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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510556172.1有效
发明人：大田刚志;堀阳一;山下敦子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置包括：n型SiC衬底；n型SiC层，设置在SiC衬底上，具有第一表面，且n型杂质浓度比SiC衬底低；多个p型第一SiC区域，设置在SiC层的第一表面；多个p型第二SiC区域，设置在第一SiC区域的各者中，且p型杂质浓度比第一SiC区域高；多个硅化物层，设置在第二SiC区域的各者上，在第二SiC区域的相反侧具有第二表面，且SiC衬底到第二表面的距离与SiC衬底到第一表面的距离的差量为0.2μm以下；第一电极，与SiC层及硅化物层相接地进行设置；以及第二电极，与SiC衬底相接地进行设置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅肖特基二极管-CN201780086430.1有效
发明人： S·迪米特里杰夫;J·韩 -专利权人：格里菲斯大学
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅肖特基二极管，包括N型SiC层和P型SiC层，该P型SiC层与该N型SiC层接触形成P‑N结。阳极与N型SiC层和P型SiC层都接触，在阳极与N型SiC层和P型SiC层之间都形成肖特基接触。P型SiC层的边缘具有电活性，并且包括P‑N结处的锥形负电荷密度，可以通过P型SiC层的锥形或倾斜边缘实现。
碳化硅肖特基二极管

[发明专利]SiC纤维增强的燃料芯块及其制备方法-CN201810521365.7有效
发明人：马赵丹丹;李锐;薛佳祥;黄华伟;刘彤 -专利权人：广东核电合营有限公司;中广核研究院有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G21C3/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC纤维增强的燃料芯块及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、将SiC纤维进行编织，分别形成第一SiC纤维层和具有预定孔隙的SiC纤维网；S2、将SiC粉末和TRISO颗粒混合，在TRISO颗粒上形成SiC包覆层；S3、将TRISO颗粒放入SiC纤维网的孔隙中；S4、再加入SiC纤维进行编织并将SiC纤维拉紧，TRISO颗粒固定镶嵌在SiC纤维网中，与SiC纤维网形成第二SiC纤维层；S5、将多个第二SiC纤维层进行叠置，并在相对两侧分别放置第一SiC纤维层，压制成生坯；S6、将生坯进行致密化烧结，制得SiC纤维增强的燃料芯块。本发明采用编织工艺，将SiC纤维编织成网状结构，再将TRISO颗粒镶嵌在SiC纤维网中，经过压制烧结制成具有高热导率和优异机械性能的燃料芯块，提高燃料芯块的综合性能。
sic 纤维增强燃料及其制备方法

[发明专利]具有降低的晶体应力的大尺寸碳化硅单晶材料-CN202180093803.4在审
发明人： Y·赫列布尼科夫;V·R·萨哈卡;C·A·肯特;V·F·茨维特科夫;M·J·佩斯利;O·克拉马连科;M·D·康拉德;E·德尼卡;S·格里菲斯;S·布贝尔;A·R·鲍威尔;R·T·伦纳德;E·巴尔卡斯;C·普罗格尔;M·富斯科;A·谢维德;K·多维斯皮柯;L·纳特曼 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：公开了包括SiC晶片和SiC晶锭的碳化硅(SiC)材料和相关方法，其提供具有降低的晶体应力的大尺寸SiC晶片。SiC材料的生长条件包括保持SiC晶体的大体上凸形的生长表面、调节生长的SiC晶体的前侧到后侧热分布中的差异、供应足够的源通量以允许SiC晶体的商业上可行的生长速率以及减少SiC源材料和对应的SiC晶体中污染物或非SiC颗粒的包含。通过形成表现出较低晶体应力的较大尺寸SiC晶体，可减小与缺失的或附加的原子平面相关联的总位错密度，从而提高晶体质量和可用的SiC晶体生长高度。
具有降低晶体应力尺寸碳化硅材料

[实用新型]一种SiC射频LDMOS器件-CN202122251305.8有效
发明人：黄安东 -专利权人：苏州华太电子技术有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC射频LDMOS器件。所述LDMOS器件包括SiC衬底和设置于SiC衬底上的第一掺杂类型的SiC外延层；所述SiC外延层包括LDMOS器件有源区，所述LDMOS器件有源区与所述SiC外延层、SiC衬底导热连接。本实用新型中的SiC射频LDMOS器件采用SiC衬底和SiC外延层，显著地增加了沟道载流子饱和速度和击穿电压，有效地提升了射频输出功率、效率、线性度、鲁棒性、工作频率以及散热特性。
一种 sic 射频 ldmos 器件

[发明专利]SiC衬底的制造方法-CN202080055175.6在审
发明人：金子忠昭;小岛清 -专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题是提供一种新颖的SiC衬底的制造方法。根据本发明的SiC衬底的制造方法的特征在于包括：蚀刻步骤(S10)，蚀刻SiC原衬底(10)；晶体生长步骤(S20)，在SiC原衬底(10)上使SiC衬底层(13)生长来获得SiC衬底体(20)；以及剥离步骤(S30)，剥离SiC衬底体(20)的一部分来获得SiC衬底(30)，蚀刻步骤(S10)和晶体生长步骤(S20)是将SiC原衬底(10)和SiC材料(40)对置并进行加热使得在SiC原衬底(10)和SiC
sic 衬底制造方法

[发明专利]一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法-CN201810953446.4在审
发明人：李斌斌;黄海泉;毛帮笑 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料领域，制备的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷材料具有强度高，韧性好，密度小，耐高温，孔径分布均匀等优点。该复合材料包括SiC纳米线和SiC多孔陶瓷基体，所述超长SiC纳米线通过原位自交联生长组成SiC多孔陶瓷基复合材料预制件，所述的SiC纳米线预制件中的超长SiC纳米线相互缠绕，交联成空间网状结构，所述的SiC多孔陶瓷基体填充于超长SiC纳米线的孔隙中；制备方法包括SiC纳米线预制件的制备、化学气相浸渗、先驱体浸渍烧结，该制备方法工艺简单，设备要求低，成本低，环保。
制备多孔陶瓷复合材料多孔陶瓷基体预制件复合材料预制件陶瓷基复合材料多孔陶瓷材料空间网状结构制备方法工艺浸渍孔径分布设备要求耐高温先驱体自交联烧结浸渗填充缠绕生长环保

[发明专利]一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201711330587.2在审
发明人：李斌斌;袁小森;廖家豪;陈照峰;饶志远 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料领域，制备的SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料具有强度高，韧性好，密度小，耐高温等优点。该复合材料包括超长SiC纳米线和SiC陶瓷基体，所述超长SiC纳米线通过原位自交联生长组成SiC陶瓷基复合材料预制件，所述的SiC纳米线预制件中的超长SiC纳米线相互缠绕，交联成空间网状结构，所述的SiC陶瓷基体填充于超长SiC纳米线的孔隙中；制备方法包括SiC纳米线预制件的制备、化学气相浸渗、先驱体浸渍裂解，该制备方法可以制备复杂构件，制备方法工艺简单，设备要求低，成本低，环保。
制备陶瓷基复合材料预制件陶瓷基体先驱体浸渍裂解空间网状结构制备方法工艺复杂构件设备要求复合材料耐高温自交联浸渗填充缠绕生长环保

[发明专利]一种SiC MOSFET信号输入端双向全端口静电防护模块和制备方法-CN202211606976.4在审
发明人：杨帆;姜一波;吴瑕 -专利权人：江苏庆延微电子有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET信号输入端双向全端口静电防护模块，包括SiC外延区域与SiC衬底、漏极背金、有侧墙多晶硅、无侧墙多晶硅栅、源极引出金属、栅极连接金属，所述SiC外延片由标准SiC MOSFET工艺制备，所述SiC外延片包括SiC衬底以及SiC衬底之上的掺杂的SiC外延区域，其中SiC外延区域包括SiC N‑漂移区、SiC NSL电流扩散层、JFET区域、Pwell区域、Pbase区域，P++本发明构建了针对SiC MOSFET信号输入端的双向全端口静电防护装置，形成了针对栅源正负静电电荷、栅漏正负静电电荷四种类型静电冲击的全端口防护。
一种 sic mosfet 信号输入双向端口静电防护模块制备方法

[发明专利]一种C/C复合材料表面抗1600℃风洞燃气冲刷涂层及其制备方法和应用-CN202211247998.6有效
发明人：强新发;杨梓;付华宇;尹文康;李邵楠;周磊;赵维晨;赵雯娴;郁隽琦 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种C/C复合材料表面抗1600℃风洞燃气冲刷涂层，从内到外依次包括C/C复合材料、一层内层SiC纳米线增韧SiC涂层和至少两层外层SiC纳米线增韧SiC涂层；内层SiC纳米线增韧SiC涂层的厚度相当于外层SiC纳米线增韧SiC涂层的厚度的2倍。本发明在制备外层SiC纳米线增韧SiC涂层时，无需催化剂，在致密化、光滑的内层SiC纳米线增韧SiC涂层表面上原位生长出SiC纳米线，获得的涂层具有优异的抗动态氧化、耐高温燃气冲刷性能。
一种复合材料表面 1600 风洞燃气冲刷涂层及其制备方法应用

[发明专利]半导体装置-CN201610645271.1在审
发明人：大桥辉之;饭岛良介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备SiC基板、设置在SiC基板上且在表面侧具有沟槽的SiC层、设置在SiC层内的第1导电型的第1SiC区域、设置在第1SiC区域与SiC基板之间的第2导电型的第2SiC区域、设置在第2SiC区域与SiC基板之间的第1导电型的第3SiC区域、设置在沟槽的侧面上以及底面上的栅极绝缘膜、以及设置在栅极绝缘膜上的栅极电极，第2SiC区域和第3SiC区域之间的边界位于沟槽的侧面的侧方，边界具有第一区域，该第一区域距SiC层表面的距离随着远离沟槽而变大，距沟槽的侧面的距离为0μm以上且0.3μm以下。
半导体装置

[发明专利]SiC晶体生长装置及方法-CN202010240314.4在审
发明人：邓树军;张洁;汪良;付芬 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC晶体生长装置及方法，涉及SiC晶体制备技术领域，包括饼形坩埚和加热机构；饼形坩埚包括中空的内腔，内腔的中心设置有SiC晶体棒，SiC晶体棒的两端分别与内腔的上端面和下端面抵接；内腔的周向设置有SiC原料，且SiC原料和SiC晶体棒之间具有间隙；加热机构设置在所述饼形坩埚的外部，用于构建从SiC原料到SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场，以使SiC原料加热升华后的气体能够向SiC晶体棒方向扩散，并沉积在SiC晶体棒的侧壁上，使SiC晶体棒在侧向上生长变大，从而将小尺寸SiC晶体棒生长成大尺寸晶体，不需要多次更换坩埚扩径，良品率高，扩径时间短。
sic 晶体生长装置方法

[发明专利]一种SiC纳米线改性SiC-ZrC涂层的高导热石墨材料及制备方法-CN202310311789.1在审
发明人：杨程;曾晨;徐平;钟静;宋伟杰;王新华;黄斌;刘金平 -专利权人：湖南长宇科技发展有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B41/70 文献下载
摘要：本申请涉及高导热石墨材料制备领域，针对SiC‑ZrC陶瓷涂层以及氧化后形成的Zr‑Si‑O氧化物防护层与石墨基底间的热膨胀系数差异会影响涂层与石墨间的结合，降低涂层的热防护效果，本申请公开了一种SiC纳米线改性SiC‑ZrC涂层的高导热石墨材料，包括基底、过渡内层和外涂层；基底为高导热石墨，过渡内层为SiC纳米线组成的网络层，外涂层为SiC‑ZrC涂层，且SiC纳米线直接生长在高导热石墨基底表面，SiC‑ZrC外涂层包裹SiC纳米线、且填满网络层的孔隙，获得致密的SiC纳米线改性SiC‑ZrC涂层的高导热石墨材料，本发明提出的SiC纳米线改性SiC‑ZrC涂层的高导热石墨，具有远优于单一高导热石墨和无SiC纳米线改性SiC‑ZrC涂层高导热石墨的耐烧蚀性能。
一种 sic 纳米改性 zrc 涂层导热石墨材料制备方法

[发明专利]一种多小区SIC调度方法和装置-CN201510608432.5有效
发明人：王化磊;易芝玲;邢成文;费泽松;陈偲艺;姬祥 -专利权人：中国移动通信集团公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H04B1/7097 文献下载
摘要：本发明公开了一种多小区SIC调度方法和装置，用以针对多小区多用户的应用场景下实现SIC调度，并降低SIC调度方法的复杂度，减少网络传输时延。多小区SIC调度算法，包括：针对传输网络中的每一基站，分别确定该基站对应的至少一个SIC簇，所述SIC簇由基站和UE集合组成；针对每一SIC簇，根据预设算法确定该SIC簇的权重值；针对传输网络中的任两个SIC簇，分别判断该两个SIC簇是否冲突；根据判断结果，以各SIC簇为顶点，连接冲突的SIC簇作为边组成传输网络对应的传输图；根据各SIC簇的权重值和传输图，选择彼此不冲突且权重值之和最大的SIC簇中所包含的
一种小区 sic 调度方法装置

[发明专利]一种陶瓷基复合材料应力氧化环境剩余拉伸强度预测方法-CN201910198163.8有效
发明人：孙志刚;陈西辉;李宏宇;宋迎东;牛序铭 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷基复合材料应力氧化环境剩余拉伸强度预测方法，包括确定单向SiC/SiC复合材料SiC基体饱和裂纹间距与SiC基体裂纹平均间距随应力变化规律；确定SiC基体裂纹宽度随应力、温度的变化规律；得到不同时刻材料内部不同位置处的氧气浓度，求得界面消耗长度、SiC纤维在裂纹处表面氧化层厚度随应力、温度与时间的变化规律；得到SiC纤维轴向应力分布；确定SiC纤维表面氧化缺陷尺寸；推导SiC纤维特征强度分布表达式；推导SiC纤维断裂概率表达式；得到桥连SiC纤维中的最大应力；求解一定温度、应力、氧化时间下SiC纤维断裂概率；得到材料的剩余强度；本发明准确的预测出单向SiC/SiC复合材料在每一时刻、每个温度与拉伸应力水平下的剩余拉伸强度
剩余拉伸陶瓷基复合材料变化规律断裂概率强度预测氧化环境复合材料推导拉伸应力水平应力变化规律表面氧化层表面氧化材料内部强度分布轴向应力位置处桥连求解氧气饱和消耗预测