣才;张土明;左安超 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体电路，包括散热基板、绝缘层、线路层和多个电子元件，多个电子元件包括PFC驱动芯片、整流电路、PFC开关管、续流二极管和快恢复二极管，其中线路层分为强电区和弱电区，PFC驱动芯片设置于弱电区，整流电路、PFC开关管和快恢复二极管设置于强电区。通过将PFC电路独立设置于半导体电路的模块中，并且在线路层分成强电区和弱电区，二者独立区分，以此有效的减少强电区域对弱电区域的干扰，且可以独立的设置针对PFC电路的各种保护功能，以此有效的减少PFC电路的占用体积
半导体电路

[实用新型]超快恢复外延二极管-CN201220314748.5有效
发明人：沈富德 -专利权人：江苏矽莱克电子科技有限公司
申请日： 2012-06-30 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超快恢复外延二极管，包括封装外壳以及嵌入外壳内的DCB板，所述的DCB板上直接设置有两个快恢复二极管芯片，所述的芯片通过邦定丝连接形成两个独立的电路，其功能端通过镀金铜针引出。
恢复外延二极管

[发明专利]一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构-CN202111246272.6在审
发明人：伍伟;李岩松;陈勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC‑IGBT结构，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，刻蚀RC‑IGBT的集成二极管区域的IGBT栅极与集成二极管阳极之间的部分SiO2氧化层，并利用阻挡层金属将IGBT器件的P型基区与P+发射区短接，同时缩短二极管区域内P+发射区长度，从而降低了集成二极管阳极有效载流子浓度，减小集成二极管阳极载流子注入效率，减少N漂移区在二极管导通中所存储的载流子数量，最终达到降低集成二极管反向恢复电流峰值以及反向恢复损耗的目的。
一种降低集成二极管反向恢复损耗 rc igbt 结构

[实用新型]一种软恢复续流的二极管-CN201420656294.9有效
发明人：黄福仁;黄赛琴;戴峰 -专利权人：福建安特微电子有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种软恢复续流的二极管，所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构，所述的缓冲层结构为：在基区的N区从上至下依次设置有N₁区和N₂区；在基区的本实用新型的二极管的反向恢复时间快，耐压性好；在高频应用方面具有稳定的开关特性。
一种恢复二极管

[发明专利]一种快恢复二极管芯片及其制备方法-CN202110279340.2有效
发明人：严毅琳;马文力;陆婉玥 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了快恢复二极管芯片技术领域内的一种快恢复二极管芯片及其制备方法。该二极管芯片包括衬底和背面金属电极，衬底上设置有源区和终端区，衬底上还设置有若干个压敏电阻条，若干个压敏电阻条分布设置于终端区的外围，每个压敏电阻条两端均设有压敏条电极；衬底底面设置有凹槽，背面金属电极设置于凹槽内且位于源区正下方该二极管芯片集成有压敏电阻条，压敏电阻条在工作时与快恢复源区有相似的工作环境，从而实现对二极管芯片工作时的压力监控。
一种恢复二极管芯片及其制备方法

[实用新型]用于高压电动机调速转子侧控制的并联斩波器-CN200820161442.4有效
发明人：张建兴 -专利权人：江苏方程电力科技有限公司
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H02P25/02 文献下载
摘要：包括平波电抗器L1、L2，绝缘栅双极晶体管S1、S2，快恢复二极管D1、D2和电容器C1、C2，平波电抗器L1和L2的一端并联，L1的另一端同绝缘栅双极晶体管S1正端和快恢复二极管D1的阳极连接，L2的另一端同绝缘栅双晶体管S2正端和快恢复二极管D2的阳极连接，快恢复二极管D2的阴极与电容器C2的正端连接，绝缘栅双晶体管S1的负端和绝缘栅双极型晶体管S2的负端与电容器C1的负端和电容器C2的负端连接一起接到并联斩波器输出的负极端本实用新型可以保证每路并联回路的绝缘栅双极晶体管电流的大小基本一致。
用于高压电动机调速转子控制并联斩波器

[实用新型]一种高压、快恢复整流硅堆-CN201020643613.4有效
发明人：李志明 -专利权人：西安卫光科技有限公司
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L25/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压、快恢复整流硅堆，包括组装管芯，所述组装管芯包括若干串联玻封二极管，该等玻封二极管的玻璃外壳外周包覆一层硅橡胶，所述组装管芯和硅橡胶被环氧树脂包覆。本实用新型一种高压、快恢复整流硅堆通过在玻封二极管的玻璃外表面涂覆一层硅橡胶，利用硅橡胶的弹性、消除了由于温度变化玻璃与环氧树脂的膨胀系数的差异导致玻璃开裂、硅堆致命失效的问题，提高了产品质量的稳定性，
一种高压恢复整流

[实用新型]一种能吸收反压尖峰的开关电源电路-CN201120441053.9有效
发明人：陈建化;李新义;周伟宏;卢鉴恩;顾青松;任蓬勃;曾剑锋;凌艳光 -专利权人：美的集团有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：其中反压吸收电路由第一吸收电阻R1、第一吸收电容C1、第一稳压二极管ZD1、第一超快恢复二极管D1组成。第一吸收电阻R1、第一吸收电容C1、第一稳压二极管ZD1相并联，第一超快恢复二极管（D1）的阴极与第一稳压二极管（ZD1）的阴极相连接。
一种吸收尖峰开关电源电路

[发明专利]一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法-CN201310410822.2有效
发明人：高勇;谢加强;马丽;王秀慜 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从下到上依次设置有阴极N+区、耐压层和阳极P+区，耐压层由复合结构成，复合结有L型N-柱和L型P-柱构成。其中，阳极P+区为重掺杂Si材料；耐压层复合结结构区采用新型复合结Si材料结构，掺杂浓度较常规PiN二极管高一个数量级；阴极区采用N+掺杂结构。本发明还公开了一种快速软恢复功率开关二极管的制备方法，与常规PiN二极管的不同之处在于，复合结结构中引入了横向和纵向交替内建电场。二极管的反向恢复峰值电流较常规的PiN二极管和超结二极管大大减小，反向恢复时间很大程度上缩短了，该新型复合结结构的快速软恢复功率开关二极管便能够更好的适用于高频电路应用中。
一种快速恢复功率开关二极管及其制备方法

[发明专利]二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器-CN201910867046.6在审
发明人：陈东;石磊;王朝辉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请提供了一种二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器，该二极管分立器件用于带旁路功能的电路，该二极管分立器件包括：分立器件封装体、第一二极管与第二二极管；其中，所述第一二极管为主电路二极管，所述第二二极管为旁路二极管，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。该二极管分立器件能够提高电路的集成度和功率密度。
二极管分立器件电路阴极反向恢复旁路功能阳极二极管封装旁路二极管变换器封装体集成度电荷封装体内申请

[发明专利]防栅极驱动信号振荡电路-CN200910047467.0无效
发明人：莫锦秋;梁庆华;王石刚;范进秋;张斌 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种电源技术领域的防栅极驱动信号振荡电路，包括驱动芯片、栅极串联小电阻、高端开关管、低端开关管、栅源极并联电阻、双向稳压二极管、快速恢复二极管、限流电阻、二极管、电容。驱动芯片输出信号通过栅极串联小电阻到达高端开关管栅极，低端开关管、栅源极并联电阻和双向稳压二极管并联，栅极串接小电阻两端并联一个由快速恢复二极管和限流电阻组成的串联支路，快速恢复二极管的阳极和限流电阻相连，低端开关管源级与栅源极并联电阻之间并联一个由多个二极管和电容组成的串联支路，二极管与电容之间接参考地。
栅极驱动信号振荡电路