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[发明专利]交流发光装置及其制法-CN200810172757.3有效
发明人：林明德;颜玺轩;叶文勇;林明耀;黄胜邦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种交流发光装置及其制法，该交流发光装置包括：基材；交流微晶粒发光模块，形成于该基材上，至少具有两个微晶粒，且每个微晶粒均至少具有两层的主动层；以及导电结构，电性连接各微晶粒，使各微晶粒的各主动层可依交流电正负半波轮流发光本发明的交流发光装置利用每一微晶粒均具有至少两层主动层，使各微晶粒的各主动层可依交流电正负波轮流发光，实现全发光面积可全时发光、均匀地发光，同时不使用荧光粉，并可缩小发光装置的体积，获得更好的混光及全时发光效果
交流发光装置及其制法

[发明专利]交流发光装置及其制法-CN200610067030.X有效
发明人：林明德;颜玺轩;叶文勇;林明耀;黄胜邦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种交流发光装置及其制法，该交流发光装置包括：基材；交流微晶粒发光模块，形成于该基材上，至少具有两个微晶粒，且每个微晶粒均至少具有两层的主动层；以及导电结构，电性连接各微晶粒，使各微晶粒的各主动层可依交流电正负半波轮流发光本发明的交流发光装置利用每一微晶粒均具有至少两层主动层，使各微晶粒的各主动层可依交流电正负波轮流发光，实现全发光面积可全时发光、均匀地发光，同时不使用荧光粉，并可缩小发光装置的体积，获得更好的混光及全时发光效果
交流发光装置及其制法

[发明专利]一种交流发光二极管-CN201010587006.5无效
发明人：何建波;易贤;杨新民;靳彩霞;董志江 -专利权人：武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种将AC电流经过转换，形成DC电流输出，并且可提升整片LED的发光效率的交流发光二极管，本发明所述一种交流发光二极管，包括第一微晶粒、第二微晶粒、第三微晶粒、第四微晶粒，所述微晶粒包括衬底层、反射层、透明导电层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和钝化层，所述钝化层设在微晶粒表面和侧面，所述衬底层正面设有第一半导体层，所述衬底层底面设有反射层，所述透明导电层与第二半导体层连接。
一种交流发光二极管

[发明专利]一种氧化铝基微晶陶瓷颗粒及其制备方法和应用-CN202010218963.4有效
发明人：张立;焦秀玲;陈代荣;刘洋 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：本申请提出了一种氧化铝基微晶陶瓷颗粒及其制备方法和应用，其中，一方面，本申请提出了一种氧化铝基微晶陶瓷颗粒，包括若干氧化铝微晶粒和若干晶粒间相，相邻的氧化铝微晶粒之间通过所述晶粒间相的过渡连接使得氧化铝基微晶陶瓷颗粒形成类单晶结构，所述氧化铝基微晶陶瓷颗粒中不存在任何非晶物质。本申请氧化铝基微晶陶瓷颗粒在晶粒间相的作用下形成了类单晶结构，极大地提高了氧化铝晶粒间的结合力，且使得氧化铝微晶的微观结构更致密，进而有效地提高了氧化铝微晶陶瓷颗粒的硬度和单颗粒抗压强度。
一种氧化铝基微晶陶瓷颗粒及其制备方法应用

[发明专利]铸钢件钢水中加入微粉的方法-CN201210517926.9无效
发明人：昌月军 -专利权人：青岛美璞精工机械有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： B22D11/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种将金属微粉作为形核剂，在钢水浇铸之前或者凝固之前加入钢水中，得到具有细小晶粒的连铸胚，所述金属微粉的平均粒径小于20um，金属微粉的加入量为浇铸钢水量的0.05%-5%，上述金属微粉为与钢水同钢种的微粉和电解纯铁微粉的混合物该方法操作简单，金属微粉与浇铸钢水具有相同的化学成分，具有细小晶粒的金属微粉加入到钢水中，经过形核和凝固，得到具有细小晶粒的连铸胚，改善了连铸胚的组织结构，降低了晶粒尺寸，增加了晶粒数量。
铸钢件钢水入微方法

[发明专利]微晶粒阿胶胶囊及其低温制备方法-CN200410028511.0无效
发明人：邓昌沪 -专利权人：苏少宁
申请日： 2004-03-05 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： A61K35/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶粒阿胶胶囊及其低温制备方法，微晶粒阿胶胶囊是由微晶粒阿胶和空心胶囊组成，微晶粒阿胶的制备方法是由矩形块状的阿胶和二氧化碳流体同时投入至隔热保温的容器中，将高速剪切器置于该隔热保温容器中，启动高速剪切器剪切，或将矩形块状的阿胶和预冷却的药用硅油同时投入至隔热保温的容器中，将高速剪切器置于该隔热保温容器中，启动高速剪切器剪切，剪切制至微晶粒阿胶。
晶粒阿胶胶囊及其低温制备方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管制造方法-CN201210004411.9有效
发明人：许民庆;吴钊鹏;庄涂城;余鸿志;吴宏哲 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明为一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，该方法为在一基板上形成一非晶硅层，接着对该非晶硅层进行去氢处理，此时即使非晶硅层成为一微晶粒状，其后在该微晶粒状的非晶硅层上再形成一层未微晶粒化的非晶硅层，再接着对该非晶硅层上进行去氢处理使非晶硅层也成为一微晶粒状，然后继续重复形成该非晶硅层并进行去氢处理，以形成多层微晶粒状的非晶硅层，最后再进行一准分子激光退火工艺，使该多层微晶粒状的非晶硅层结晶成为一多晶硅层，其中该多晶硅层因为经过预处理成为多层微晶粒状的非晶硅层后再进行准分子激光退火工艺，使多晶硅层之晶粒变得更大，因此载子迁移率也变大。
低温多晶薄膜晶体管制造方法

[发明专利]考虑应变率的晶体金属材料直角微切削建模方法及系统-CN202210652273.9在审
发明人：宋清华;冀寒松;赵有乐;刘战强;王兵;杜宜聪 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了考虑应变率的晶体金属材料直角微切削建模方法及系统；其中所述方法，包括：定义微切削工况；基于微切削工况对工件实现晶粒尺度微结构建模，得到工件微结构模型；基于微切削工况，定义考虑应变率效应的晶粒尺度微切削材料行为，得到本构模型；基于本构模型，对不同应变率范围下的晶粒尺度本构参数进行标定；基于微切削工况、工件微结构模型、本构模型以及本构参数，建立晶粒尺度直角微切削有限元仿真模型，实现考虑应变率效应的晶体材料微切削过程的模拟
考虑应变晶体金属材料直角切削建模方法系统

[发明专利]微发光二极体显示器及其封装方法-CN202011527843.9有效
发明人：范佳铭;陈伯纶;陈俊达;林柏青;许雅筑;黄乾祐;高秉详 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种微发光二极体显示器及其封装封法。此微发光二极体显示器包含基板、数个微发光二极体晶粒、以及封装膜。基板包含线路。微发光二极体晶粒设于基板之表面上且与线路电性连接。每个微发光二极体晶粒之出光面设有至少一微结构，每个微结构包含顶端。封装膜包覆这些微发光二极体晶粒，并覆盖基板之表面。这些微结构之顶端位于封装膜之出光面中。藉此，微发光二极体晶粒可完整地包覆于封装膜中，而可强化微发光二极体晶粒在基板上的稳定性，并可使微发光二极体显示器之表面平整化，进而可提升微发光二极体显示器之显示品质。
发光二极体显示器及其封装方法

[发明专利]小晶粒等级孔SAPO-34@高岭土微球催化剂及其制备和应用-CN201810357940.4有效
发明人：刘海燕;张丽娜;鲍晓军 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： B01J29/85 文献下载
摘要：本发明提供了一种小晶粒等级孔SAPO‑34@高岭土微球催化剂及其制备和应用。该制备方法包括如下步骤：制备得到高岭土微球，经焙烧后得到活化的高岭土微球；将所述活性高岭土微球、水、磷源、微孔模板剂和介孔模板剂混合制备得到反应物凝胶；对所述反应物凝胶进行晶化处理，离心分离，得到小晶粒等级孔SAPO‑34@高岭土微球复合材料；对所述小晶粒等级孔SAPO‑34@高岭土微球复合材料进行焙烧处理，得到所述小晶粒等级孔SAPO‑34@高岭土微球催化剂。该SAPO‑34@高岭土微球催化剂中SAPO‑34分子筛含量高、晶粒小，并且具有等级孔；与不加介孔模板剂所得的产物相比，其具有更高的原位产物的收率。
晶粒等级 sapo 34 高岭土催化剂及其制备应用

[发明专利]具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构及其方法-CN200810007253.6无效
发明人：杨文焜;张瑞贤;王东传 -专利权人：育霈科技股份有限公司
申请日： 2008-02-20 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明系提供具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构及其方法。本具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构包含基板，其具有形成于基板上层内之晶粒接收凹孔，其中终端垫系形成于基板之上表面上，与微透镜同平面。晶粒系藉由黏胶设置于晶粒接收凹孔内，而介电层系形成于晶粒及基板上。重分布金属层(RDL)系形成于介电层上且耦合至晶粒。开孔系形成于介电层及顶部保护层内以暴露晶粒之微透镜区域以用于影像传感器芯片。保护层(膜)系涂布于微透镜区域上，其具有防水及防油性以避免粒子污染。涂布有红外线滤光片之透明盖系选择性形成于微透镜区域上以用于保护。
具有晶粒接收晶圆级影像传感器封装结构及其方法

[发明专利]叠层布线和利用该叠层布线的半导体器件及其制造方法-CN200710088746.2有效
发明人：田中淳;加纳博司 -专利权人：日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅TFT(薄膜晶体管)中，微晶硅薄膜被构造，使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少；或者使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的50％或更小的晶粒，总计为构成微晶硅薄膜的晶粒总数的85％或更多。
布线利用半导体器件及其制造方法

[发明专利]微晶粒加工设备及微晶粒加工方法-CN202210171356.6在审
发明人：陈鸿隆;洪文庆 -专利权人：雷杰科技股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶粒加工设备，适于对透明载板上的多个微晶粒进行加工。此微晶粒加工设备包括移动式载台、光学修整模块、光罩微缩投影扫描光学模块、摄影装置及控制单元，其中光罩微缩投影扫描光学模块包括移动式光罩及扫描振镜模块。移动式载台适于承载透明载板。本发明另提出一种微晶粒加工方法。
晶粒加工设备方法

[发明专利]一种提高光电元件耦合容忍度的方法-CN200510091899.3无效
发明人：何充隆;刘一鸣;林恭政;洪朝基;黄雍勋;杨智超;林佳儒;何文章;廖枝旺 -专利权人：中华电信股份有限公司
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：一种提高光电元件耦合容忍度的方法，其通过半导体制作工艺，如微影、沉积、镀着、蚀刻等，在光电元件晶粒上形成一定位及固定用之微球透镜嵌座(Micro Ball－lensSocket)，嵌座中心对应光电元件晶粒的光耦合或输出中心；将微球透镜嵌入晶粒上之微球透镜嵌座后，微球透镜即自动对准晶粒的光耦合或输出中心；通过整合适当之微球透镜，光电元件的后续封装光学耦合容忍度可扩大数倍，甚至可在无特性监测、不倚赖光学对准之状况下，完成光学耦合
一种提高光电元件耦合容忍度方法

[发明专利]一种利用高炉熔渣生产泡沫微晶玻璃板材的方法及其设备-CN201410207238.1有效
发明人：吴克诚;陈怀冰;杨洋 -专利权人：北京璞晶科技有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明属于冶金和无机非金属材料领域，提供一种利用高炉熔渣生产泡沫微晶玻璃的方法。该方法步骤如下：(1)高炉熔渣转移至成分调质搅拌池，加入改质剂，搅拌均匀，保证熔渣温度；(2)熔渣转移至澄清池，加入澄清试剂，搅拌均匀，保持熔渣温度；(3)熔渣进入水淬池，被水淬成微晶粒料；(4)微晶粒料烘干研磨后，筛分出粒度大小不同的微晶粒料；(5)合格微晶粒料中加入发泡剂，并搅拌均匀；(6)微晶粒料铺在棚板上，进入核化区保温一段时间；(7)进入晶化区保温一段时间；(8)进入降温区冷却，得到成品泡沫微晶玻璃。
一种利用高炉生产泡沫玻璃板材方法及其设备

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