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[发明专利]<110>无位错硅单晶的制造方法-CN200610129891.6有效
发明人：沈浩平;汪雨田;胡元庆;尚伟泽;周建华;李翔;李海静 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的拉晶工艺，特别涉及一种适用于半导体和太阳能光电器件的<110>无位错单晶的制造方法以及对在制造方法过程中使用的石墨热系统的改进。该方法包括如下步骤：(1).在引晶工艺中，引晶直径应≥5mm，其收放比例为100％，引晶拉速应≥5mm/min，引晶长度为150－300mm；(2).在放肩工艺中，放肩速度为0.2～1.5mm/min；
110 无位错硅单晶制造方法

[发明专利]一种用直拉法生长单晶硅的籽晶结构及引晶工艺方法-CN202210776771.4在审
发明人：李涛勇;许堃;吴超慧;邓华 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，具体涉及一种用直拉法生长单晶硅的籽晶结构及引晶工艺方法，包括步骤：1)烤晶，将截面形状已改变的籽晶以一定速度降低高度，接近融硅表面，使籽晶端部的温度接近融硅的温度；2)熔接：下降籽晶，接触融硅，形成良好的固液界面；3)引晶，在上述回熔的基础上以一定速度向上提拉生长籽晶达一定长度；4)放肩，在上述引晶的基础上降低拉速，使晶体径向扩展至所需形状和尺寸。
一种用直拉法生长单晶硅籽晶结构工艺方法

[发明专利]制造多层太阳能电池的方法和半导体结构-CN95197426.2无效
发明人： M·A·格林;S·R·韦纳姆;施正荣 -专利权人：太平太阳有限公司
申请日： 1995-12-01 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：然后淀积引晶层(13)，适当处理引晶层可得到所要求的大晶粒。该层可以在淀积时结晶，或可以以非晶形式淀积，然后通过进一步的处理结晶。然后在引晶层上淀积极性交替变化的非晶硅层或硅合金层(14、15、16、17)的叠层，这些交替层中掺有n型或p型掺杂剂。然后进行固相结晶，获得在低温下持续加热这些层可获得的所要求的3μm或更大的晶粒。
制造多层太阳能电池方法半导体结构

[发明专利]盐酸奥达特罗晶型D和晶型E及其制备方法和用途-CN202211192864.9在审
发明人：张鹏伟;张杰;陈勇;王仲清;黄芳芳 -专利权人：广东东阳光药业有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07D265/36 文献下载
摘要：本发明涉及盐酸奥达特罗的晶型D和晶型E，这些晶型具有较低的引湿性和较高的稳定性，可用于药物制剂。本发明还涉及盐酸奥达特罗的晶型D和晶型E的制备方法。本发明的制备方法简单，重复性好，适合工业化生产。
盐酸奥达特罗晶型及其制备方法用途

[发明专利]一种大尺寸GaSb单晶的快速生长方法-CN201810332572.8在审
发明人：李璐杰;徐永宽;程红娟;张颖武;练小正;于凯;霍晓青 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本方法选用直径大于或等于所要制备的GaSb晶锭尺寸的GaAs晶锭制作籽晶；该籽晶结构包括细颈部分以及直径不小于所要制备的GaSb晶锭直径的宽颈部分；将细颈部位固定于籽晶固定支架上，并连接于提拉装置上；宽颈部位在GaSb晶体生长过程中用于引晶；在GaSb晶体生长过程中，宽颈部位的1‑2cm部分进入GaSb熔体完成引晶过程。采用本方法可在GaSb单晶生长过程中免除晶体放肩过程，可提高大尺寸GaSb单晶的制备效率和成晶率。该工艺中GaAs籽晶可反复多次使用，对单晶生长设备无特殊要求。
单晶晶锭宽颈籽晶制备晶体生长过程快速生长引晶单晶生长过程单晶生长设备多次使用固定支架提拉装置细颈部位籽晶结构放肩熔体细颈制作

[发明专利]羟氯喹共晶及其制备方法、含量测定方法和应用-CN202111324768.0在审
发明人：张扬;白昆 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C07D215/46 文献下载
摘要：本发明提供羟氯喹共晶及其制备方法、含量测定方法和应用，本发明的羟氯喹共晶包括由摩尔比为2：1的羟氯喹和4,4’‑联吡啶形成的共晶。本发明的羟氯喹共晶与羟氯喹相比有较高的溶出度，与羟氯喹的硫酸盐、磷酸盐等形式相比具有较低的引湿性，通过多种简单的方法即可制得，本发明的羟氯喹共晶药物组合物有更好的溶出度，且具有较低的引湿性和可压片性，可以开发疗效更好、副作用更小的羟氯喹共晶改良制剂。
氯喹及其制备方法含量测定应用

[发明专利]一种快速制备大尺寸蓝宝石晶体改良泡生法-CN201410823957.6有效
发明人：熊亮亮;杨建光;王明志 -专利权人：浙江东海蓝玉光电科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明一种快速制备大尺寸蓝宝石晶体改良泡生法，包括装料，加热升温、恒温化料、引晶、放肩、长晶、收尾、退火开炉，加热升温、恒温化料、引晶、放肩、长晶、收尾阶段，炉内真空度保持1×10-5Pa以下，其中放肩时控制晶体生长速度先慢后快，最快生长速度为350g/h；放肩晶体重量达到8-10Kg时开始等径生长，长晶速度逐渐增加到1Kg/h，最后晶体生长速度为1.05-1.2Kg/h。本发明在传统泡生法生长蓝宝石工艺上有很大改进，具有长晶周期短、能耗少、晶体缺陷少、掏棒率高等优点，适用于80公斤以上的大尺寸蓝宝石晶体产业化应用。
一种快速制备尺寸蓝宝石晶体改良泡生法

[发明专利]引晶工艺生产掺杂态α-氢氧化镍正极材料的方法-CN201210483751.4无效
发明人：黎福根;唐怀远 -专利权人：湖南丰日电源电气股份有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种引晶工艺生产掺杂态α-氢氧化镍正极材料的方法，首先制备纳米级α-Ni(OH)2作为晶种：所述的纳米级α-Ni(OH)2晶种的晶体尺寸为5-100纳米；所述纳米级α-Ni(OH)2晶种的制备方法采用超声波作为辅助条件，采用共沉积法制备；然后使用该晶种采用引晶工艺制备掺杂态α-Ni(OH)2正极材料，所述掺杂态α-Ni(OH)2正极材料主要的制备材料为镍盐，采用铝离子和锰离子为掺杂剂。
工艺生产掺杂氢氧化正极材料方法

[发明专利]单晶炉自动引晶系统及方法-CN201110054267.5无效
发明人：刘书强 -专利权人：宁夏日晶新能源装备股份有限公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅领域，尤其涉及一种单晶炉引晶系统及方法。一种单晶炉自动引晶系统，包括炉体、电机、绕线轮、籽晶绳、重锤、红外测温仪、CCD摄像机、加热器和盛料杯，所述的红外测温仪固定在炉体外部对应第一观察窗，所述的CCD摄像机固定在炉体外部对应第二观察窗，所述加热器的控制电源与本发明单晶炉自动引晶系统及方法通过PLC控制器自动控制引晶过程中的硅液温度和籽晶的生长直径，使得引晶表面更加光滑，位错排除的更好，同时在拉晶过程中晶体不易断线，对员工的操作技能要求低，设备操作性好，能保证大规模的工业生产质量
单晶炉自动晶系方法

[发明专利]一种用于降低大尺寸直拉单晶硅片缺陷的拉制方法-CN202110878710.4在审
发明人：刘立中;王军磊;王艺澄 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于降低大尺寸直拉单晶硅片缺陷的拉制方法，包括将原生硅料和回收料按照2：1的比例投料；然后进行抽空捡漏、全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后，将功率降至引晶功率，然后将所述坩埚转开至引晶转速稳定熔体；最后高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶、放肩、转肩、等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制晶体生长、收尾以及停炉。
一种用于降低尺寸单晶硅缺陷拉制方法

[发明专利]大直径硅单晶及其制造方法-CN202310265147.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：大直径硅单晶的制造方法依次包括硅料熔融工艺、引晶工艺、等径工艺和收尾工艺，在硅料熔融工艺与引晶工艺之间还设有浸泡工艺，浸泡工艺中的加热功率为引晶工艺中的加热功率的105%~130%。
直径硅单晶及其制造方法

[发明专利]蓝宝石炉自动引晶控制系统和单晶炉引晶控制方法-CN201610785237.4有效
发明人：李辉;毛洪英;江世成;宁斯琴;樊传宁 -专利权人：南京晶升能源设备有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明公开一种蓝宝石炉自动引晶控制系统和单晶炉引晶控制方法，其中控制系统包括称重传感器，信号放大器，摄像头，变焦镜头，图像采集卡，计算机，PLC，步进驱动器和步进电机，变焦镜头安装在摄像头上，摄像头设置于蓝宝石炉的观察窗口上并指向引晶位置
蓝宝石自动控制系统单晶炉引晶控制方法

[发明专利]一种普赛莫德的晶型及其制备方法和用途-CN202211596990.0在审
发明人：汪小涧;陈晓光;赵岩石;吴昊天;金晶;李燕;盛莉;陈新 -专利权人：渐宽（苏州）生物科技有限公司;中国医学科学院药物研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C07D263/32 文献下载
摘要：本发明提供一种普赛莫德的晶型及其制备方法和用途，所述晶型涉及晶型A和晶型B，晶型A和晶型B能够稳定存在，具有低的引湿性、高的溶解性、良好的机械稳定性和较低的流动性，以及较低的黏附性和良好的可压性，具有医药工业化前景
一种普赛莫德及其制备方法用途

[发明专利]一种艾托莫德的晶型及其制备方法和应用-CN202211659300.1在审
发明人：汪小涧;陈晓光;赵岩石;吴昊天;金晶;李燕;盛莉;陈新 -专利权人：渐宽（苏州）生物科技有限公司;中国医学科学院药物研究所
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C07D263/32 文献下载
摘要：本发明提供一种艾托莫德的晶型及其制备方法和应用，所述晶型涉及晶型A和晶型B，晶型A和晶型B能够稳定存在，具有低的引湿性、高的溶解性、良好的机械稳定性和较低的流动性，以及较低的黏附性和良好的可压性，具有医药工业化前景
一种艾托莫德及其制备方法应用

[发明专利]定向凝固法中籽晶熔化状态判断方法以及引晶控制系统-CN201110364214.3有效
发明人：李乔;马远;王明德;周晓峰 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种定向凝固法中籽晶熔化状态判断方法以及引晶控制系统，通过在坩埚底部放置测温探头，并通过计算升温速率的来判断籽晶是否处于半熔化的状态，从而实现了定向凝固法生长硅晶体中的引晶控制，有利于增加硅锭的生产率
定向凝固籽晶熔化状态判断方法以及控制系统